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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]接触窗开口的制造方法-CN200610005889.8无效
  • 陈高惇;萧立东 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2006-01-19 - 2007-07-25 - H01L21/311
  • 一种接触窗开口的制造方法。首先于基底上形成一层掩模层，再于掩模层中沿两个方向分别形成多个沟槽。此两个方向互相交错。沟槽的深度不大于掩模层的厚度，但于沟槽与沟槽交错处的掩模层会形成开口，此开口暴露基底。移除开口所暴露的部分基底，以在基底中形成接触窗开口。在光刻工艺中，由于形成线状图案较形成点状图案容易控制，因此可精确地掌控接触窗开口的尺寸。
  • 接触开口制造方法
  • [发明专利]光掩模图案的校正方法及其形成方法-CN200510107021.4无效
  • 萧立东 - 力晶半导体股份有限公司
  • 2005-09-27 - 2007-04-04 - G03F1/00
  • 一种光掩模图案的校正方法，其先提供已根据一原始绘图数据形成有多个原始图案的测试光掩模。然后，将测试光掩模上的原始图案转移至第一光致抗蚀剂层，以对应形成多个第一显影后图案，并量测其第一尺寸。接着，对第一显影后图案进行图案微缩工艺，以对应形成多个第一微缩后图案，并量测其第二尺寸。继之，计算第一尺寸与第二尺寸的偏差值，并收集原始绘图数据、第一尺寸、第二尺寸及偏差值以得到一数据库。随后，利用数据库的数据以建立光学邻近效应修正模型。接着，根据光学邻近效应修正模型对原始绘图数据进行校正，以得到校正后绘图数据。
  • 光掩模图案校正方法及其形成
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  • 共 4 条
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