专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]制造集成电路的方法-CN98120724.3有效
  • 钱德拉塞克哈·纳拉扬;贝蒂纳·丁克尔 - 西门子公司;国际商业机器公司
  • 1998-09-25 - 2004-03-31 - H01L21/312
  • 一种制造集成电路的方法,包括在一基底上形成器件层;在器件层上形成一第一介电层;在第一介电层上形成一器件图形;在器件图形上形成一第二介电层;在第二介电层之上形成一蚀刻阻挡层;以光致抗蚀剂对蚀刻阻挡层构图,以便形成对应于器件图形的第一孔;沉积一硬钝化层;沉积一软钝化层;在软钝化层上形成一对应于器件图形的第二孔,所述第二孔比在蚀刻阻挡层上形成的所述第一孔大;以所述软钝化层为掩模执行一蚀刻工艺,以便去除对应于第二孔的硬钝化层并去除对应于第一孔的第二介电层,获得一终端贯穿孔。本发明的方法中的蚀刻阻挡层允许上述终端贯穿孔的尺寸不受现有光敏软钝化层的分辨率的影响。
  • 制造集成电路方法

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