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[发明专利]一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法-CN202310103535.0在审
发明人：吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本申请涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法。一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法，其包括如下操作步骤：S1、在单晶锭待衍射晶面的背面绘制平面直角坐标系；S2、对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第一分量α；S3、将单晶锭顺时针旋转90°再对待衍射晶面进行衍射定向，计算取向偏离的第二分量β；S4、利用第一分量α和第二份量β计算取向偏离角γ和迹线角δ；S5、在单晶锭背面的平面直角坐标系中绘出迹线，将单晶锭上表面研磨平整。采用本申请用于修整薄板状单晶锭取向偏离的方法的修整时间在4.0‑4.1h，大幅度缩短修整单晶锭取向偏离的加工周期，减少晶体材料损耗。
一种用于修整薄板状单晶锭取向偏离方法

[实用新型]一种用于磷化铟晶棒定位面定向及其磨削夹具-CN202320214922.7有效
发明人：吴忠亮;赵德刚;吕进;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于磷化铟晶棒定位面定向及其磨削夹具，涉及晶棒夹具的技术领域，其包括可拆连接于平面磨床上的底座，所述底座上连接有托架，所述托架上开设有与晶棒适配的定位槽，所述托架上还设有用于将晶棒固定在所述定位槽内的固定组件。本申请具有提高晶棒定位精度，加快生产效率，并减少环境污染，十分节能环保的效果。
一种用于磷化铟晶棒定位定向及其磨削夹具

[发明专利]一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用-CN202211670370.7在审
发明人： 胡开朋;吕进;赵德刚;吴忠亮 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请涉及一种向下生长的导模法晶体生长方法及应用。所述方法包括如下步骤：S1，将模具放置在装有原料的坩埚内，且使模具的使用面朝下，然后加热所述坩埚使坩埚内的原料熔化为熔体；S2，上升位于所述模具的使用面垂直下方的籽晶杆直至籽晶与所述模具的使用面接触，熔接后向下移动籽晶杆，完成引晶；S3，对所述坩埚进行降温，直至晶体的生长区域铺满所述模具，完成放肩；S4，对所述坩埚继续进行降温，使晶体等径生长，直至所述原料耗尽；S5，晶体脱模后，停止移动籽晶杆，对晶体降温退火后晶体生长结束。本申请采用向下生长的晶体生长方法，有效解决了现有技术中生长的晶体质量较差的问题，使生长的晶体质量更高。
一种向下生长导模法晶体生长方法应用

[发明专利]降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用-CN202211457952.7在审
发明人： 胡开朋;吕进;吴忠亮 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请涉及氧化镓晶体技术领域，具体公开了一种降低氧化镓晶体生长挥发物方法及籽晶提拉装置和应用。降低氧化镓晶体生长挥发物方法，包括籽晶提拉装置，籽晶提拉装置包括籽晶内杆，籽晶内杆的底端用于固定籽晶，籽晶内杆的外周面套设有籽晶外杆，籽晶外杆呈顶端开口、底端封口且内部中空的圆柱状，籽晶外杆的内直径大于籽晶内杆的直径，籽晶外杆底端开设有与籽晶相适配的通孔，籽晶内杆沿籽晶外杆长度方向移动并带动籽晶于通孔内移动。在引晶前，利用籽晶外杆、籽晶内杆的相互配合，使籽晶外周面粘结的挥发物脱落，解决了籽晶外周面粘结挥发物影响成晶率的问题。同时，籽晶提拉装置还具有结构简单，成本低的优点，创造了较高的经济效益。
降低氧化晶体生长挥发物方法籽晶装置应用

[发明专利]一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法-CN202211446917.5在审
发明人：吴忠亮;吕进;赵德刚;胡开朋 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G01N1/32 文献下载
摘要：本申请涉及一种快速确定磷化铟切割片及其晶棒定位面取向的方法。该方法包括以下步骤：S1，采用手工抛光液对从磷化铟晶棒端面切取的（100）面切割片进行手工抛光；S2，将抛光过后的磷化铟切割片与第一腐蚀液接触后进行第一次腐蚀；S3，对第一次腐蚀后的磷化铟切割片清洗后与第二腐蚀液接触进行第二次腐蚀；S4，对第二次腐蚀后的磷化铟切割片清洗和干燥后，用光学显微镜观察第二次腐蚀后的磷化铟切割片上的位错腐蚀坑的形状，即可确定磷化铟切割片及其晶棒的定位面的取向；其中第二腐蚀液中包含氢溴酸的质量分数为39~41%的氢溴酸溶液。该方法允许抛光表面存在一定数量的划痕，且整个过程可在1小时内完成，提高了生产效率。
一种快速确定磷化切割及其定位取向方法

[发明专利]一种β-氧化镓晶体及其生长方法与应用-CN202111437474.9有效
发明人： 胡开朋;吕进;陈政委;赵德刚;吴忠亮 -专利权人：北京铭镓半导体有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本申请涉及宽禁带半导体结晶技术领域，具体公开了一种β‑氧化镓晶体及其生长方法与应用，一种β‑氧化镓晶体的生长方法，包括以下操作步骤：（1）于0.4‑0.6MPa惰性气体下，加热氧化镓原料，熔融；（2）下降籽晶，熔接；提拉籽晶，开始引晶；（3）引晶后，继续提拉籽晶，同时升举坩埚，坩埚的上升速率小于籽晶的提拉速率，使晶体自发放肩；放肩后，停止升举坩埚，降温，使晶体等径生长；脱模，停止提拉籽晶，冷却至23℃，即得β‑氧化镓晶体。本申请β‑氧化镓晶体的位错密度最低为0.98x104条/cm2，摇摆曲线半峰宽可达43弧秒，提高了β‑氧化镓晶体的生长质量。
一种氧化晶体及其生长方法应用

[发明专利]一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法-CN202110790896.8在审
发明人：陈政委;胡开朋;吕进;辛泽文;邓德辉;赵德刚;吴忠亮 -专利权人：陈政委
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于氧化镓晶体生长的模具及氧化镓晶体的生长方法。其中，一种用于氧化镓晶体生长的模具包括：两个模具板，两个模具板间隔设置并在两个模具板之间形成间隙，并且每个模具板上端的横截面为非直角的平行四边形结构。该模具所设计的平行四边形结构与晶体生长的形貌完全贴合，减小了应力的产生，从而保障了（001）面氧化镓晶体的稳定生长，有效避免了氧化镓晶体生长失败以及提高了生长出的（001）面氧化镓晶体的质量，并且，所设计的向外突出的圆弧形结构又实现了较大的径向温度梯度，使得晶体放肩速度得到有效控制，使晶体内部原子有充足的时间规则排列，从而解决了（001）面氧化镓晶体生长容易产生多晶的问题。
一种用于氧化晶体生长模具晶体生长方法

[外观设计]小夜灯-CN202130794531.3有效
发明人： 胡开朋;张善洪 -专利权人：东莞市洪业祥实业有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：小夜灯。2.本外观设计产品的用途：用于照明和显示时间。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
小夜灯

[实用新型]一种用于氧化镓晶体生长的模具-CN202121587204.1有效
发明人：陈政委;胡开朋;吕进;辛泽文;邓德辉;赵德刚;吴忠亮 -专利权人：陈政委
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C30B15/34 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于氧化镓晶体生长的模具。其中，一种用于氧化镓晶体生长的模具包括：两个模具板，两个模具板间隔设置并在两个模具板之间形成间隙，并且每个模具板上端的横截面为非直角的平行四边形结构。该模具所设计的平行四边形结构与晶体生长的形貌完全贴合，减小了应力的产生，从而保障了（001）面氧化镓晶体的稳定生长，有效避免了氧化镓晶体生长失败以及提高了生长出的（001）面氧化镓晶体的质量。并且，所设计的向外突出的圆弧形结构又实现了较大的径向温度梯度，使得晶体放肩速度得到有效控制，使晶体内部原子有充足的时间规则排列，从而解决了（001）面氧化镓晶体生长容易产生多晶的问题。
一种用于氧化晶体生长模具

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