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[实用新型]一种用于高浪涌和低电容的TVS结构-CN202321010037.3有效
发明人：朱卫聪;贾景为;余嫚玲 -专利权人：深圳市芯歌电子科技有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于高浪涌和低电容的TVS结构，包括：箱体，以及设置在箱体一侧的测试单元，以及设置在箱体另一侧的传送单元；气缸组件设置在箱体上，滚动轴承与气缸组件固定连接，固定架与滚动轴承连接，若干探针设置在固定架上；气缸组件连接有进气装置；滑轨设置在箱体上，滑动装置设置在滑轨两侧，若干检测件滑动设置在滑轨上，限位装置设置在滑轨上；若干检测件通过固定筒连接；传送单元一侧设置有弃置板。本实用新型通过设置的测试单元检测待测器件是否失效，以及传送单元可精确控制检测位置，避免了需要多次矫正位置的问题，提高了检测器件是否短路的检测效率，避免了在短路失效后无法对TVS结构快速检测以确定是否短路的问题。
一种用于浪涌电容 tvs 结构

[发明专利]一种高功率密度TVS器件及其制造方法-CN202310717808.0在审
发明人： 贾景为;余嫚玲;朱卫聪 -专利权人：深圳市芯歌电子科技有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种高功率密度TVS器件的制造方法，包括以下步骤：S1表面清洁：将铜片放入碱性溶液中浸泡并进行表面清洁；S2分布焊点：在铜片两侧对称设置若干的焊点组，且竖直方向上相邻两个焊点组间留有间距；S3弯折固定：对铜片进行S型弯折，同时使用夹具一将若干芯片固定在若干焊点组上，形成多层复合芯片后撤去夹具一，使用夹具二固定整体结构；S4焊接切除：使用回流焊使焊料凝固，将多层复合芯片两侧的多余铜片切除并撤去夹具二；S5成品封装：将若干L型引脚分别贴合复合芯片的两端，并放置在塑封外壳中，使用环氧树脂胶进行加热固化。本发明中通过在保护气体环境下进行焊接和固化，避免了氧化层对制造工艺和使用效果的影响。
一种功率密度 tvs 器件及其制造方法