“艾希纳半导体科技（苏州）有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种等离子体密度调节装置-CN202320901791.X有效
发明人：蔡宗祐;张馨月 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及刻蚀设备技术领域，特别涉及一种等离子体密度调节装置。其中，一种等离子体密度调节装置，壳体，内部设置有安装空腔；压磁模组，设置于安装空腔内，压磁模组具有多个且互相独立，压磁模组由压磁材料制成；压力调节模组，设置于安装空腔内，与压磁模组抵接，对压磁模组产生压力；其中，壳体由陶瓷板封装而成，压磁模组固定于陶瓷板上。本实用新型提供的等离子体密度调节装置，通过使用具有压磁效应的压磁材料制成压磁模组，在压磁模组上设置压力调节模组，通过对各压磁模组分别施加不同的压力来改变各压磁模组的磁导率，从而改变相应区域的磁场强度分布，使得相应区域内的电场强度分布和等离子体密度分布便随之改变。
一种等离子体密度调节装置

[发明专利]一种静电吸盘陶瓷功能层及静电吸盘-CN202310737396.7在审
发明人：蔡宗祐;梁忠华;张馨月 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，特别涉及一种静电吸盘陶瓷功能层及静电吸盘。一种静电吸盘陶瓷功能层，包括第一表层，具有相对的上表面及下表面；第二表层，布置于所述第一表层的上表面；金属层，设置于所述第一表层与所述第二表层之间；其中，所述第一表层及所述第二表层中的任意一层为烧结陶瓷板，另一层为陶瓷膜层；所述陶瓷膜层沉积于所述烧结陶瓷板上。本发明提供的静电吸盘陶瓷功能层，通过采用烧结陶瓷板与陶瓷膜层结合的方式，能够简单快速地获得大尺寸、高质量同时稳定性良好的静电吸盘陶瓷功能层，使得最终获得的大尺寸静电吸盘结构稳定、性能良好。
一种静电吸盘陶瓷功能

[发明专利]一种等离子体密度调节装置、调整方法及应用-CN202310430050.2在审
发明人：蔡宗祐;张馨月 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及刻蚀设备技术领域，特别涉及一种等离子体密度调节装置、调整方法及应用。其中，一种等离子体密度调节装置，包括壳体，内部设置有安装空腔；压磁模组，设置于安装空腔内，压磁模组具有多个且互相独立，压磁模组由压磁材料制成；压力调节模组，设置于安装空腔内，与压磁模组抵接，对压磁模组产生压力；其中，壳体由陶瓷板封装而成。本发明提供的等离子体密度调节装置，通过使用具有压磁效应的压磁材料作为压磁模组，在压磁模组上设置压力调节模组，通过分别施加不同的压力来改变各压磁模组的磁导率，从而改变相应区域的磁场强度分布，使得腔体内的电场强度分布和等离子体密度分布便随之改变。
一种等离子体密度调节装置调整方法应用

[实用新型]一种直流偏压检测装置-CN202320357870.9有效
发明人：蔡宗祐;张馨月 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体生产技术领域，特别涉及一种直流偏压检测装置。其中，一种直流偏压检测装置，晶圆基体，包括键合的下晶圆及上晶圆，下晶圆设置有供能空腔及多个检测空腔，检测空腔与上晶圆形成多个封闭的晶圆格；电压检测模块，设置在检测空腔内部；供能模块，设置在供能空腔内部，与电压检测模块电连接；其中，上晶圆与下晶圆接触部分布置有氧化硅层；上晶圆环绕检测空腔外沿设置有间隔空隙，间隔空隙贯穿上晶圆至氧化硅层。本申请提供的直流偏压检测装置，通过键合的上晶圆与下晶圆，使得直流偏压检测装置可以适应真空环境及离子体环境，使得真空腔室内精确位置处的电压检测得以实现。
一种直流偏压检测装置

[发明专利]一种直流偏压检测装置及其制备方法和应用-CN202310187109.X在审
发明人：蔡宗祐;张馨月 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-03-01 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请涉及半导体生产技术领域，特别涉及一种直流偏压检测装置及其制备方法和应用。其中，一种直流偏压检测装置，晶圆基体，包括键合的下晶圆及上晶圆，下晶圆设置有供能空腔及多个检测空腔，检测空腔与上晶圆形成多个封闭的晶圆格；电压检测模块，设置在检测空腔内部；供能模块，设置在供能空腔内部，与电压检测模块电连接；其中，上晶圆与下晶圆接触部分布置有氧化硅层；上晶圆环绕检测空腔外沿设置有间隔空隙，间隔空隙贯穿上晶圆至氧化硅层。本申请提供的直流偏压检测装置，通过键合的上晶圆与下晶圆，使得直流偏压检测装置可以适应真空环境及离子体环境，使得真空腔室内精确位置处的电压检测得以实现。
一种直流偏压检测装置及其制备方法应用

[实用新型]抗刻蚀密封圈-CN202222771884.3有效
发明人：蔡宗祐;张誉泷 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： F16J15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导制备造技术领域，特别涉及一种抗刻蚀密封圈。其中，一种抗刻蚀密封圈，包括本体，为环状结构，作为附着基材；抗刻蚀膜层，附着于所述本体表面，所述抗刻蚀膜层厚度为50nm～30000nm。本实用新型提供的抗刻蚀密封圈，通过在无涂覆密封圈基材上增加抗刻蚀膜层，使得抗刻蚀密封圈在获得优秀的物理强度的同时，具备抗刻蚀能力。同时，通过调整抗刻蚀膜层的类型，使抗刻蚀密封圈获得抗氧或导电能力，进一步提高抗刻蚀密封圈的应用环境，增强了适应性。
刻蚀密封圈

[实用新型]一种新型陶瓷多层封装结构-CN202220418902.7有效
发明人：张馨月;陶文成;朱莉 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L23/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型陶瓷多层封装结构，包括陶瓷基板及介质层，所述陶瓷基板顶面均匀开设多个凹口，多个所述凹口底面分别固定嵌接多个导电金属层，所述凹口深度大于导电金属层厚度，所述陶瓷基板上对应多个凹口位置分别垂直开设多个下通孔，所述陶瓷基板底面固接下导线部，所述下导线部顶面对应多个通孔位置垂直固接多个下导线连接端底端。本实用新型设置了凹口，将导电金属层嵌接在凹口内，凹口与导电金属层顶面之间形成空隙，在进行多层集成时，焊接位置处于该空隙处，可以使得介质层与陶瓷基板层之间紧密接触，不会产生间隙，避免了陶瓷基板与介质层之间进入空气导致腐蚀或氧化的现象，同时也会使得封装后的基板整体厚度更薄，节省空间。
一种新型陶瓷多层封装结构

[实用新型]一种压电式静电吸盘-CN202220433579.0有效
发明人：张馨月;陶文成;朱莉 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种压电式静电吸盘，包括电极、陶瓷板材和铝基底，陶瓷板材设在铝基底上，电极设在陶瓷板材和铝基底上，所述陶瓷板材和所述铝基底之间共同设有压电模组，所述压电模组包括中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组和边缘压电模组，所述中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组和边缘压电模组均设在所述陶瓷板材和所述铝基底之间。该压电式静电吸盘在使用时，利用液体压力改变的方式，让中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组或者是边缘压电模组以力学能驱动电极中的射频电路里的电容响应影响等离子体，进而让射频电路更加的稳定，从而达到在该压电式静电吸盘使用时能够持续稳定的效果。
一种压电静电吸盘

[发明专利]一种压电式静电吸盘-CN202210196260.5在审
发明人：张馨月;陶文成;朱莉 -专利权人： 艾希纳半导体科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电式静电吸盘，包括电极、陶瓷板材和铝基底，陶瓷板材设在铝基底上，电极设在陶瓷板材和铝基底上，所述陶瓷板材和所述铝基底之间共同设有压电模组，所述压电模组包括中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组和边缘压电模组，所述中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组和边缘压电模组均设在所述陶瓷板材和所述铝基底之间。该压电式静电吸盘在使用时，利用液体压力改变的方式，让中央压电模组、过度压电模组、四周压电模组或者是边缘压电模组以力学能驱动电极中的射频电路里的电容响应影响等离子体，进而让射频电路更加的稳定，从而达到在该压电式静电吸盘使用时能够持续稳定的效果。
一种压电静电吸盘

1
共 9 条