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[发明专利]一种白花前胡的栽培方法-CN201510137511.2在审
发明人： 谢季桦 -专利权人： 谢季桦
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： A01G1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种白花前胡的栽培方法，具体步骤包括选地、整地、开厢、播种、田间管理、收获和检验，田间管理包括除草、间苗和施肥，选地时选择背风向阳、排灌方便、坡度小于20度的沙壤土，整地时先清除地表杂草，施入草木灰改良土壤，再使用中耕机深耕后耙细整平，播种后轻踩厢面，除草时施加除草剂进行除草或进行人工除草，间苗时采用等边三角形留苗，施肥时依次施加发酵的菜子枯、农家肥和根部增产剂，收获时细尾、侧根和主根分类凉干。用本发明方法栽培白花前胡，成本低，产量高，进行科学的田间管理，施用有机肥，减少了污染，保证了白花前胡的品质，使产品符合安全高效的特点，有效的提高了种植白花前胡的产率，具有显著的经济效益。
一种白花前胡栽培方法

[发明专利]太阳能薄膜电池制造方法及其缓冲层修复方法-CN201110269601.9无效
发明人：林信宏;谢季桦 -专利权人：力铼光电科技(扬州)有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能薄膜电池的制造方法及其缓冲层修复方法，所述太阳能薄膜电池缓冲层修复方法包括步骤：步骤1：通过物理方法和/或化学方法移除检验出现异常的所述缓冲层；步骤2：再次形成所述缓冲层。本发明的缓冲层修复方法，避免了缓冲层成膜异常时只能将太阳能电池基板废弃所带来的物料和人工的浪费。
太阳能薄膜电池制造方法及其缓冲修复

[发明专利]半导体元件及其制备方法-CN201110120454.9无效
发明人：林信宏;谢季桦 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2011-05-11 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含一基板；一第一导电层，设置于该基板上；一中间层，设置于该第一导电层上；以及一第二导电层，设置于该中间层上。在本发明的一实施例中，当该半导体元件具有一缺陷区时，至少局部去除对应该缺陷区的第一导电层，使得该半导体元件可借由该第一导电层的保留区、该中间层及该第二导电层运作。本发明可避免缺陷形成短路而造成整个半导体元件失效的半导体元件及其制备方法或导致该半导体元件的效能降低。
半导体元件及其制备方法

[发明专利]太阳能电池元件结构-CN201110004078.7无效
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明揭露一种太阳能电池元件结构，其包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层、一透明导电层以及一高阻值膜层。该金属层形成于该基板的表面。该p型半导体层形成于该金属层之上，且包含铜铟镓硒硫(CIGSS)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟硫(CIS)、铜铟硒(CIS)或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。该n型半导体层具光触媒特性(例如可利用照光提高载子迁移率)，且形成于该p型半导体层的表面，而与该p型半导体层形成p-n接合面。该透明导电层形成于该n型半导体层之上。该高阻值膜层形成于该金属层及透明导电层之间。
太阳能电池元件结构

[发明专利]薄膜太阳能电池的制备方法-CN201110062923.6无效
发明人：林信宏;章丰帆;谢季桦;林信志;李宗龙 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2011-03-11 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜太阳能电池的制备方法，包含下列步骤：形成一阳极层于一基板上；形成一铜层于该阳极层上；以及共沉积铜、铟、镓和硒于该铜层上，以形成一铜铟镓硒光吸收层。通过本发明的制备方法可在较短的工艺时间制备铜铟镓硒光吸收层，降低制作成本，避免铜层产生剥离现象，同时可以获得高转换效率的铜铟镓硒光吸收层。
薄膜太阳能电池制备方法

[实用新型]无卡匣的太阳能电池反应槽及化学水浴沉积系统-CN201020620839.2无效
发明人：林信宏;谢季桦 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型揭示一种无卡匣的太阳能电池反应槽及一种无卡匣的太阳能电池化学水浴沉积系统，该反应槽包含多个本体，每一该本体包含一对第一槽壁、一对第二槽壁、一底面。该对第一槽壁相互对应，该对第二槽壁相互对应且该第二槽壁与该对第一槽壁连接，该第二槽壁宽度小于该第一槽壁宽度，该底面分别连接该第一槽壁及该第二槽壁而形成一凹槽。本实用新型可节省卡匣的成本及保养清洗时间及费用。此外亦可节省清洗卡匣的设备空间。
无卡匣太阳能电池反应化学水浴沉积系统

[发明专利]太阳能电池元件结构及其制造方法-CN200910137863.2无效
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;李宗龙;谢季桦 -专利权人：太阳海科技股份有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种太阳能电池元件结构及其制造方法，其包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层、一高阻值膜层、一辅助电极层以及一透明导电层。该金属层形成于该基板的表面，并具有多个相互分离的p型电极单元。该p型半导体层形成于该金属层的表面。该n型半导体层形成于该p型半导体层表面，而与该p型半导体层形成p-n结。该高阻值膜层形成于该n型半导体层的表面。该辅助电极层形成于该高阻值膜层和该多个p型电极单元之表面。该透明导电层形成于该辅助电极层、该高阻值膜层和该多个p型电极单元之的表面。且于各该p型电极单元上形成至少一电池单元，通过该辅助电极层及该辅助电极层串联各该电池单元。该太阳能电池元件电能输出高。
太阳能电池元件结构及其制造方法

[发明专利]太阳能电池元件-CN200810187542.9无效
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：本发明揭示一太阳能电池元件，其包含一基板、一金属层、一高阻值膜层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该金属层可包含钼金属，且形成于该基板的表面，作为电池的背接触金属层(Back contact metal layer)。该高阻值膜层(例如V2O5)形成于该金属层表面。该p型半导体层形成于该高阻值膜层的表面，可包含铜铟镓硒(CIGS)或铜铟镓硒(CIS)的合金材料。该n型半导体层(例如CdS)形成于该p型半导体层的表面，且与该p型半导体层形成p-n结。透明导电层形成于该n型半导体层的表面。本发明的高阻值膜层可制作的相当薄，即可达到防止电池的正负极发生短路，且工艺简单、迅速，可增加生产效率。
太阳能电池元件

[发明专利]太阳能电池元件及其制作方法-CN200810187543.3无效
发明人：章丰帆;林信志;林信宏;谢季桦;李宗龙 -专利权人：铼宝科技股份有限公司
申请日： 2008-12-25 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L31/06 文献下载
摘要：一种太阳能电池元件及其制作方法，该元件包含一基板、一金属层、一p型半导体层、一n型半导体层及一透明导电层。该基板具有一粗糙面；金属层可包含钼金属，且形成于基板的该粗糙面上。p型半导体层形成于该金属层上，可包含铜铟镓硒硫、铜铟镓硒、铜铟硫、铜铟硒或包含铜、硒或硫二者或二者以上的化合物材料。n型半导体层形成于该p型半导体层上，且与该p型半导体层形成粗糙的p-n结。n型半导体层可为硫化镉。透明导电层形成于该n型半导体层上。一实施例中，该粗糙面的粗糙度介于0.01μm至100μm之间。本发明可有效增加太阳能电池元件中p型半导体及n型半导体的p-n结的表面积，以增加光电流密度，提升发电效率。
太阳能电池元件及其制作方法

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