专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]寄生电感可调的功率模块结构-CN202021070812.0有效
  • 新居良英;刘乐;高崎哲;刘莉飞;苟文辉;黄洪剑;王庆凯;赵军涛 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2020-06-11 - 2021-02-02 - H02M7/00
  • 本实用新型公开了一种寄生电感可调的功率模块结构,本结构中DBC基板包括设于绝缘层两侧的第一铜板和第二铜板,第一铜板间隔划分为上桥区域和下桥区域,上桥功率器件和下桥功率器件分别设于上桥区域和下桥区域并且上桥功率器件的端子连接下桥区域、下桥功率器件的端子连接第二铜板,平滑电容两端分别连接上桥区域和第二铜板,内部电容至少为两个并且分别位于上桥区域两侧,内部电容的两端分别连接上桥区域和第二铜板,平滑电容两端构成功率模块输入端子,下桥区域构成电机连接相端子。本结构通过调整功率模块封装内部电气元件位置和参数,降低功率模块自身的寄生电感,避免浪涌电压对功率器件的损坏,从而提高电机控制器对电机控制的性能。
  • 寄生电感可调功率模块结构
  • [发明专利]基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构-CN201811632212.6有效
  • 赵国良;刘莉飞;苟文辉 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2018-12-29 - 2020-10-16 - H02M7/00
  • 本发明公开了一种基于IGBT并联均流的主回路拓扑结构,本拓扑结构包括大功率主薄膜电容模块、直流母排、三相IGBT并联半桥组件、三相输出铜排,大功率主薄膜电容模块连接直流母排,三相IGBT并联半桥组件输入端连接直流母排、输出端连接三相输出铜排,三相输出铜排连接电机三相端子,本拓扑结构还包括三个辅助薄膜电容,直流母排叠层布置,三个辅助薄膜电容布置于三相IGBT并联半桥组件输出侧并且分别连接直流母排,三相IGBT并联半桥组件布置于大功率主薄膜电容模块与三个辅助薄膜电容之间。本结构克服由于主回路杂散电感和阻抗的不均衡对并联IGBT均流的影响,有效提高IGBT并联的均流特性,提升并联IGBT的使用寿命。
  • 基于igbt并联回路拓扑结构
  • [发明专利]寄生电感可调的功率模块结构-CN202010530940.7在审
  • 新居良英;刘乐;高崎哲;刘莉飞;苟文辉;黄洪剑;王庆凯;赵军涛 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2020-06-11 - 2020-09-08 - H02M7/00
  • 本发明公开了一种寄生电感可调的功率模块结构,本结构中DBC基板包括设于绝缘层两侧的第一铜板和第二铜板,第一铜板间隔划分为上桥区域和下桥区域,上桥功率器件和下桥功率器件分别设于上桥区域和下桥区域并且上桥功率器件的端子连接下桥区域、下桥功率器件的端子连接第二铜板,平滑电容两端分别连接上桥区域和第二铜板,内部电容至少为两个并且分别位于上桥区域两侧,内部电容的两端分别连接上桥区域和第二铜板,平滑电容两端构成功率模块输入端子,下桥区域构成电机连接相端子。本结构通过调整功率模块封装内部电气元件位置和参数,降低功率模块自身的寄生电感,避免浪涌电压对功率器件的损坏,从而提高电机控制器对电机控制的性能。
  • 寄生电感可调功率模块结构
  • [实用新型]高压屏蔽接插件屏蔽层可靠接地的安装结构-CN201922329940.6有效
  • 韩超;刘莉飞;苟文辉;李辉 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2019-12-23 - 2020-07-28 - H01R24/00
  • 本实用新型公开了一种高压屏蔽接插件屏蔽层可靠接地的安装结构,本安装结构包括接插件、插入接插件的线缆、控制器壳体和设于控制器壳体的接线座,接插件周边设有安装螺孔并且接插件与控制器壳体接触表面设有金属导电层,线缆的屏蔽层在接插件的金属导电层表面向外翻折成折边,线缆插入接线座并连接后,接插件通过螺栓及安装螺孔设于控制器壳体表面,向外翻折的折边压接于金属导电层与控制器壳体之间。本结构克服传统屏蔽层通过接地弹片接地方式的缺陷,实现屏蔽层可靠且有效的接地,对电驱动系统共模干扰可有效抑制,提高电驱动系统电磁兼容测试的通过率。
  • 高压屏蔽插件可靠接地安装结构
  • [实用新型]一种功率半导体模块和功率半导体器件-CN201922010344.1有效
  • 新居良英;刘乐;刘莉飞;王庆凯;高崎哲;苟文辉 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2019-11-20 - 2020-05-12 - H01L25/16
  • 本实用新型公开了一种功率半导体模块和功率半导体器件。该模块包括:上桥IGBT芯片、下桥IGBT芯片、第一DBC和DBC;所述第一DBC中第一金属层包括相互绝缘的第一子金属层和第二子金属层;所述上桥IGBT芯片的集电极与所述第一子金属层连接,所述下桥IGBT芯片的集电极与所述第二子金属层连接;所述第一子金属层与直流回路正极电连接;所述上桥IGBT芯片的发射极与所述第二子金属层电连接;所述下桥IGBT芯片的发射极与所述第二DBC中第三金属层的第一绑定焊点电连接;所述第三金属层的第二绑定焊点与直流回路负极电连接;所述第一绑定焊点和所述第二绑定焊点位于所述第一DBC的相对两侧。该模块能够减小内部寄生电感,提升器件的性能。
  • 一种功率半导体模块半导体器件
  • [发明专利]一种功率半导体模块及电机控制器-CN201910048619.2有效
  • 新居良英;高崎哲;刘莉飞;王庆凯;苟文辉;刘乐 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2019-01-18 - 2020-03-24 - H01L23/48
  • 本发明公开了一种功率半导体模块及电机控制器。所述功率半导体模块包括:基板、第一绝缘层、电极层、第一晶体管组件以及第二晶体管组件,其中电极层包括第一电极层、第二电极层、第三电极层、第二绝缘层和第三绝缘层,所述第二绝缘层位于所述第一电极层和所述第二电极层之间,所述第三绝缘层位于所述第二电极层和所述第三电极层之间;所述第一电极层通过导线与供电电源的正极电连接,所述第二电极层通过导线与所述供电电源的负极电连接,所述第三电极层通过导线与输出端电连接。本发明实施例提供的技术方案,减小了电流回路面积,进而减小了寄生电感,使得功率半导体模块中的晶体管的性能良好,有助于电机控制器的整体性能发挥。
  • 一种功率半导体模块电机控制器
  • [发明专利]用于永磁同步电机试验电流/时间的检测及保护方法-CN201410828605.X有效
  • 鲍建波;苟文辉 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2014-12-29 - 2020-03-06 - G01R31/34
  • 本发明公开了一种用于永磁同步电机试验电流/时间的检测及保护方法,本方法根据电机绝缘等级和额定功率设定过温温度点和试验电流的梯级点,测温模块监测电机运行实时温度,比较模块采集温度信息并且分别控制继电器模块和计时模块动作,继电器模块控制电源模块与电流源控制器的通断,电流源控制器控制电机运行;电流源控制器按设定的试验电流梯级点向电机输出驱动电流,同时计时模块开始计时,当测温模块检测到过温温度点时,比较模块输出信号使电源模块与电流源控制器断开;记录试验电流梯级点的驱动电流和相应的计时时间,得到电机试验电流/时间图表。本方法避免试验过程可能发生的电机故障,保证了驱动电机可靠性评估以及失效模型的准确性。
  • 用于永磁同步电机试验电流时间检测保护方法
  • [发明专利]适用于汽车电子元件老化温度和时间的优化方法-CN201310720074.8有效
  • 鲍建波;苟文辉;徐性怡 - 上海大郡动力控制技术有限公司
  • 2013-12-23 - 2019-09-13 - G06F16/30
  • 本发明公开了一种适用于汽车电子元件老化温度和时间的优化方法,即本方法首先设定若干老化温度和时间,分别在每个老化温度下的各老化时间后测量记录电子元件的代表性关键参数;利用PPK长期工序能力指数计算各老化温度下的PPK值,并以不低于等级A确定优化后的温度点,优化老化时间以电子元件老化监控点进入稳定状态的时间点和相邻时间点稳定状态变差最小的两点中较大的时间点相与进行判定,最后从各监控点的优化时间中选择其中最大的时间点为最终的优化老化时间。本方法利用PPK长期工序能力指数对电子元件老化温度和时间进行优化,在保证电子元件质量的前提下,确定尽可能短的老化时间和合适的老化温度,提高老化效果及效率,降低老化成本。
  • 适用于汽车电子元件老化温度时间优化方法

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