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[发明专利]氮化物晶体-CN201811400336.1在审
发明人：藤仓序章;今野泰一郎;铃木贵征;北村寿朗;藤本哲尔;吉田丈洋 -专利权人：赛奥科思有限公司;住友化学株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物晶体。本发明的课题在于，提高III族氮化物的晶体的品质，提高使用该晶体而制造的半导体设备的性能、成品率。本发明的解决手段是提供一种氮化物晶体，其是用In
氮化物晶体纳米压痕法测定半导体设备最大载荷成品率晶体的组成式制造

[发明专利]发光元件-CN201010236813.2无效
发明人： 藤本哲尔;饭塚和幸;渡边优洋;秋元克弥 -专利权人：日立电线株式会社
申请日： 2010-07-23 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，其发光效率高并且可靠性高。本发明的发光元件(1)具备：具有第1导电型的第1半导体层、与第1导电型不同的第2导电型的第2半导体层、夹入于第1半导体层和第2半导体层的活性层(100)的发光层(10)，设置于发光层(10)的一个表面侧并反射活性层(100)所发出的光的反射层(120)，在反射层(120)的发光层(10)侧的相反侧通过接合层(200)而支撑发光层(10)的支撑衬底(20)，设置于反射层(120)的一部分并将反射层(120)和发光层(10)电连接的欧姆接触部(135)，在发光层(10)的另一个表面侧和发光层(10)的侧面分别形成的凹凸部(140)，覆盖发光层(10)的另一个表面的凹凸部(140)和发光层(10)的侧面的凹凸部(140)的绝缘膜(150)。
发光元件