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[发明专利]显示装置-CN202080097504.3有效
发明人： 见村浩英;村重正悟;武田悠二郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。
显示装置

[发明专利]半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201780080973.2有效
发明人：中岛伸二;锦博彦;见村浩英;齐藤裕一;武田悠二郎;村重正悟;石田和泉;冈部达 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
半导体装置制造方法