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[发明专利]一种带裙齿的微半球陀螺仪谐振结构加工方法及装置-CN202310980037.4有效
发明人： 虢晓双;隆祖亿;周军雷;刘卓;赵文达;沈婷;李靖;杨有清 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2023-08-07 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： B23P23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带裙齿的微半球陀螺仪谐振结构加工方法及装置，本发明的加工方法包括在谐振结构上利用飞秒激光按照给定间距点击加工出裙齿的轮廓点阵列；将谐振结构在腐蚀槽中进行超声化学刻蚀将裙齿的结构完全释放出来；本发明的装置包括激光加工单元和用于固定谐振结构的治具组件，包括用于对谐振结构激光加工的贴片工装以及用于腐蚀作业的腐蚀夹具。本发明能够有效避免传统激光直接切割产生的微裂纹等表面损伤问题，改善微半球陀螺仪Q值、阻尼均匀性；具有整体结构加工对称性更好、可批量加工处理的优点，可有效解决激光切割垂直加工较难问题，实现垂直成型加工，可进一步缩小加工间隙，增大器件工作电容面积，提高微半球陀螺仪灵敏度。
一种带裙齿半球陀螺仪谐振结构加工方法装置

[发明专利]一种全对称熔融石英结构吹制模具及制备方法-CN202310163771.1在审
发明人： 虢晓双;刘卓;彭健;赵文达;周军雷;李帅师;谢钟鸣 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种全对称熔融石英结构吹制模具及制备方法，本发明的全对称熔融石英结构吹制模具，包括采用石墨制成且中部设有熔融石英结构吹制结构体的模具本体，所述模具本体的表面上设有碳化硅膜。本发明全对称熔融石英结构吹制模具的制备方法包括：将石墨棒切割为石墨坯体；对石墨坯体进行机械粗加工以完成结构成型；将完成结构成型后的石墨坯体清洗后，在正面形成碳化硅膜；对带有碳化硅膜的石墨坯体进行机械精加工；对石墨坯体进行抛光，得到制备好的全对称熔融石英结构吹制模具。本发明旨在显著提高熔融石英全对称结构吹制产品一致性、可靠性，同时极大延长吹制模具使用寿命，大幅度降低生产成本、改善生产效率。
一种对称熔融石英结构模具制备方法

[发明专利]一种平面电极微半球谐振陀螺装配夹具及批量化装配方法-CN202210609791.2在审
发明人：卢坤;肖定邦;吴学忠;石岩;席翔;吴宇列;虢晓双;王北镇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01C19/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面电极微半球谐振陀螺装配夹具及批量化装配方法，该夹具包括基底、水平定位片与施力控制板，基底顶部具有沉槽，沉槽的槽底设有若干电极装配槽；水平定位片嵌入沉槽且具有若干限位孔；施力控制板的一部分嵌入沉槽且与水平定位片之间具有间隙，施力控制板的另一部分可拆卸地扣接在基底顶部，且施力控制板的底部设有若干限位槽。本发明应用于微机电系统制造领域，其在装配过程中可同时抑制微半球谐振陀螺电容间隙水平误差与纵向误差，提高陀螺的装配精度；并且实现微半球谐振陀螺的批量化装配，提高陀螺的装配效率，可显著提升微半球谐振陀螺的装配精度与强度，提升微半球谐振陀螺的抗冲击性与稳定性。
一种平面极微半球谐振陀螺装配夹具批量化装配方

[发明专利]一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法-CN202210211524.X在审
发明人： 虢晓双;王北镇;严铖;朱建强;熊亮;周军雷;杨靖;张新凯;黎傲雪 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种高过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法，本发明的高过载扭摆式硅微加速度计包括SOI电极结构层和硅敏感结构，SOI电极结构层上设有三个静电电容区域及对应的引线盘，硅敏感结构包括质量块及其中部刻蚀形成的键合块和支撑梁，质量块两侧质量不同且与三个静电电容区域相对间隙布置形成平面电容结构，键合块通过支撑梁与质量块相连，键合块与SOI电极结构层之间通过键合锚点键合连接使得键合块与SOI电极结构层两者的键合平面悬空布置。本发明能极大程度减小晶圆级键合应力，提高硅微加速度计抗过载能力，保障了产品的使用寿命和长期可靠性，能提高硅敏感结构与电极层之间键合平整度，改善电容间隙一致性，加工精度更高。
一种过载扭摆式硅微加速度计及其制备方法

[发明专利]一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法-CN202210018515.9在审
发明人：侯占强;吴学忠;肖定邦;李青松;席翔;张勇猛;刘高;单恒;苗桐侨;虢晓双;王北镇 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗高过载硅敏感单元、微加速度计及其制备方法，硅敏感单元包括外框、复合梁结构与质量块组件；复合梁结构包含梁应力释放结构、敏感梁和位移限制梁，梁应力释放结构的两侧通过敏感梁与外框相连、两端通过位移限制梁与外框相连；两个敏感梁、两个位移限制梁以梁应力释放结构为中心呈十字对称结构位于质量块组件间隔的镂空槽内；外框包含缓冲止挡结构。本发明应用于硅微传感器技术领域，增设位移限制梁与缓冲止挡结构，在不影响微加速度计工作模态下，位移限制梁可以在微加速度计受到冲击时提升敏感梁的刚度和整个敏感单元的刚性，外框上的缓冲止挡结构可在质量块与外框产生碰撞时进行阻挡与缓冲保护，提高了微加速度计抗过载性能。
一种过载敏感单元加速度计及其制备方法

[发明专利]防眩光玻璃的制备方法-CN201910426738.7有效
发明人：胡云慧;杨红斌;隆祖亿;虢晓双;刘印;徐行 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C03C17/09 文献下载
摘要：本发明公开了一种防眩光玻璃的制备方法，包括如下步骤：S1、在清洗干净的玻璃基底表面溅射一层金属薄膜；S2、在镀膜的玻璃基底上形成一层图形化的光刻胶层；S3、以图形化的光刻胶层为掩膜，通过湿法腐蚀对金属薄膜进行刻蚀，待刻蚀完成后，去除图形化的光刻胶层，即得防眩光玻璃。本发明制备出的防眩光玻璃保留了原材料的基本物理性质，表面微米级的有序金属粒可以有效地降低产品的光反射率，因此具有高透光度、低反射率，制备过程简易可控，安全环保，同时，可以通过改变光刻掩膜板上的图形，得到不同形貌的防眩光表面。
眩光玻璃制备方法

[发明专利]MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法-CN202111410996.X在审
发明人：肖定邦;侯占强;吴学忠;邝云斌;虢晓双;王北镇;张勇猛;李青松;席翔;蹇敦想;马成虎;谢钟鸣 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学;湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS传感器芯片封装应力隔离结构、MEMS传感器及制备方法，包括外围支撑框架以及位于外围支撑框架内的应力隔离质量块，所述外围支撑框架和应力隔离支撑块之间通过支撑悬臂梁连接，外围支撑框架、应力隔离质量块以及支撑悬臂梁均位于同一平面上，所述外围支撑框架和应力隔离质量块上分别设有用于与MEMS传感器芯片或封装基座相连的多个贴片凸起。本发明能够有效隔离贴片应力或焊接应力影响，并且可兼容集成电路加工工艺、降低传感器芯片贴片应力、体积小、加工成本点、可批量加工等特点，可广泛应用于MEMS陀螺仪和加速度计等惯性传感器芯片集成封装。
mems 传感器芯片封装应力隔离结构制备方法

[发明专利]MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法-CN202111410997.4在审
发明人：肖定邦;侯占强;吴学忠;邝云斌;虢晓双;王北镇;张勇猛;李青松;席翔;蹇敦想;马成虎;谢钟鸣 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学;湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS传感器芯片封装结构、MEMS传感器及制备方法，包括外围支撑框架和应力隔离质量块，所述外围支撑框架内设置有支撑悬板，所述支撑悬板与外围支撑框架连接且外围支撑框架与支撑悬板在同一平面上，应力隔离质量块设置在所述支撑悬板的上表面上，所述外围支撑框架和应力隔离质量块上分别设有用于与MEMS传感器芯片或封装基座相连的多个贴片凸起。本发明能够有效隔离贴片应力或焊接应力影响，并且可兼容集成电路加工工艺、降低传感器芯片贴片应力、体积小、加工成本低、可批量加工等特点，可广泛应用于MEMS陀螺仪和加速度计等惯性传感器芯片集成封装。
mems 传感器芯片封装结构制备方法

[实用新型]一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器-CN202121621591.6有效
发明人： 虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组以及MEMS传感器，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本实用新型无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。
一种 mems 惯性传感器芯片模组以及

[发明专利]一种防眩光玻璃的制备方法-CN201910426741.9有效
发明人：胡云慧;杨红斌;刘印;虢晓双;隆祖亿;彭传才 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种防眩光玻璃的制备方法，包括：S1、在玻璃基底的结构面上形成图形化的第一光刻胶层；S2、以第一光刻胶层为掩膜，通过第一湿法腐蚀将玻璃基底刻蚀至给定深度；S3、除去第一光刻胶层，得到结构面具有凸起阵列的玻璃基底；S4、在玻璃基底的结构面上形成图形化的第二光刻胶层；S5、以第二光刻胶层为掩膜，对玻璃基底进行第二湿法腐蚀，在玻璃基底结构面上形成凹槽阵列；S6、将经第二湿法腐蚀的玻璃基底进行清洗，并去除第二光刻胶层，即得防眩光玻璃。本方法简单可控、工艺稳定性好，制备的防眩光玻璃表面微观平整度好、透光率高、反射率低、光泽度高、性能参数稳定、且拥有等同于玻璃材料的良好性能。
一种眩光玻璃制备方法

[发明专利]一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法-CN202110806106.0在审
发明人： 虢晓双;杨靖;张新凯;熊亮;黎傲雪;彭健 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS惯性传感器芯片模组及其制备方法，本发明MEMS惯性传感器芯片模组，包括壳体，所述壳体分别固定有PCB板和金属支撑柱，所述金属支撑柱上支承有MEMS惯性传感器芯片组件，所述MEMS惯性传感器芯片组件上的连接端子通过金属线与PCB板上的连接端子相互连接。本发明无需一级封装工艺，大幅度降低封装及集成成本，缩小集成体积，避免了表面安装涉入的热应力，也能实现快速热传导，可保有MEMS惯性传感器芯片级各项性能指标，能够改善现有技术对MEMS惯性传感器芯片的应用限制，避免一级封装或二级封装热应力的对系统集成应用的影响。
一种 mems 惯性传感器芯片模组及其制备方法

[实用新型]一种全量程真空计-CN202021059201.6有效
发明人：肖定邦;吴学忠;侯占强;王呈祥;邝云斌;徐强;陈志华;虢晓双 -专利权人：中国人民解放军国防科技大学;湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G01L21/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种全量程真空计。所述真空计包括：敏感模块、控制模块以及数据处理模块；敏感模块包括多个尺寸互异的敏感单元；控制模块与敏感单元连接；敏感单元通过多个测试模态和多个尺寸互异的敏感单元进行真空测量；数据处理模块持续采集敏感单元在不同测试模态下的输出参数，根据输出参数计算测试环境的实际压力值。采用本方法能够实现真空度的全量程测量。
一种量程真空计

[发明专利]一种轴对称硅微机械陀螺敏感结构及其制造方法-CN201711173188.X有效
发明人：朱新建;马格林;张旭;虢晓双 -专利权人：湖南天羿领航科技有限公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：本发明公开了一种轴对称硅微机械陀螺敏感结构及其制造方法，敏感结构包括两侧设有键合锚点的弹性框架，弹性框架上设有轴对称的通孔区域且其对称轴线处设有“H”型支撑梁，“H”型支撑梁的两侧各设有两个轴对称的两个敏感质量块，且敏感质量块布置于通孔区域内且一侧通过联接梁与“H”型支撑梁相连；制造方法包括采用干湿结合在单个硅片上制备敏感结构。本发明的轴对称硅微机械陀螺敏感结构实现了结构的完全轴对称分布，降低结构损耗，减小应力集中，降低运动耦合，提高结构的机械灵敏度；本发明制造方法具有加工工艺简单、加工质量高、结构鲁棒性好、稳定性好、应用范围广等优点。
一种轴对称微机陀螺敏感结构及其制造方法

[发明专利]深硅刻蚀方法-CN201410042467.2有效
发明人：郭子超;虢晓双;张旭;肖定邦;张欢;侯占强;吴光跃;吴学忠 -专利权人：北京华力创通科技股份有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及硅片刻蚀领域，具体而言，涉及深硅刻蚀方法及其装置。该深硅刻蚀方法，包括如下步骤将腐蚀溶液置于水浴中加热至预定温度，并通过磁力搅拌器对所述腐蚀溶液进行搅拌，使所述腐蚀溶液内部温度均匀；将带有掩膜的硅片竖直置于所述腐蚀溶液中腐蚀；将腐蚀好的硅片用去离子水清洗并经氮气吹干，得到成品硅片。本发明提供的深硅刻蚀方法及其装置，与现有技术相比，使刻蚀出的硅片的结构、图形、尺寸一致。
刻蚀方法

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