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[发明专利]存储电容器的制造方法及其存储电容器-CN202210103062.X在审
发明人：黄子伦 -专利权人： 苏州聚谦半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储电容器的制造方法及其存储电容器，包括：提供半导体衬底；形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层，形成第一沟槽；形成第二掩膜层，使得形成第二沟槽，去除第一掩膜层上方的第二掩膜层、第一掩膜层、以及位于第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；对第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出第二掩膜层；形成第三沟槽和位于边界处的U形开口；刻蚀半导体衬底，于半导体衬底内形成第四沟槽；去除第三掩膜层、第四掩膜层、第五掩膜层；形成绝缘层；形成位于绝缘层上的第一介质层；形成第一导电层、第二介质层和第二导电层，该方法能够节省光刻次数、降低生产成本。
存储电容器制造方法及其

[发明专利]存储电容器的制造方法-CN202210103068.7在审
发明人：黄子伦 -专利权人： 苏州聚谦半导体有限公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储电容器的制造方法，包括：提供半导体衬底；形成第一掩膜层；刻蚀第一掩膜层形成第一沟槽；形成位于第一沟槽的底部和侧壁，以及第一掩膜层上方的第二掩膜层，使得形成第二沟槽；去除第一掩膜层上方的第二掩膜层、第一掩膜层、以及位于第二沟槽的底部的第二掩膜层；依次形成第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；对第四掩膜层和第五掩膜层研磨减薄至暴露出第二掩膜层；去除第二掩膜层和第四掩膜层，形成第三沟槽；以第三掩膜层、第四掩膜层、第五掩膜层作为阻挡层，刻蚀半导体衬底，于半导体衬底内形成第四沟槽；去除第三掩膜层、第四掩膜层和第五掩膜层；形成介质层和导电层，该方法能够降低工艺复杂度和生产成本。
存储电容器制造方法