专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法-CN201610023479.X有效
  • 闫宗楷;向勇;李光;崔宇星;蒋赵联 - 电子科技大学
  • 2016-01-14 - 2020-04-28 - C23C18/00
  • 本发明涉及一种高通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及制备方法,包括温控箱,温控箱内设有支撑架,支撑架上设有废液池,废液池的竖直上方设有反应池,反应池的底部设有池底排液口,池底排液口处设有排液速度控制器,反应池的竖直上方设有溶液池,溶液池的底部设有加液口,加液口处设有加液速度控制器,反应池的竖直上方设有垂直提升器,垂直提升器通过提升线固定连接有夹具,还包括检测装置。本发明可用于包含稀土元素等在大气环境下不稳定、其氧化物又不宜制成靶材的材料的高通量组合材料芯片的制备;反应过程温度较低,通过控制反应溶液温度进一步降低基底温度,防止制备过程中基底温度过高生成中间化合物,阻止扩散的进一步进行。
  • 一种通量湿法化学组合材料芯片制备装置以及方法
  • [发明专利]一种多层纳米膜及其制备方法、一种锂电池-CN201911134249.0在审
  • 向勇;黄楷;伍芳;蒋赵联;张晓琨 - 电子科技大学
  • 2019-11-19 - 2020-03-06 - H01M2/02
  • 本发明涉及一种多层纳米膜的制备方法,其包括以下步骤:步骤S1,提供水滑石纳米片前驱体及聚合物溶液,并将水滑石纳米片前驱体分散于聚合物溶液中,以形成第一溶液;步骤S2,提供亲水性滤膜;步骤S3,利用第一溶液在亲水性滤膜上通过自组装的方式形成复合薄膜;步骤S4,利用所述复合薄膜以制备获得所述多层纳米膜。一种多层纳米膜,所述多层纳米膜包括防水基材与阻氧性复合薄膜,所述阻氧性复合薄膜贴附于所述防水基材上。一种锂电池,其包括电芯与封装材料,所述电芯收纳于所述封装材料内,所述封装材料为多层纳米膜。
  • 一种多层纳米及其制备方法锂电池
  • [发明专利]高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置-CN201610711985.8有效
  • 闫宗楷;向勇;彭志;蒋赵联;李响 - 电子科技大学
  • 2016-08-23 - 2019-05-21 - C23C14/30
  • 本发明涉及一种高通量组合材料芯片制备装置,其包括制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组,多个分立掩模以及一连续掩模;原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间;原料输出装置用于在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时,向所述蒸发模组定量供应原料;所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气,所述蒸气通过所述分立掩模和/或连续掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。本发明还涉及采用如上所述制备装置的高通量组合材料芯片制备方法,及采用该制备方法制备的高通量组合材料芯片。高通量组合材料芯片制备装置可不破坏工作气压,对蒸发模组补充原料,可提高芯片制备效率。
  • 通量组合材料芯片及其制备方法装置
  • [发明专利]一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置-CN201710256926.0在审
  • 向勇;刘雯;闫宗楷;彭志;蒋赵联;吴露 - 电子科技大学
  • 2017-04-19 - 2017-09-08 - C23C14/35
  • 本发明涉及真空镀膜技术领域,具体为一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置,包括溅射腔、腔门、手套箱和过渡腔。本发明通过多个可独立调节的伸缩支架,实现待渡基片的角度连续变化。再运用手套箱的配置,通过溅射腔、手套箱和过渡腔的两两连接,使得在更换基片和靶材的过程中,磁控溅射装置的工作气氛保持稳定,不破坏溅射腔的真空度,避免了再次抽真空操作,提高了工作效率。本发明装置能完成水平状态和连续倾斜角度的磁控溅射镀膜;不破坏真空条件下的待镀基片更换,实现效率的提升;待镀基片可加热,增加了实验可变参数;外接设备手套箱,实现惰性气体条件下的靶材更换。
  • 一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置

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