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[发明专利]基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路及方法、设备、介质-CN202211559029.4在审
发明人：施金汕;钱雪华;单梦麟;贺宇鹰 -专利权人： 苏州伯嘉半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明涉及基于MRAM的OLED驱动芯片Gamma校正电路及方法、设备、介质，涉及芯片器件及电路设计技术领域。该电路包括MRAM存储逻辑控制电路、灰度检测电路、电阻选择电路、差分放大电路、灰度分压电路、OLED像素驱动电路。本发明在OLED驱动芯片中的Gamma校正电路采用MRAM作为存储单元，不仅具有断电存储数据的能力，而且读写的能耗低，速度快，并且大幅度提高了数据存储的可靠性。相较于传统的OTP存储器，本发明采用MRAM作为存储单元，具备可重复擦写的能力。因此，校正电路能够对Gamma数值参数进行多次微调，更加精准的控制OLED电压，提高显示效果及延长使用寿命。本发明能够降低对OLED错误Gamma校准的机会，OLED随时都有机会实现重新测试及校正，降低错误风险的成本。
基于 mram oled 驱动芯片 gamma 校正电路方法设备介质

[发明专利]一种非易失性随机存储器磁旋存储芯片以及制备方法-CN202210138874.8在审
发明人：施金汕;单梦麟;贺宇鹰 -专利权人： 苏州伯嘉半导体科技有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种非易失性随机存储器磁旋存储芯片，属于半导体领域，包括底层金属连线，用于电路布局布线；底部通孔，位于所述底层金属连线以及底电极之间，连接所述底层金属连线及所述底电极；底电极，位于所述底部通孔之上，用于承载磁性隧穿结构，所述底电极为多层导电材料形成的复合结构；磁性隧穿结构，所述磁性隧穿结构通过改变其翻转状态实现读写数据；顶层金属连线，位于所述磁性隧穿结构上，用于电路布局布线，本申请的底电极为多层导电材料形成的复合结构可以极大的提高底电极的平整度及表面平整度，将底电极的表面粗糙度优化至小于提高了芯片的性能。本申请还包括上述非易失性随机存储器磁旋存储芯片的制备方法。
一种非易失性随机存储器存储芯片以及制备方法

[发明专利]一种随机存储器磁旋存储芯片的制备方法及芯片-CN202110953401.9在审
发明人：施金汕;钱雪华;单梦麟;贺宇鹰 -专利权人： 苏州伯嘉半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明提供一种随机存储器磁旋存储芯片的制备方法，包括完成底电极后，采用金属沉积的方式制备SOT层；采用光刻及刻蚀方式制备凹槽；进行自由层的薄膜沉积及化学机械研磨进行表面平坦化；之后进行磁性遂穿结构的参考层和隔离层的薄膜沉积；顶层电极的制备。本发明通过SOT层的制备对磁性遂穿结构的自由层进行包裹，增加有效电流对其的力矩作用，降低翻转需要的电流密度，减小芯片能耗，同时增加写入速度；通过绝缘介质层可以防止光刻胶与SOT层发生反应，绝缘介质层也可以充当化学机械平坦化的停止层，增加工艺窗口。由于自由层是采用填充的方法形成，相对于传统方法无损伤，有助于提高芯片磁学性能。本发明提供一种随机存储器磁旋存储芯片。
一种随机存储器存储芯片制备方法

[发明专利]一种GaN异质结场效应晶体管芯片及其制备方法-CN202010799672.9在审
发明人：施金汕;钱虓;林曦 -专利权人： 苏州伯嘉半导体科技有限公司
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供的一种GaN异质结场效应晶体管芯片，包括：衬底；位于衬底上的缓冲层；位于缓冲层上主要由第一半导体层与第二半导体层组成的异质结构；位于异质结构上的源极及漏极；以及位于异质结构上源极与所述漏极之间的栅极；栅极位于第二半导体层上，栅极所在区域的第二半导体层厚度小于第二半导体层上其余任意区域的厚度。本发明还提供了一种该晶体管芯片的制造方法。其通过器件结构优化增加栅极对沟道的控制能力，降低漏端引入的势垒降低效应，从而增加器件电流增益同时提升相应器件运行速度，本发明效果显著且制作工艺简单。
一种 gan 异质结场效应晶体管芯片及其制备方法