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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]管理开放翻译单元的编程-CN202211665171.7在审
发明人：郎慕蓉;周振明;黄健;谢廷俊;J·朱;N·P·加内什·拉奥;S·齐德日茨 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本公开涉及管理开放翻译单元的编程。对可由第一字线WL寻址的第一存储器单元集进行编程操作，其中所述第一存储器单元集包括存储器单元的开放翻译单元TU。确定包括所述开放TU的第二存储器单元集处于粗略编程状态，其中所述第二存储器单元集可由第二WL寻址。响应于确定所述第二存储器单元集满足阈值准则，将与所述第二WL相关联的编程状态校验电平减小校验电平偏移量。将与所述开放TU的每一WL相关联的编程状态栅极步长减小预定义值。使用所述减小的编程状态校验电平和所述减小的编程状态栅极步长对所述第二存储器单元集进行编程操作。
管理开放翻译单元编程

[发明专利]基于读取操作的主动监测的存储器中的缺陷检测-CN202210991165.4在审
发明人：沈震雷;谢廷俊;F·阿迪;王维;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本申请案的实施例涉及基于读取操作的主动监测的存储器中的缺陷检测。获得基于对存储器装置执行的第一读取操作的第一错误率。确定满足与缺陷候选相关联的第一阈值准则的所述存储器装置的个别数据单元。对所述个别数据单元执行缺陷验证操作以获得第二错误率。确定满足与缺陷相关联的第二阈值准则的所述个别数据单元。
基于读取操作主动监测存储器中的缺陷检测

[发明专利]存储器系统中的动态读取电平阈值-CN202210945627.9在审
发明人：许中广;谢廷俊;郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本公开涉及存储器子系统中的动态读取电平阈值。识别存储器装置的单元的当前操作特性值。从操作特性阈值集中识别操作特性阈值，其中所述当前操作特性值满足基于所述操作特性阈值的操作特性阈值准则。从多个写入到读取W2R延迟时间阈值集中识别对应于所述操作特性阈值的W2R延迟时间阈值集。所述集中的所述W2R延迟时间阈值中的每一者与对应读取电压电平相关联。从所述W2R延迟时间阈值集中识别与W2R延迟时间阈值准则相关联的W2R延迟时间阈值，其中所述存储器子系统的当前W2R延迟时间满足所述W2R阈值准则。识别与所识别的W2R延迟时间阈值相关联的读取电压电平。
存储器系统中的动态读取电平阈值

[发明专利]基于写入到写入延迟调整读取电平阈值-CN202210967307.3在审
发明人：许中广;谢廷俊;郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及基于写入到写入延迟调整读取电平阈值。一种方法包含：执行将数据写入到存储器装置中的存储器单元群组的第一存储器单元的第一写入操作；基于所述第一写入操作与对所述存储器单元群组中的存储器单元的第二写入操作之间的时间差来确定写入到写入W2W延迟，其中所述第二写入操作发生在所述第一写入操作之前；标识所述W2W延迟所满足的阈值时间准则；标识与所述阈值时间准则相关联的第一读取电压电平；以及使所述第一读取电压电平与所述存储器单元群组的第二存储器单元相关联。所述第二存储器单元可与基于第二读取电压电平与所述第一读取电压电平的比较而满足选择准则的所述第二读取电压电平相关联。
基于写入延迟调整读取电平阈值

[发明专利]基于个别存储器单位的额定值的存储器装置的寿命延长-CN202210533273.7在审
发明人：许中广;沈震雷;谢廷俊;田昇埈;郎慕蓉;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请案涉及基于个别存储器单位的额定值的存储器装置的寿命延长。获得存储器装置的第一数据单位及第二数据单位的相应预期寿命。确定对应于所述第一数据单位的第一初始年限值及对应于所述第二数据单位的第二初始年限值。识别所述第一初始年限值及所述第二初始年限值中的较低者。对与所述第一初始年限值及所述第二初始年限值中的所述较低者相关联的所述第一数据单位或所述第二数据单位中的对应者执行第一媒体管理操作。对所述第一数据单位及所述第二数据单位执行第二媒体管理操作。
基于个别存储器单位额定值装置寿命延长

[发明专利]优化存储器存取操作参数-CN202210456117.5在审
发明人：田昇埈;谢廷俊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/12 文献下载
摘要：本公开涉及优化存储器存取操作参数。测量与存储器存取操作参数的多个值中的在一或多个存储器存取操作中使用的值中的每一个相关联的数据状态度量的相应值。确定基于预定数据状态度量的测得的值的最佳度量值。选择来自所述存储器存取操作参数的所述多个值的所述存储器存取操作参数的最佳值。
优化存储器存取操作参数

[发明专利]基于存储器子系统的特性执行刷新操作-CN202080052218.5在审
发明人： 谢廷俊;田昇埈;陈振刚;沈震雷;C·S·Y·光 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：可在存储器子系统处执行刷新操作。可以当前频率执行所述刷新操作。可接收与所述存储器子系统相关联的写入计数。可确定与所述存储器子系统相关联的所述写入计数是否满足写入计数阈值。响应于确定与所述存储器子系统相关联的所述写入计数满足所述写入计数阈值，可以相对于所述当前频率提高的频率执行所述刷新操作。
基于存储器子系统特性执行刷新操作

[发明专利]从多个写入操作模式选择写入操作模式-CN202080054423.5在审
发明人：沈震雷;朱方芳;谢廷俊;J·朱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：接收对在存储器组件处写入数据的请求。响应于接收到对在所述存储器组件处写入所述数据的所述请求，确定随机值。基于所述随机值而选择来自多个写入操作模式的第一写入操作模式。根据所述第一写入操作模式执行用以在所述存储器组件处写入所述数据的写入操作。
写入操作模式选择

[发明专利]使用写入事务数据选择读取电压-CN202080053213.4在审
发明人：振刚·陈;谢廷俊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种系统包含存储器组件；以及处理装置，其与所述存储器组件操作性地耦合。所述处理装置用以接收对存储于所述存储器组件的物理地址处的数据执行读取操作的请求，且确定所述数据是否满足关于所述数据何时写入到所述物理地址的阈值准则。响应于所述数据满足所述阈值准则，所述处理装置用以使用第一读取电压电平对存储于所述物理地址处的所述数据执行所述读取操作，且响应于所述数据不满足所述阈值准则，使用第二读取电压电平对存储于所述物理地址处的所述数据执行所述读取操作。
使用写入事务数据选择读取电压

[发明专利]使用错误率随时间变化的存储器的边界错误统计数据的自适应读取电压调整-CN202080050542.3在审
发明人： 谢廷俊;陈振刚 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种处理装置配置成：识别存储器组件的多个写读延迟范围中的第一范围；识别所述第一范围的第一端处的第一组所述多个写读延迟时间和所述第一范围的第二端处的第二组所述多个写读延迟时间；确定所述存储器组件的对应于所述第一组所述多个写读延迟时间的第一错误率和所述存储器组件的对应于所述第二组所述多个写读延迟时间的第二错误率；确定所述第一错误率和所述第二错误率之间的对应关系是否满足第一阈值准则；以及修改与所述第一范围相关联的所述读取电压电平。
使用错误率随时变化存储器边界错误统计数据自适应读取电压调整

[发明专利]在存储器子系统通电阶段期间执行完全存储器刷新的决策-CN202080050561.6在审
发明人： 谢廷俊;沈震雷;周振明 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：一种系统包含多个存储器装置和操作性地耦合到所述多个存储器装置的处理装置(例如，控制器)。所述处理装置将检测所述系统的通电并且在存储器组件的初始化之后的时间间隔期间确定所述多个存储器装置的码字子集的读取重试触发率(TR)。所述处理装置进一步确定所述TR是否满足阈值标准。响应于所述TR不满足所述阈值标准，所述处理装置将初始化所述多个存储器装置的完全存储器刷新。
存储器子系统通电阶段期间执行完全刷新决策

[发明专利]存储器子系统的被取消映射分配单元的管理-CN202080050600.2在审
发明人： 谢廷俊;振刚·陈;沈震雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：可接收存储器子系统的分配单元已变为被取消映射的指示。响应于接收到所述存储器子系统的所述分配单元已变为被取消映射的所述指示，可利用数据模式对所述分配单元进行编程。可接收待写入到所述被取消映射分配单元的数据。可通过使用基于所述数据模式的读取电压执行写入操作以在所述被取消映射分配单元处对所述接收到的数据进行编程。
存储器子系统取消映射分配单元管理

[发明专利]存储器装置的基于温度的机载放置-CN202110801266.6在审
发明人：沈震雷;谢廷俊;C·S·Y·光 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-15 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及存储器装置的基于温度的机载放置。确定待安装在存储器子系统处的存储器装置的质量等级，其中所述质量等级对应于所述存储器装置在一或多个操作温度下的性能。确定所述存储器装置的所述质量等级是否满足与所述存储器子系统的两个或更多个温度区中的第一温度区相关联的第一质量等级条件。响应于确定所述存储器装置的所述质量等级满足所述第一质量等级条件，将所述存储器装置分配为安装在所述第一温度区的第一存储器装置插口处。
存储器装置基于温度机载放置

[发明专利]存储器子系统的提前解码终止-CN202080017819.2在审
发明人： 谢廷俊;戴穎煜;朱江丽 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：解码器可接收码字的一部分已在解码操作期间解码的指示。所述解码器可确定用于所述码字的所述部分的所述解码操作的一组候选输出值，且基于用于所述组候选输出值中的每一个的已解码校验码而从所述组候选输出值中消除一或多个候选输出值。响应于确定已从所述组候选输出值中消除所有所述候选输出值，所述解码器可终止所述解码操作。
存储器子系统提前解码终止

[发明专利]用于存储器子系统的元数据辅助的编码和解码-CN202080017570.5在审
发明人： 谢廷俊;戴颖煜;J·朱 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-01-31 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H03M13/13 文献下载
摘要：可从主机系统接收将存储于存储器子系统处的数据。可确定所述主机数据的包含用户数据的部分和所述主机数据的包含系统元数据的另一部分。可接收到用于数据结构的映射，所述映射识别所述数据结构的对于编码操作为固定的方位和所述数据结构的对于所述编码操作为不固定的方位。可基于所述映射产生用于所述用户数据和系统元数据的所述数据结构，且可对所述数据结构执行编码操作以产生码字。
用于存储器子系统数据辅助编码解码

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