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[发明专利]基于多爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量方法-CN201310072379.2有效
发明人： 范亚娜;刘涛;程志光;王晓燕;刘兰荣;赵志刚 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2013-03-07 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量方法，属于电磁测量技术领域。技术方案是：采用三种尺寸的爱泼斯坦（Epstein）方圈模型进行同一组被测电工钢片样品的总损耗测量；根据二级加权平均法，分别对两组爱泼斯坦方圈进行有效磁路长度的求解计算，最终得到不同磁密下对应的不同的磁路长度；同时，利用二级加权平均法实现比总损耗的计算。本发明的有益效果是：除被测电工钢片样品外，其它构件制作材料均为非铁磁材料，排除了试件之外铁磁材料对测量结果的影响；本发明可用于各种牌号电工钢片比总损耗测量，用于爱泼斯坦（Epstein）方圈有效磁路长度、变压器、电机类产品的损耗分析。
基于多爱泼斯坦电工钢片损耗测量方法

[实用新型]一种模拟变压器油箱内部结构件温升的测量定位装置-CN201220732781.X有效
发明人：刘涛;王晓燕;侯建江;范亚娜;刘兰荣;李杰 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： G01K7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种模拟变压器油箱内部结构件温升的测量定位装置，属于电磁测量设备技术领域。技术方案是：包含线圈（1）、油箱（2）、定位支架（3）和结构件（4），所述线圈（1）固定设置在定位支架（3）的上部，二者一起设置在油箱（2）的内部，所述结构件（4）设置在定位支架（3）的侧面。本实用新型的有益效果是：降低了线圈的温升，使因大电流激励下长时间工作的线圈不至于过热而损坏绝缘结构。模拟出了变压器油箱内的工作条件，在此条件下测量出的结构件温升，有更好的参考及指导性。准确定位了需要测量的结构件，避免了因结构件定位不准而带来的测量误差。
一种模拟变压器油箱内部结构件测量定位装置

[发明专利]一种基于WEBGIS的规划电网可视化展示方法-CN201210479313.0有效
发明人：陶向红;李明;陈向宜;肖静;郅治;范亚娜;刘燕嘉 -专利权人：中国电力科学研究院;国家电网公司;四川电力科学研究院
申请日： 2012-11-22 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种基于WEBGIS的规划电网可视化展示方法，包括以下步骤：加载背景地图信息；读取电网规划数据库中的电网设备参数，自动生成规划电网地理接线图；标注电网设备信息；打开运行方式数据库，绘制选定运行方式的电网地理接线图；标注选定运行方式的设备状态信息及选定运行方式的潮流计算结果。本发明利用WEBGIS在地理背景图上实现规划中的厂站和线路坐标设置功能，即通过WEBGIS直观地在背景地图上进行规划厂站和规划线路的坐标编辑，在地理背景图上进行规划方案中的地理接线图标注功能，即将数据库中的特定信息标注在地理接线图上。该方法简单可靠，易执行。
一种基于 webgis 规划电网可视化展示方法

[发明专利]一种测量变压器产品上硅钢片性能的模型及方法-CN201210578143.1无效
发明人：侯建江;刘兰荣;范亚娜;刘涛;赵志刚;李杰 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种测量变压器产品上硅钢片性能的模型及方法，属于变压器材料模拟、电磁场应用技术领域。技术方案是：使用类似爱泼斯坦方圈式的空心线圈结构，填充硅钢片，对不同叠积形式的硅钢片性能进行测量。改变四个角部施加压紧力的大小，考察压紧力对硅钢片组成的铁心结构的影响。应用变频电源，对不同的结构进行不同频率下的磁性能测量；用温控设备对该铁心结构完成不同温度下的磁性能测量。用两个磁路长度不同，宽度相同的模型，完成各种测量工况对角部搭接、步进搭接或对接接缝影响程度的大小。本发明的测量方法，能够在一个模型上完成绝大多数硅钢片磁性能研究，便于在实验室内完成对变压器结构与材料磁性能的集中、深入研究。
一种测量变压器产品硅钢片性能模型方法

[实用新型]基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统-CN201120553702.4有效
发明人：程志光;王晓燕;范亚娜;刘兰荣;刘涛;侯建江 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于双爱泼斯坦方圈的电工钢片比总损耗测量系统，属于电磁测量技术领域。技术方案是：包含砝码盒、防护罩、样品支架、被测样品盒、励磁绕组、托板和线圈支架，励磁绕组（5）固定在线圈支架（7）上，线圈支架固定在托板（6）上，被测样品盒（4）放置在线圈支架的内部，样品支架（3）和被测样品盒上方放置防护罩（2），托板的四个角内嵌砝码盒（1），放置砝码。本实用新型分别测量两个方圈被测样品的总损耗，通过做差再与相应部分被测样品的质量相除，得到被测样品的比总损耗，解决了现有爱泼斯坦方圈测量等效磁路难于确定对被测样品比总损耗测量造成影响的问题；可用于各种牌号电工钢片比总损耗测量，用于变压器、电机类产品的损耗分析。
基于双爱泼斯坦电工钢片损耗测量系统

[实用新型]磁通密度及构件损耗测量定位装置-CN201120553703.9有效
发明人：王晓燕;刘兰荣;刘涛;范亚娜;程志光;李杰 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-08-29 - 主分类号： G01R33/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁通密度及构件损耗测量定位装置，属于电磁测量技术领域。技术方案是包含四个结构件支架（12）、定位夹件、定位板和磁屏蔽，在四个结构件支架的顶部分别设置定位夹件（1、2、3、4），每个定位板分别与磁屏蔽一起设置在定位夹件上，定位板大小与磁屏蔽相同，在定位板的一面设有若干规则排列的槽，槽正好容纳高斯计探头进出。本实用新型的积极效果是：解决了构件损耗和磁通密度测量过程中，测量结果准确度较低，重复性较差的问题。尤其是在磁通密度测量上，可较大程度地提高测量准确度。另外，上述所有结构件均为非铁磁材料，避免了新加结构件后对原系统测量结果的影响。
密度构件损耗测量定位装置

[实用新型]基于漏磁通补偿的构件杂散损耗的测量装置-CN201120250191.9有效
发明人：刘兰荣;张卫;韩贵胜;王晓燕;范亚娜;石立新;刘涛;王亮 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于漏磁通补偿的构件杂散损耗的测量装置，属于电磁测量技术领域。技术方案是包含激励线圈（2）、补偿线圈（3）、功率分析仪（21）、变频电源（20）、被测结构件（1），激励线圈与补偿线圈结构尺寸和匝数以及导线规格完全相同，被测结构件结构尺寸大于激励线圈结构尺寸1.5倍以上。本实用新型的积极效果是：解决了线圈损耗和结构件损耗难以分离的问题，将补偿线圈放置在活动支架上，通过轮组件移动补偿线圈的位置，方便测量过程中补偿线圈位置调整；除被测结构件外，其它构件制作材料均为非铁磁材料，排除了试件之外铁磁材料对测量结果的影响。
基于漏磁通补偿构件损耗测量装置

[发明专利]基于漏磁通补偿的构件杂散损耗的测量方法及测量装置-CN201110198471.4有效
发明人：刘兰荣;张卫;韩贵胜;王晓燕;范亚娜;石立新;刘涛;王亮 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-07-15 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G01R21/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于漏磁通补偿的构件杂散损耗的测量方法及测量装置，属于电磁测量技术领域。技术方案是将功率分析仪串联在激励线圈侧，并利用功率分析仪采集激励线圈上的电压信号，测量激励线圈的损耗；测量线圈损耗时，将被测结构件拿掉，测量电路中只连接激励线圈和补偿线圈；测量线圈和结构件总损耗时，将补偿线圈从被测区域移开，只测量激励线圈和被测结构件的总损耗。本发明的积极效果是：解决了线圈损耗和结构件损耗难以分离的问题，将补偿线圈放置在活动支架上，通过轮组件移动补偿线圈的位置，方便测量过程中补偿线圈位置调整；除被测结构件外，其它构件制作材料均为非铁磁材料，排除了试件之外铁磁材料对测量结果的影响。
基于漏磁通补偿构件损耗测量方法测量装置

[发明专利]双铁心法分离铁心激磁伏安的方法-CN201110097303.6无效
发明人：刘兰荣;范亚娜;张俊杰;胡启凡;程志光;杜永;张献 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种双铁心法分离铁心激磁伏安的方法，属于变压器损耗的试验方法技术领域，技术方案是：采用两个铁心模型，将变压器铁心的空载激磁伏安进行分离。两个铁心实际上是变压器产品铁心的一级，做到材料相同，接缝形式相同，接缝气隙严加控制，尽量保持一致，片宽相同，但结构尺寸不同。以实际体积的形式表现了接缝区域，求取其激磁伏安，结果单位相同，可以推导确定变压器接缝区域激磁伏安的比例。采用双铁心法，可以分离铁心接缝处和正常叠片处消耗的激磁容量。研究接缝处消耗的激磁容量，分离出接缝容量占整个空载激磁容量的比例，为更直观、有效设计变压器空载性能参数奠定了基础，可以提高产品性能。
铁心分离激磁伏安方法

[发明专利]镜像法漏磁试验装置-CN201110097300.2无效
发明人：张俊杰;赵峰;刘兰荣;范亚娜;杜永;张献 -专利权人：保定天威集团有限公司
申请日： 2011-04-19 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G01N27/83 文献下载
摘要：本发明涉及一种镜像法漏磁试验装置，属于电磁场工程技术应用领域。技术方案是以开放磁回路的铁心线圈为基础，制作成双铁心双线圈对称结构，采用带有铁心的激励线圈产生强磁场可得到与大容量、特大容量的大型电力变压器、电抗器等电磁产品内部相当的漏磁场。并且可在一定范围内作为电磁产品通用磁场发生器，被试品可以是任何导磁材料，可更广泛的用于实验室内的实验和仿真对比。本发明采用双铁心镜像法，可将被试品的损耗分离。有利于研究不同种导磁材料及其组合结构的电磁、损耗性能。本发明可以提升产品电磁设计能力，自主创新，提高磁屏蔽的利用效率，达到节约成本，降低局部过热危害，降低产品的附加损耗。
镜像法漏磁试验装置

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