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[发明专利]生成存储器地址数据的方法、计算机可读存储介质及设备-CN202010423910.6有效
发明人：龙光腾;张利霞;褚银焕 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：本公开是关于一种生成存储器地址数据的方法、计算机可读存储介质与计算机设备，该生成存储器地址数据的方法包括：预设物理地址与行、列以及库之间的映射关系，确定所述行、列及库对应所述物理地址的位；取预设数量的值作为设定数据，所述预设数量与存储器的信号地址线数量相同；获取命令真值表，所述命令真值表用于定义所述物理地址的位与命令的关系；根据所述命令真值表与所述设定数据确定所述行、列及库的值；根据所述行、列及库的值与所述映射关系，生成地址数据。本公开提供的生成存储器的地址数据的方法，能够对CA信号实现精准控制，提高存储器的训练、测试及验证等结果的可靠性。
生成存储器地址数据方法计算机可读存储介质设备

[发明专利]一种SDRAM私有数据的读写方法-CN202210035255.6在审
发明人： 褚银焕;刘源恒;张健;李明伟;许小锋 -专利权人：超存极光（上海）半导体有限公司
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G11C11/4096 文献下载
摘要：本发明公开了一种SDRAM私有数据的读写方法，包括以下步骤：（1）根据需求改造MR，首先选择可读可写的MR，优选有取值范围的；（2）根据MR寄存器特性设置相应的读写流程，操作流程的基本包格式如下：所有的读写操作均进行三次写操作：首先确定操作类型(读/写)，其次所操作的数据地址，再次确定本次要读写的数据长度，最后是要读写的内容；（3）所有对私有数据的操作均不影响MR原本值，如原来是0xAA，结束后仍是0xAA。有益效果：本发明通过改造MR来达到私有数据的读写，实现在任意一种内存控制器上读取或写入私有数据，改造MR达到私有数据的读写。
一种 sdram 私有数据读写方法

[发明专利]一种基于无机半导体电子传输材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法-CN201810825834.4在审
发明人：蔡宏琨;邢志雪;张建军;倪牮;杜阳阳;褚银焕 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及将光转化为电能的光伏器件，特指无机半导体电子传输材料的钙钛矿太阳电池，所述方法包括：在透明导电玻璃上沉积非晶硅薄膜材料，然后旋涂PCBM界面修饰层，之后旋涂钙钛矿吸光材料，之后旋涂Spiro‑OMeTAD材料作为空穴传输层，最后蒸镀金属电极。本发明的优点在于：N型非晶硅作为钙钛矿电池的电子传输层，其带隙可以通过掺杂浓度调控，可以很好的与钙钛矿材料实现能级匹配；低温制备使其更适用于柔性衬底钙钛矿太阳电池；真空法制备薄膜的均匀性和可重复性是旋涂法不能比拟的。PCBM界面修饰层可以改善非晶硅薄膜/钙钛矿界面能级匹配、输运电子和阻挡空穴，从而可以减少光生载流子在电子传输层与吸收层界面处的复合，最终提高太阳电池转换效率。
钙钛矿旋涂电子传输材料电子传输层无机半导体界面修饰匹配沉积非晶硅薄膜透明导电玻璃空穴能级法制备薄膜非晶硅薄膜钙钛矿材料光生载流子空穴传输层低温制备光伏器件界面能级金属电极可重复性浓度调控吸光材料转换效率界面处均匀性吸收层旋涂法衬底带隙输运蒸镀制备掺杂电池复合阻挡转化

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