专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种照明检修马道用的照明装置-CN202222014321.X有效
  • 袁宏韬;卢勇;梁永涛;孙锋;尹巍;李伟 - 华能巢湖发电有限责任公司
  • 2022-07-29 - 2022-11-29 - F21S8/00
  • 本实用新型公开了一种照明检修马道用的照明装置,包括装配座,装配座底部安装有照明结构,照明结构上套装有喷水结构;照明结构包含有:罩体、两个连接组件、电源座、灯条、若干LED灯、导热层、聚光套、两个连接板以及防护罩本实用新型涉及检修马道用照明装置技术领域,该一种照明检修马道用的照明装置,解决了现有技术中,在进行施工时,检修马道内部需要利用照明装置对其进行,但是在不容易对明火等情况做出有效的应对方法,会导致大规模爆炸,造成严重的经济损失,影响施工人员的生命安全,并且现有的照明结构散热效果差,容易发生危险等问题。
  • 一种照明检修马道装置
  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200910195864.2有效
  • 袁宏韬;李敏 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2009-09-17 - 2011-04-20 - H01L21/762
  • 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的形成方法:在半导体衬底上依次形成垫氧化层和刻蚀终止层;依次刻蚀刻蚀终止层、垫氧化层以及半导体衬底,形成浅沟槽;在浅沟槽内表面形成衬氧化层;在浅沟槽内的衬氧化层及刻蚀终止层表面形成前层沟槽氧化物;在所述前层沟槽氧化物表面沉积第一顶层沟槽氧化物;在所述第一顶层沟槽氧化物表面进行过渡沉积沟槽氧化物,所述过渡沉积沟槽氧化物时的沉积速率大于第一顶层沟槽氧化物的沉积速率,并且小于第二顶层沟槽氧化物的沉积速率;在所述过渡沉积的沟槽氧化物表面沉积第二顶层沟槽氧化物;平坦化所填充的沟槽氧化物至显露出刻蚀终止层,并去除刻蚀终止层和垫氧化层。该方法有效降低颗粒缺陷。
  • 沟槽隔离结构形成方法

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