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[发明专利]背接触式太阳能电池的制作方法-CN201410069201.7有效
发明人： 胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种背接触式太阳能电池的制作方法，包含在半导体基板的背光表面上制作n型掺杂区、p型掺杂区以及背抗反射层。借由含铅的导电胶穿过背抗反射层，与n型掺杂区与p型掺杂区连接，而作为n型电极与p型电极。
接触太阳能电池制作方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201310059480.4有效
发明人： 胡雁程 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供太阳能电池，包括一基底、一轻掺杂区、一半导体层、一第一电极以及一第二电极。基底具有第一表面与第二表面，两者相对设置。轻掺杂区位于基底的第一表面上，其掺杂类型与基底的掺杂类型相反。半导体层设于轻掺杂区上方，其掺杂类型相同于基底。第一电极位于基底的第一表面上，且第一电极的底部切齐于轻掺杂区与基底第一表面之间的接口。第二电极设于基底的第二表面。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能模块-CN201310052722.7有效
发明人： 胡雁程 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2013-02-18 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种太阳能模块包含至少两太阳能电池与一导电带。每一太阳能电池包含光电转换元件、入光面电极与背光面电极。光电转换元件具有彼此相对的入光面与背光面。入光面电极设置于光电转换元件的入光面上，此入光面电极包含至少一总线电极与多个分支电极。总线电极包含至少两个线电极，这些线电极位于入光面上。分支电极位于入光面上，且与总线电极以不同方向延伸。背光面电极设置于光电转换元件的背光面上。导电带用以电性连接上述至少两太阳能电池。本发明使太阳能电池的制造成本降低。
太阳能模块

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210292352.X无效
发明人：陈宗保;杨士贤;陈钰君;邱铭晖;林宜宣;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种太阳能电池，包含基板，基板具有受光面与相对于受光面的背面，基板更包含设置于背面的多个沟槽，太阳能电池包含多个n型扩散区与多个p型扩散区，交错地设置于基板之背面与沟槽之表面。通过深入基板的沟槽，可以减少电子-空穴对在移动的过程中再结合的情形。一种太阳能电池的制作方法也在此揭露。通过沟槽的设计，使得n型扩散区与p型扩散区深入基板内部。如此一来，当电子-空穴对产生时，电子或是空穴可以用较短的路径进入对应的n型扩散区或是p型扩散区，有效减少了电子-空穴对在移动的过程中再一次地结合或是被半导体基板中的复合中心捕捉而消失的情形。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种太阳能电池模组及其导电线路层-CN201110141569.6无效
发明人： 胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-05-27 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池模组，其包括基板、若干太阳能电池及背板。所述太阳能电池模组进一步包括导电线路层。所述导电线路层包括基体和嵌在所述基体中的多个导电条。所述基板与所述导电条位于所述基体的相对两侧。所述太阳能电池设置在所述基体上且每一个太阳能电池位于一对相邻的导电条之间并与相应的导电条接触。所述太阳能电池与所述导电线路层夹设在所述基板与所述背板之间。本发明的太阳能电池模组及其导电线路层中的导电条镶嵌在基体上，且与太阳能电池之间仅接触而没有焊接，因而，可以极大的减少焊接处的数量，或不需要焊接，这可以降低加工时间和成本，而且可降低整个太阳能电池模组的接触电阻。
一种太阳能电池模组及其导电线路

[发明专利]光伏装置-CN201210236408.X无效
发明人：李韦杰;东冠妏;杨峻鸣;曾煌棊;李权庭;苏伟盛;胡雁程 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-07-09 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/052 文献下载
摘要：一种光伏装置包含一上基板、一下基板、多个光伏电池与一封装结构。上基板具光穿透性。下基板平行上基板。此些光伏电池彼此间隔地平放于上基板与下基板之间，其中任二相邻光伏电池具有彼此相互面对的侧面，此些侧面之间定义出一空隙区。封装结构夹设于上基板与下基板之间，且包覆光伏电池于其中，且封装结构内具有一反射部，反射部位于空隙区内，用以反射来自上基板的光线。
装置

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201210165274.7有效
发明人： 胡雁程;何伟硕;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-05-24 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳能电池及其制作方法，太阳能电池包括半导体基板以及第一抗反射层。半导体基板具有相对的第一型半导体表面与第二型半导体表面。第一抗反射层包括多个折射凸块以及覆盖层。这些折射凸块设置于第二型半导体表面，其中各折射凸块具有第一折射部与第二折射部。第二折射部共形地覆盖第一折射部，且第一折射部的折射率大于第二折射部的折射率。覆盖层覆盖第二型半导体表面及这些折射凸块，且覆盖层的折射率小于这些第二折射部的折射率。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]太阳能电池-CN201210068605.5有效
发明人：赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池，包含第一电极、埋入电极、光电转换层以及第二电极。光电转换层位于第一电极以及第二电极之间，且配置在第一电极和埋入电极上。埋入电极设于第一电极上，且埋入电极嵌设于光电转换层。本发明可提高整体太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池

[发明专利]制作太阳能电池的方法-CN201210063161.6有效
发明人： 胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制作太阳能电池的方法，包括利用掺杂胶于半导体基底的第一表面形成选择性射极，并藉由掺杂胶的屏障使选择性射极具有非粗糙化表面，以及利用粗糙化阻障层使半导体基底的第二表面具有非粗糙化表面。
制作太阳能电池方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201110409132.6有效
发明人：吕智成;胡雁程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种太阳能电池，其包括半导体基材、掺杂材料层、第一接触电极、电极层、散热材料层以及第二接触电极。半导体基材具有第一表面以及第二表面。掺杂材料层位于靠近第一表面的半导体基材之上或内。第一接触电极位于掺杂材料层上。电极层位于半导体基材的第二表面上。散热材料层覆盖电极层。第二接触电极位于散热材料层上，且第二接触电极与电极层电性连接。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池的制造方法-CN201110335105.9无效
发明人：邱铭晖;杨士贤;胡雁程;陈钰君;陈宗保;王冠程;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-10-26 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的制造方法。提供一第一型基底，其具有一第一表面与一第二表面。使用一第一掺质对第一型基底的第一表面进行一第一掺杂工艺，以形成一第一型淡掺杂层。使用一第二掺质对部分第一型淡掺杂层进行一第二掺杂工艺，以形成一第二型重掺杂区，其中第二掺质的原子量大于第一掺质的原子量，第一掺杂工艺的温度高于第二掺杂工艺的温度。于第二型重掺杂区上形成一第一电极。于第一型基底的第二表面上形成一第二电极。本发明的方法能于淡掺杂层中清楚地定义深度较浅的重掺杂区，使得作为选择性射极的重掺杂区能对电极提供良好的欧姆接触，进而有效地提升太阳能电池中的再结合效率，使得太阳能电池具有较佳的效率。
太阳能电池制造方法

[发明专利]太阳能电池的制作方法-CN201110204348.9无效
发明人：赖良星;胡雁程;陈人杰;吴振诚;何玄政 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-07-21 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤。首先，提供第一型半导体基板，其具有相对的第一表面以及第二表面。然后，形成第一金属层，覆盖第二表面。接着，对第一表面进行制绒，以形成制绒表面。之后，在该制绒表面形成第二型半导体层，以于第一型半导体基板与第二型半导体层之间形成电性异质接面。随后，在第二型半导体层上形成前电极，电性连接至第二型半导体层。此太阳能电池的制作方法有利于简化工艺，提高生产效率。
太阳能电池制作方法

[发明专利]太阳电池的制造方法-CN201110052208.4有效
发明人： 胡雁程;郭政彰;陈均维;李欣峯;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳电池的制造方法，其包括：提供一第一型掺杂半导体基材，其具有一第一表面以及一第二表面；于部分的第一型掺杂半导体基材中形成一第二型掺杂扩散区，第二型掺杂扩散区自第一表面延伸至第一型掺杂半导体基材中；于第一表面上形成一与第二型扩散层接触的抗反射层；于抗反射层上形成一导电胶，其包括导电粒子以及第二型掺质，并进行一共烧结工艺，以使导电胶穿过抗反射层而形成一嵌于抗反射层的第一接触导体，在共烧结工艺中，第二型掺质扩散至第二型掺杂扩散区以形成一第二型重掺杂区；以及于第一型掺杂半导体基材的第二表面上形成一第二接触导体。本发明的太阳电池的制造方法具有制造成本低廉、控制容易以及良率高等优势。
太阳电池制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201110026738.1有效
发明人：郭政彰;胡雁程;李欣峯;陈宗保;陈人杰;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，其中采用激光掺杂工艺来形成正型掺杂区与负型掺杂区，以提高制作掺杂区时的准确度。接点材料可直接利用激光形成开孔，因此，不会有金属接点的阶梯覆盖率不佳的问题。此外，太阳能电池采用梳状的第一电极以及片状的第二电极，搭配相应的第一型掺杂区以及第二型掺杂区，以充分利用半导体基板的空间，提供良好的光电转换效率。由于第二电极为片状并且可由铝等高反射物质制作，因此，有助于提局太阳能电池的光利用率。此太阳能电池的工艺简单，具有高工艺良率。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201110058501.1有效
发明人： 胡雁程;李欣峯;吴振诚 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-01 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一半导体基底、一第一掺杂半导体层、一绝缘层、一第二掺杂半导体层以及一第一电极层。半导体基底具有第一掺杂型式。第一掺杂半导体层设置于半导体基底上，且第一掺杂半导体层包含一掺杂接触区。绝缘层设置于第一掺杂半导体层上且暴露出掺杂接触区。第二掺杂半导体层设置于绝缘层与掺杂接触区上。第一掺杂半导体层、掺杂接触区与第二掺杂半导体层具有第二掺杂型式，且第二掺杂半导体层的掺杂浓度实质上介于掺杂接触区的掺杂浓度与第一掺杂半导体层的掺杂浓度之间。第一电极层对应于掺杂接触区。本发明的太阳能电池及其制作方法，可提升太阳能电池的光电转换效率。
太阳能电池及其制作方法

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