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[发明专利]富含锗的GST-212相变存储器材料-CN201210112127.3无效
发明人：郑怀瑜;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种相变材料，包括GexSbyTez，其中Ge(锗)的原子浓度x介于30％～65％的范围之间，Sb(锑)的原子浓度y介于13％～27％的范围之间，以及Te(碲)的原子浓度z介于20％～45％的范围之间。此材料的富含锗族也描述于此。一种包括此材料、适于整合电路的存储器装置也描述于此。该GST-212族的相变存储器材料具有比GST-225相变存储器材料较高的结晶温度。
富含 gst 212 相变存储器材料

[发明专利]形成掺杂相变材料的复合靶溅射-CN201210021915.1有效
发明人：郑怀瑜;陈介方;龙翔澜;施彦豪;西蒙·拉梧;马修·J·布雷杜斯克 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2012-01-31 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了是有关于以包括硫族化物材料的相变材料为基础的用于存储器装置的制造方法，以及使用于这类装置的用于形成掺杂硫族化物材料的方法。溅射靶材具有硅或另一半导体，或以硅为基础或其它以半导体为基础的添加物的相变材料层，使用包括硅或其它半导体以及相变材料的复合溅射靶材而形成。硅或其它半导体的浓度高于所形成的层中的硅或其它半导体的特定浓度5倍以上。对于在锗锑碲型相变材料中的以硅为基础的添加物，溅射靶材可包括超过40原子百分比的硅。以硅为基础的或其它以半导体为基础的添加物在沉积期间，在溅射腔室可使用复合溅射靶材及例如氧气或氮气的反应性气体气流而形成。
形成掺杂相变材料复合溅射

[发明专利]相变化材料降低重新结晶时间的方法-CN201010243796.5有效
发明人：郑怀瑜;西蒙·拉梧 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-06-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种于一存储单元装置工艺中降低使用于一存储单元元件的相变化材料重新结晶时间的方法。该方法包含选取一相变化材料、一缓冲层材料及一包覆层材料。沉积该缓冲层材料于一衬底上至一缓冲层材料厚度，沉积该相变化材料于该缓冲层材料之上至一相变化材料厚度，在某些范例中最好小于30纳米而更好是小于10纳米。沉积该包覆层材料于该相变化材料之上至一包覆层材料厚度以形成一存储单元元件。决定该存储单元元件中该相变化材料的该重新结晶时间。假如该决定的重新结晶时间不小于一段时间X，改变所选取的材料或厚度至少一者后重复上述步骤。
相变材料降低重新结晶时间方法

[发明专利]用于相变存储器的具有复合掺杂的相变结构-CN201010273818.2无效
发明人：龙翔澜;陈介方;施彦豪;郑怀瑜;赖二琨;李明修;马修·J·布雷杜斯克;西蒙·拉梧;林仲汉 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储器装置，其在第一电极与第二电极之间使用经复合掺杂的相变材料。由相变材料制成的存储器元件位在第一电极与第二电极之间，并具有主动区，相变材料例如是硫属化合物。相变材料具有第一掺质，例如氧化硅，其特征为倾向于在主动区中的晶粒边界上自相变材料分离。相变材料具有第二掺质，例如硅，其特征为引起在主动区中相变材料的再结晶温度的增加，及/或抑制在主动区中的相变材料中空穴的形成。
用于相变存储器具有复合掺杂结构

[发明专利]一种硫属材料型存储装置及其制造方法-CN200910171386.1有效
发明人：龙翔澜;陈介方;施彦豪;李明修;马修·J·布雷杜斯克;林仲汉;弗莱德·H·鲍曼;菲利普·弗莱兹;西蒙·拉梧 -专利权人：旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司
申请日： 2009-08-31 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫属材料型存储装置及其制造方法，将利用掺杂氧化硅的硫属材料予以说明。形成具有接触表面的第一电极；形成有一部分与第一电极的接触表面接触的多结晶状态的相变存储器材料主体；以及形成与相变存储器材料主体接触的第二电极。上述工艺包括熔解及冷却相变存储器材料主体的主动区内的相变存储器材料一次或多次，但不干扰主动区外部的多结晶状态。结果主动区的氧化硅网格具有至少一个硫属材料的区域。并且，主动区外部的多结晶状态的相变材料是小晶粒尺寸，因而获得更均匀的结构。
一种材料存储装置及其制造方法