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[发明专利]复合材料异质结的制备方法-CN202111081892.9在审
发明人：张浩;何珂;李琳;冯硝;宋文玉;苗文韬;姜钰莹;杨帅;臧运祎;耿祖汗;仝冰冰 -专利权人：北京量子信息科学研究院;清华大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明涉及异质结制备技术领域，具体而言，涉及一种复合材料异质结的制备方法。该制备方法包括以下步骤：在衬底上镀掩模，在掩模上甩预设厚度的HSQ Fox‑系列电子束光刻胶，经曝光显影后在掩模上形成光刻胶三维图形。在掩模及光刻胶三维图形上甩正性电子束光刻胶，经电子束曝光显影后在掩模上形成凹槽，刻蚀除去凹槽中的掩模，除去正性电子束光刻胶。利用分子束外延技术在所述凹槽中的衬底上生长第一相材料，使光刻胶三维图形相对第二相材料束流方向倾斜预设角度，使光刻胶三维图形的投影部分遮挡部分第一相材料，在未遮挡部分原位生长第二相材料以形成异质结；第一相材料为半导体纳米线。该方法能够进行选区生长半导体纳米线。
复合材料异质结制备方法

[发明专利]超导-半导体纳米线异质结及其制备方法和包含其的器件-CN202111080289.9在审
发明人：何珂;张浩;冯硝;姜钰莹;苗文韬;宋文玉;曹霑;杨帅;李琳;仝冰冰;臧运祎;耿祖汗 -专利权人：北京量子信息科学研究院;清华大学
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明涉及异质结技术领域，具体而言，涉及一种超导‑半导体纳米线异质结，包括衬底，以及生长在所述衬底上的半导体纳米线和超导体层，所述超导体层至少一部分与所述半导体纳米线直接接触；其中，所述半导体纳米线的材料为化合物半导体PbTe，所述超导体层的材料为元素超导体Pb，所述衬底的材料为化合物半导体CdTe。本发明还涉及所述超导‑半导体纳米线异质结的制备方法。本发明进一步涉及一种包含所述超导‑半导体纳米线异质结的器件。
超导半导体纳米线异质结及其制备方法包含器件