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[发明专利]复合陶瓷粉末、密封材料以及复合陶瓷粉末的制造方法-CN201780029855.9有效
发明人：广濑将行;西川欣克;冈卓司 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C04B35/18 文献下载
摘要：本发明的复合陶瓷粉末的特征在于，包含β‑锂霞石或β‑石英固溶体作为主结晶析出的LAS系陶瓷粉末以及TiO2粉末和/或ZrO2粉末。
复合陶瓷粉末密封材料以及制造方法

[发明专利]密封材料-CN201780006250.8有效
发明人： 西川欣克;广濑将行 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C03C8/24 文献下载
摘要：本发明的密封材料用于密封金属材料，其特征在于，含有由碱硅酸盐玻璃形成的玻璃粉末70～100质量％和陶瓷粉末0～30质量％，30～380℃的温度范围内的线热膨胀系数大于100×10‑7/℃且为170×10‑7/℃以下。
密封材料

[发明专利]半导体元件覆盖用玻璃-CN201680032074.0在审
发明人： 西川欣克 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2016-05-24 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：提供一种将其覆盖到半导体元件上时能够抑制半导体元件的翘曲的半导体元件覆盖用玻璃。该半导体元件覆盖用玻璃的特征在于，作为玻璃组成，以质量％计含有ZnO 52～68％、B2O3 5～30％、SiO212.5～25％(其中，不包含12.5％)、Al2O3 0～3％(其中，不包含3％)和RO 0～6％(R是从Mg、Ca、Sr和Ba中选出的至少一种)，并且，实质上不含有碱金属成分、铅成分。
半导体元件覆盖玻璃

[发明专利]半导体元件包覆用玻璃-CN201580048466.1在审
发明人： 西川欣克 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C03C3/066 文献下载
摘要：本发明提供一种对环境造成的负担小、并且表面电荷密度大的半导体元件包覆用玻璃。本发明的半导体元件包覆用玻璃的特征在于，以质量％计，含有ZnO 50～62％(其中，不包括62％)、B2O3 19～28％、SiO2 8～15％(其中，不包括8％)和Al2O3 3～12％，且实质上不含有碱金属成分、铅成分、Bi2O3、Sb2O3及As2O3。
半导体元件包覆用玻璃

[发明专利]半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料-CN201510366918.2在审
发明人： 西川欣克 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述(1)或(2)中的任一种。下述(2)的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。(1)以质量％计，含有ZnO 50～65％、B₂O₃ 19～28％、SiO₂ 7～15％、Al₂O₃ 3～12％、Bi₂O₃ 0.1～5％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；(2)以质量％计，含有ZnO 40～60％、B₂O₃ 5～25％、SiO₂ 15～35％、Al₂O₃ 3～12％的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。
半导体覆盖玻璃使用形成用材

[发明专利]半导体元件包覆用玻璃-CN201280040871.5在审
发明人： 西川欣克 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2012-08-14 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种对环境的负荷小、化学耐久性优异且表面电荷密度低、特别适用于包覆低耐压用半导体元件的玻璃，其特征在于，作为玻璃组成，以质量%计，含有ZnO52～65%、B₂O₃5～20%、SiO₂15～35%和Al₂O₃3～6%，并且实质上不含铅成分，且优选为作为组成还含有Ta₂O₅0～5%、MnO₂0～5%、Nb₂O₅0～5%、CeO₂0～3%及Sb₂O₃。
半导体元件包覆用玻璃

[实用新型]触摸传感器-CN201320465024.5有效
发明人： 西川欣克;早川智子 -专利权人：丰田纺织株式会社
申请日： 2013-07-31 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：提供一种能够在周期性的噪声多的环境中不受该噪声的影响地感测人体的接近或者接触的触摸传感器。触摸传感器具备：手指等人体接近或者接触的检测电极；测量电路，其测量与在检测电极处产生的静电电容对应的电气量；检测电路，其在由测量电路得到的测量值超过所设定的阈值时输出检测信号；第一计时电路，其对规定期间进行计时；第二计时电路，其在利用第一计时电路进行计时的期间，对从检测电路输出检测信号的时间的总时间进行计时；时间比较电路，其求出利用第一计时电路计时的规定期间与利用第二计时电路计时得到的总时间的比较值；以及值比较电路，其将利用时间比较电路求出的比较值与规定值进行比较。
触摸传感器

[发明专利]操作开关-CN201310201187.7无效
发明人：小牧慎一郎;村端宏史;西川欣克;花田直也 -专利权人：丰田纺织株式会社
申请日： 2013-05-27 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： B60N2/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种操作开关（10），其设置于车辆用座椅，其构成为具备：由可通电的线材构成且作为检测输入介质的接近/接触的接触式传感器而发挥作用的第一导电布（50）、设于该导电布下方且可吸收电磁波的第二导电布（52）、具有绝缘性且介于两个导电布之间的绝缘布（54）。通过这样构成，利用第二导电布（52）有效地吸收电磁波，可以防止作为接触式传感器而发挥作用的第一导电布（50）的误动作。
操作开关

[发明专利]触摸开关以及具备该触摸开关的车厢用照明装置-CN201210371309.2有效
发明人： 西川欣克;花田直也 -专利权人：丰田纺织株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：提供一种触摸开关以及具备该触摸开关的车厢用照明装置。本触摸开关具备：并排设置的两个以上的操作面；检测电极等，其设置于每个操作面，由形成在操作面或者其正下方的导电体的布线图案构成；以及控制部，其与各检测电极连接，通过各检测电极检测人体接近或者接触各操作面时所产生的静电容量的变化来进行开关动作。至少一个检测电极在与相邻操作面的边界附近部具有形成得比设置于相邻操作面的检测电极的布线图案稀疏的布线图案。由此，能够减小相邻的开关之间的误检测、意外的动作。
触摸开关以及具备车厢照明装置

[发明专利]半导体覆盖用玻璃和使用该玻璃形成的半导体覆盖用材料-CN201180007607.7有效
发明人： 西川欣克 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2011-01-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C03C8/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大的半导体覆盖用玻璃。本发明的半导体覆盖用玻璃的特征在于，为下述（1）或（2）中的任一种。下述（2）的半导体覆盖用玻璃，环境负荷小且半导体表面覆盖后的表面电荷密度大，且化学耐久性优异。（1）以质量%计，含有ZnO 50～65%、B2O3 19～28%、SiO2 7～15%、Al2O3 3～12%、Bi2O3 0.1～5%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃；（2）以质量%计，含有ZnO 40～60%、B2O35～25%、SiO2 15～35%、Al2O3 3～12%的组成，实质上不含铅成分的半导体覆盖用玻璃。
半导体覆盖玻璃使用形成用材

[发明专利]掺杂剂源及其制造方法-CN201110006524.8有效
发明人：马屋原芳夫;铃木良太;西川欣克;池边胜;森弘树;长谷川义德 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种耐热性高且B2O3挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO2为20～50摩尔％、Al2O3为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B2O3为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO2为30～60摩尔％、Al2O3为10～30摩尔％、B2O3为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO2为8～30摩尔％、Al2O3为50～85摩尔％、B2O3为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
掺杂及其制造方法

[发明专利]掺杂剂源及其制造方法-CN200880008599.6有效
发明人：马屋原芳夫;铃木良太;西川欣克;池边胜;森弘树;长谷川义德 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2008-10-28 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：本发明提供一种耐热性高且B₂O₃挥发量多的掺杂剂源，并且提供一种材质均匀、在每次使用时挥发的硼的量稳定、且廉价的半导体用硼掺杂材料。该掺杂剂源含有SiO₂为20～50摩尔％、Al₂O₃为30～60摩尔％(其中不包括30摩尔％)、B₂O₃为10～40摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，或者，该掺杂剂源由包括硼成分挥发层和耐热层的叠层体构成，该硼成分挥发层含有SiO₂为30～60摩尔％、Al₂O₃为10～30摩尔％、B₂O₃为15～50摩尔％、RO(R是碱土金属)为2～10摩尔％的组成，该耐热层含有SiO₂为8～30摩尔％、Al₂O₃为50～85摩尔％、B₂O₃为5～20摩尔％、RO(R是碱土金属)为0.5～7摩尔％的组成。该半导体用硼掺杂材料的制造方法包括：使含有含硼结晶性玻璃粉末的原料粉末浆料化的工序；使得到的浆料成型，得到生片的工序；和对生片进行烧结的工序。
掺杂及其制造方法

[发明专利]电介质形成用玻璃及等离子体显示板用电介质形成材料-CN200410059552.6无效
发明人：大下浩之;西川欣克;福谦和 -专利权人：日本电气硝子株式会社
申请日： 2004-05-21 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： C03C3/066 文献下载
摘要：等离子体显示板电介质形成用玻璃，其特征在于，作为必须成分至少含有Bi₂O₃、ZnO、CaO和Sb₂O₃，按质量百分率计含有Bi₂O₃ 35～70％、ZnO 0.5～25％、CaO 1～15％、Sb₂O₃ 0.01～10％。
电介质形成玻璃等离子体显示用电介质材料

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