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[发明专利]显示面板以及显示装置-CN201911374179.6有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明提供了显示面板以及显示装置，该显示面板以及显示装置包括发光层和反光层，发光层和反光层相对设置；发光层包括多个发光部，相邻的两发光部之间具有间隙，发光部向反光层发射第一光线，第一光线在反光层上反射形成反射光，反射光穿过间隙形成出射光；该方案可以反射Micro LED器件发出的光，以过滤其中的高能量、穿透性强的光线，通过降低Micro LED器件发出的光对人眼造成的伤害，提高了Micro LED显示屏的安全性。
显示面板以及显示装置

[发明专利]显示面板及电子设备-CN202110439282.5在审
发明人： 谢华飞 -专利权人：维沃移动通信(杭州)有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示面板及电子设备，属于显示技术领域。其中，显示面板包括：驱动基板、像素层、封装层、过滤层，其中：像素层包括阵列排布的多个子像素；过滤层设置在封装层的背离像素层的一侧，或者过滤层设置在驱动基板的背离像素层的一侧，过滤层包括层叠设置的第一偏光片和电致变色器件层；电致变色器件层包括与多个子像素位置一一对应的多个电致变色器件；驱动基板、像素层、封装层依次层叠设置，驱动基板包括与多个子像素一一对应连接的多个驱动电路，每个驱动电路为与其相连的子像素以及对应所述子像素的电致变色器件同步供电。
显示面板电子设备

[发明专利]显示组件和电子设备-CN202110180358.7在审
发明人： 谢华飞 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本申请公开了一种显示组件和电子设备，涉及显示技术领域，显示组件包括：基板，基板上具有驱动电路层；调节结构设置于基板上；发光单元与驱动电路层电连接，发光单元设置于调节结构上；控制模组与调节结构电连接，在控制模组对调节结构施加电压的情况下，调节结构带动发光单元朝向第一方向或第二方向倾斜，第一方向与第二方向相反。在显示组件中，在对调节结构施加电压的情况下，调节结构可以带动发光单元朝向第一方向或第二方向倾斜，第一方向与第二方向相反，可以通过调节结构带动发光单元朝向第一方向或第二方向倾斜，使得发光单元发光的方向发生变化，发射出的光可视角减小，从侧面看不到显示屏的内容以实现防窥功能。
显示组件电子设备

[发明专利]屏幕、电子设备及屏幕制备方法-CN202011472384.9在审
发明人： 谢华飞 -专利权人：维沃移动通信有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H04R9/04 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种屏幕、电子设备及屏幕制备方法，属于通信技术领域。该屏幕包括：基板、至少一个显示芯片、磁性件、支撑件、线圈；基板通过支撑件与磁性件固定连接，并在基板和磁性件之间形成一容纳空间，基板具有相对设置的第一侧面和第二侧面，第一侧面位于容纳空间内，第二侧面位于容纳空间内以外；线圈设置在第一侧面，至少一个显示芯片设置在第二侧面。本申请实施例中，将线圈集成在显示面板的基板背面，由磁性件和线圈驱动基板振动发声，无需额外设置振动膜，简化屏幕结构，避免占据过多电子设备内部空间。
屏幕电子设备制备方法

[发明专利]显示面板的制备方法及显示面板-CN201911028011.X有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示面板的制备方法及显示面板，在显示面板正面制程完成时，引入了保护层、牺牲层、平坦化层以及钝化层的结构作为保护膜，该保护膜膜层结构设计不会对CVD、PVD等真空设备造成污染，以及具有硬性耐磨特性，该膜层不会残留在传输机台上，因此不会干扰到背面制程。同时常规CVD和涂布机台成膜时，膜层表面平坦度有利于传送吸附，可通过激光及干刻完整的去除保护膜，该工艺方法可有效实现单玻璃的双面制程。
显示面板制备方法

[发明专利]碳纳米管复合薄膜的制备方法、碳纳米管TFT及其制备方法-CN201810788180.2有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管复合薄膜的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上涂覆溶有带电聚合物的第一水溶液以形成聚合物层；将半导体型单壁碳纳米管分散至溶有带电化合物的第二水溶液中，得到半导体型单壁碳纳米管水溶液，带电化合物与带电聚合物的电荷性质相反；将半导体型单壁碳纳米管水溶液涂覆在聚合物层上；静置预定时间后，去除未吸附的半导体型单壁碳纳米管和多余的带电聚合物；风干，在聚合物层上形成碳纳米管薄膜。本发明还提供了一种碳纳米管TFT及其制备方法。本发明在涂覆碳纳米管水溶液前在衬底上涂覆有一层与碳纳米管水溶液的电荷性质相反的聚合物水溶液，带电聚合物在衬底上具有良好的吸附性和延平性，因此表面包裹有带电荷小分子的碳纳米管可很好地平铺到衬底上。
纳米复合薄膜制备方法 tft 及其

[发明专利]背光模组及其制备方法和显示装置-CN201910280664.0有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-04-09 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请提供一种背光模组及其制备方法和显示装置，该背光模组包括蓝光源、导光结构和黄光量子点结构；蓝光源用于发出蓝色光；导光结构用于将蓝色光转变为面光源并发出，导光结构设置在蓝光源的一侧；黄光量子点结构用于与面光源的蓝色光接触，产生白色光并发出，黄光量子点结构设置在导光结构的出光面上；黄光量子点结构包括基板和黄光量子点层，黄光量子点层形成在基板上。本申请通过将黄光量子点层形成在基板上并与导光结构和蓝光源贴接集成在一起，缩小了背光模组的厚度。
背光模组及其制备方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN201810821146.0有效
发明人： 谢华飞;陈书志 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述制备方法包括步骤：提供一衬底；通过构图工艺在所述衬底上形成栅极和栅绝缘层，所述栅绝缘层包括源区、背沟道区、漏区，所述背沟道区位于所述源区和所述漏区之间；在所述栅绝缘层上沉积第一金属氧化物层、第一金属层，刻蚀所述第一金属氧化物层、第一金属层，以形成位于源区的第一半导体层和源极、位于漏区的第二半导体层和漏极；通过构图工艺在所述背沟道区形成第三半导体层，所述第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层构成有源层。本发明提出的薄膜晶体管的制备方法，能够避免形成源极、漏极采用的酸蚀刻液对有源层造成损坏，提升薄膜晶体管的稳定性。
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[发明专利]柔性显示装置及其制备方法-CN201810827489.8有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性显示装置及其制备方法，所述制备方法包括步骤：提供一玻璃基板；通过转印技术在玻璃基板上形成石墨烯层或氧化石墨烯层；在所述石墨烯层或氧化石墨烯层上形成薄膜晶体管；在所述薄膜晶体管上制备有机发光器件；对所述薄膜晶体管、有机发光器件进行封装；去除玻璃基板，获得所述柔性显示装置。本发明提出的柔性显示装置将石墨烯或氧化石墨烯作为柔性基板，降低了基板的厚度，实现柔性显示装置的薄型化，由于石墨烯或氧化石墨烯具有更好的柔韧性、稳定性、热膨胀性，有利于简化柔性显示装置的制备工艺。
柔性显示装置及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201711175832.7有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括选定一衬底，并在所选衬底的上方，依序由下往上分别形成底部栅极、栅极绝缘层和源漏极；其中，所述底部栅极和所述源漏极均采用功函数可调的导电金属氧化物为金属导电极；冲洗及吹干所选衬底的源漏极，且待对吹干后的源漏极在预定光照条件下进行一定时间臭氧清洗后，对臭氧清洗后的源漏极以氧气等离子体轰击一段时间，并进一步在氧气等离子体轰击后的源漏极上方形成有由碳材料制备出的有源层；待有源层制备完成后，并在有源层上方形成钝化层。实施本发明，能够通过调控导电金属与有源层的接触面功函数，减小接触电阻，改善碳基薄膜晶体管器件性能。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202010260716.0在审
发明人： 谢华飞;陈书志 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置，一方面，通过在所述显示面板中增加黑色矩阵层，削弱无机半导体自发光器件的光对薄膜晶体管层内部器件的影响，同时可以避免不同像素间产生串色现象。另一方面，通过在所述显示面板中增加反光层，可以将无机半导体自发光器件朝向薄膜晶体管层的光进行反射处理，提高无机半导体自发光器件的光的利用率，进而提高显示面板的发光效率。
一种显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]触控显示装置及触控显示装置制作方法-CN202010203668.1在审
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请提供一种触控显示装置及触控显示装置的制作方法，所述触控显示装置包括显示面板，以及设置于所述显示面板出光面上的第一触控电极和第二触控电极；所述第一触控电极和所述第二触控电极彼此交叉且绝缘设置；所述触控显示装置在实现其可触控化功能的同时，进一步降低其厚度，提高其集成度。所述触控显示装置的制作方法，通过将具有触控功能的两层触控电极直接制作于显示面板的出光面上，相比于现有技术，简化了触控显示装置制作工艺，并且制成的显示装置更加轻薄、集成度更高。
显示装置制作方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法-CN201810728134.3有效
发明人： 谢华飞;陈书志 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-07-05 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法包括：在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、源极和漏极；在所述源极、所述漏极和所述栅极绝缘层上形成平坦层，并对所述平坦层进行图案化处理，以形成第一部分、第二部分和第三部分；所述第一部分位于所述源极和所述漏极之间、所述第二部分位于所述源极的一侧以及所述第三部分位于所述漏极的一侧，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分的上表面都与所述源极和所述漏极的顶部齐平；在所述平坦层及所述源极和所述漏极上形成有源层，所述有源层用于形成沟道；在所述沟道、所述第二部分和第三部分上形成钝化层。本发明的薄膜晶体管及其制作方法，能够提高薄膜晶体管的性能。
一种薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]碳纳米管薄膜晶体管及其制作方法-CN201710954538.X有效
发明人： 谢华飞 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于薄膜晶体管技术领域，尤其公开了一种碳纳米管薄膜晶体管，该碳纳米管薄膜晶体管中的有源层的材料为复合碳纳米管；其中，复合碳纳米管包括碳纳米管以及填充在碳纳米管内部的金属氧化物。本发明通过以金属氧化物填充碳纳米管的复合碳纳米管作为有源层的材料，从而充分利用金属氧化物和CNT的半导体性能，可以有效地提高碳纳米管薄膜晶体管的迁移率，从而将该碳纳米管薄膜晶体管应用于OLED或QLED等显示器件时，能够更好地满足驱动需求。本发明还公开了上述碳纳米管薄膜晶体管的制作方法，该制作方法仅通过改变有源层的材料即可获得高迁移率的碳纳米管薄膜晶体管，而无需进行制程改变，适用于多种结构，可与现有的薄膜晶体管的生产工艺相兼容。
纳米薄膜晶体管及其制作方法

[发明专利]一种CMOS反相器的制备方法-CN201911349982.4在审
发明人： 谢华飞;陈书志;李佳育 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS反相器的制备方法，该方法包括：在基底上印刷氧化物墨水，对所述印刷有氧化物墨水的基底进行退火处理，使所述氧化物墨水发生反应，以得到第一有源层；所述氧化物墨水为硝酸铟和硝酸锌的混合溶液；在所述基底上制作第一源极和第一漏极，并在第一源极和第一漏极之间印刷碳管墨水，形成第二有源层，以得到第一薄膜晶体管；所述碳管墨水包括半导体碳纳米管和聚合物，且所述聚合物包裹所述半导体碳纳米管；在所述第一有源层的两侧制作第二源极和第二漏极，以得到第二薄膜晶体管；在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管之间形成导线，以得到CMOS反相器。本发明的CMOS反相器的制备方法，能够降低功耗和提高稳定性。
一种 cmos 反相器制备方法