专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及方法-CN202110042908.9在审
  • 廖思羽;苏祖辉;范纯祥;王育文;叶明熙;黄国彬 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2021-01-13 - 2021-08-27 - H01L21/8238
  • 本公开涉及半导体器件及方法。公开了用于改善半导体器件中的沟道区域的轮廓的方法以及通过这些方法形成的半导体器件。在一个实施例中,一种方法包括:在半导体衬底之上形成半导体鳍,该半导体鳍包括锗,该半导体鳍的第一部分的锗浓度大于该半导体鳍的第二部分的锗浓度,该第一部分与半导体衬底的主表面之间的第一距离小于该第二部分与半导体衬底的主表面之间的第二距离;以及修整半导体鳍,半导体鳍的第一部分以比半导体鳍的第二部分更大的速率被修整。
  • 半导体器件方法

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