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[发明专利]涂胶装置-CN202211558930.X在审
发明人：王国平;吴昌桦;谈太奇;胡兴兴;卢超 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本公开的实施例提供了一种涂胶装置，涉及半导体技术领域，用于解决在光刻胶涂覆过程中，喷嘴与基板之间的距离波动会直接影响光刻胶的涂覆厚度的均一性的问题。涂胶装置包括传输组件、涂覆组件、监测组件、第一调节组件和第二调节组件。监测组件被配置为检测其与基板的第一表面之间的垂直距离。第一调节组件被配置为根据监测组件的检测值对涂覆结构的高度进行调节，从而实现涂覆结构与基板之间距离的面调节。第二调节组件被配置为根据监测组件的检测值分别对基板的多个调节区块的高度进行调节，从而实现涂覆结构与基板之间距离的点调节。涂胶装置通过第一调节组件和/或第二调节组件实现调节涂覆结构与基板之间的距离。
涂胶装置

[发明专利]涂布设备的缓冲装置和涂布设备-CN202210443792.4在审
发明人：朱小冬;谈太奇;陈超爱;卢超;蒋浩 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;武汉京东方光电科技有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种涂布设备的缓冲装置和涂布设备，缓冲装置包括：缓冲桶、进液管道和出液管道。缓冲桶具有相对设置的第一端壁和第二端壁。进液管道的出口，位于缓冲桶内并朝向第一端壁。进液管道的出口与第一端壁之间的距离小于进液管道的出口与第二端壁之间的距离。出液管道的入口，位于缓冲桶内并靠近第二端壁。进液管道的出口与出液管道的入口之间的距离不小于设计距离。本申请实施例中的光刻胶从进液管道的出口注入缓冲桶时在压力的作用下会先朝向第一端壁喷出，避免与出液管道的入口接触，进液管道的出口与出液管道的入口之间距离较远，减少混合在即将从出液管道的入口流出的光刻胶内的气泡。
布设缓冲装置

[实用新型]抽真空装置-CN201620558727.6有效
发明人：冯强;陈启超;汪直超;关永兵;甄慧慧;谈太奇 -专利权人：重庆京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-06-07 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： F04B39/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种抽真空装置，属于抽真空技术领域。抽真空装置包括：真空泵、管道、检测组件和阻挡组件，真空泵设置在密闭腔室的外部，且与密闭腔室通过管道连接，检测组件和阻挡组件按照从靠近密闭腔室到远离密闭腔室的顺序设置在管道内，且检测组件与阻挡组件电连接；检测组件用于在有物体通过管道时生成检测信号，并向阻挡组件发送检测信号；阻挡组件用于根据检测信号，对物体进行阻挡。本实用新型解决了抽真空装置运行的稳定性较差的问题，达到了提高抽真空装置运行的稳定性的效果。本实用新型用于抽真空。
真空装置

[发明专利]一种自流动对位芳纶及其制备方法-CN201210174454.1有效
发明人：董丽杰;王钦;邓素芬;张俊俊;李琦;谈太奇;熊传溪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C08G69/48 文献下载
摘要：一种自流动对位芳纶及其制备方法，其制备步骤为：1）将带有磺酸基团的对苯二胺、以及添加剂氯化锂或氯化钙溶于溶剂中配制成溶液，使溶液温度保持在80~100℃，再向恒压漏斗中加入对苯二甲酰氯溶液，随后将反应温度降低，在1~8min使对苯二甲酰氯在惰性气体和快速搅拌的条件下加入到含有对苯二胺的溶剂中反应；2）向前述溶液中添加碱，反应，再添加季铵盐溶液进行反应，当反应5~7小时后，合成反应结束，得到自流动对位芳纶，其分子量为2000~40000，热分解温度为400~600℃，可以溶解于水和多数有机溶剂。用它制得的芳纶纤维其断裂伸长率为2~4%，抗压强度为0.02~1.29GPa，拉伸强度为1000~6000MPa，弹性模量为1~1.6MPa。本发明的聚合反应平和，可控性好，改变季铵盐的结构，可以调节聚合物的溶解性能。
一种流动对位及其制备方法