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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210070748.X有效
发明人：大田刚志;西胁达也;安原纪夫;新井雅俊;河野孝弘 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：一种半导体器件，具备第1导电型的半导体层；设置在所述半导体层上的第2导电型的基底区域；设置在所述基底区域上的第2导电型的第1接触区域；栅极电极，隔着栅极绝缘膜，设置在贯通所述第1接触区域和所述基底区域并到达所述半导体层的沟槽内；层间绝缘膜，设置在所述沟槽内、所述栅极电极之上，包含第1导电型的杂质元素；第1导电型的源极区域，设置在所述层间绝缘膜与所述第1接触区域之间，与所述层间绝缘膜的侧面相接，延伸到所述基底区域的内部；与所述半导体层电连接的第1主电极；和第2主电极，设置在所述层间绝缘膜上，连接于所述源极区域和所述第1接触区域。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201110111543.7有效
发明人： 西胁达也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-03-18 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：第一导电型的漏极层；第一导电型的漂移层，设置于上述漏极层之上；第二导电型的基极区，设置于上述漂移层之上；第一导电型的源极区，选择性地设置于上述基极区表面。实施方式的半导体装置具备：第一栅电极，隔着第一绝缘膜设置于多个第一沟槽内，该第一沟槽从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触；场板电极，隔着第二绝缘膜在上述第一沟槽内设置于上述第一栅电极之下；第二栅电极，隔着第三绝缘膜设置于第二沟槽内，该第二沟槽在上述第一沟槽彼此之间从上述源极区的表面贯通上述基极区而与上述漂移层接触。实施方式的半导体装置具备：漏电极，与上述漏极层连接；源电极，与上述源极区和上述基极区连接。
半导体装置