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[发明专利]半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法-CN202210568035.X在审
发明人： 裵炳郁;崔殷硕 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：提供了半导体存储器装置及制造半导体存储器装置的方法。该半导体存储器装置包括：栅极层叠物，其包括交替层叠的多个第一层间绝缘图案和多个导电图案；虚设层叠物，其包括多个第二层间绝缘图案和多个牺牲绝缘层；多个阶梯状凹槽，其限定在栅极层叠物中的不同深度处；多个开口，其穿过虚设层叠物且彼此间隔开；第一间隙填充绝缘图案，其填充多个阶梯状凹槽；第二间隙填充绝缘图案，其填充多个开口；多个导电栅极接触件，其穿过第一间隙填充绝缘图案并连接到多个导电图案；以及多个导电外围电路接触件，其穿过第二间隙填充绝缘图案。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法-CN202210047812.6在审
发明人： 裵炳郁 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。一种半导体存储器装置包括：位线；公共源极图案，其位于位线上方；沟道层，其与公共源极图案接触，该沟道层朝向位线延伸；填充绝缘层，其设置于位线和公共源极图案之间，该填充绝缘层围绕沟道层的第一部分。该半导体存储器装置还包括栅极层叠结构，其设置于位线和填充绝缘层之间，该栅极层叠结构围绕沟道层的第二部分。该半导体存储器装置还包括：第一蚀刻停止图案，其位于填充绝缘层的侧壁上；第二蚀刻停止图案，其位于第一蚀刻停止图案和填充绝缘层之间；以及存储器图案，其位于栅极层叠结构和沟道层之间。
半导体存储器装置制造方法