专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种CMOS互补结构的混频器电路-CN201611094284.0有效
  • 郭本青;陈俊;许炜鹏;李玥玥;王耀;金海焱 - 电子科技大学
  • 2016-12-02 - 2020-04-28 - H03D7/14
  • 本发明公开一种CMOS互补结构的混频器电路,包括:四个跨导输入级以及本振脉冲整形级;当VLO+、VLO‑为高、低电平时,第一、第二跨导输入级接收VRF+、VRF‑电压信号,将差分射频电压信号放大后传递到VIF+、VIF‑端口;当VLO+、VLO‑电平翻转后,差分信号从VRF+和VRF‑端口分别经过第四、第三输入跨导级放大后传递到VIF‑、VIF+端口;本振脉冲整形级将单端正弦本振信号整形为差分矩形本振信号,等效地降低了对正弦本振信号功率的要求,缓解了本振端口隔离度的设计压力;跨导输入级采用CMOS互补结构,获得电流复用的效果,降低功耗;并可获得二阶非线性的补偿效果,降低二阶互作用扭曲的影响。
  • 一种cmos互补结构混频器电路

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