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[发明专利]单晶硅太阳电池绒面的制备方法-CN200810163098.7无效
发明人：徐晓群;孙励斌;李华维;殷海亭;陈斌;甘旭;黄岳文;唐则祁;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种单晶硅太阳电池绒面的制备方法，其工艺为：将前道化学预清洗后用纯水漂洗干净的单晶硅片，放置在功率为1800～2400w，频率为25～40kHz的超声波清洗机的超声槽中，超声槽中配有重量百分比为1％～2％的NaOH和3％～6％异丙醇的混合水溶液，设定混合水溶液的温度为75～85℃，超声时间为30～35min，然后取出单晶硅片放置在体积百分比为10％的盐酸水溶液中浸泡4～6min，漂洗后，再用体积百分比为10％的氢氟酸水溶液浸泡4～6min，再用去离子水清洗，烘干。本发明制备的硅片绒面均匀，反射率低，且降低了碎片率，提高了生产效率和产能。
单晶硅太阳电池制备方法

[发明专利]单晶硅太阳电池的制绒方法-CN200810163097.2无效
发明人：孙励斌;徐晓群;李华维;殷海亭;陈斌;甘旭;黄岳文;唐则祁;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-12-10 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶硅太阳电池的制绒方法，它包括，首先对单晶硅片进行预清洗，然后对单晶硅片进行化学制绒，其特征在于：所述化学制绒包括，首先在制绒槽内配制制绒水溶液，其中氢氧化钠的质量百分比为1％～2％，偏铝酸盐的质量百分比为0.3％～0.5％，硅酸钠的质量百分比为0.3％～0.5％，化学纯异丙醇的质量百分比为5％～6％；将所述制绒水溶液的温度控制在70～95℃之间，然后将单晶硅片放入制绒水溶液中，单晶硅片在制绒水溶液中的反应时间为10～30分钟。本发明的优点是能够稳定绒面质量、降低生产成本。
单晶硅太阳电池方法

[发明专利]晶体硅太阳电池PN结的制备方法-CN200810162962.1有效
发明人：殷海亭;李华维;陈斌;黄岳文;徐晓群;孙励斌;唐则祁;甘旭;胡宏勋 -专利权人：宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种晶体硅太阳电池PN结的制备方法，其制备过程为：取硅片置于石英舟内，且石英舟内每槽仅插入一片硅片，然后将石英舟置于扩散炉碳化硅悬臂桨上，进舟，进舟时采用分三段进舟的方式，当扩散炉的炉门完全封紧后，向扩散炉内通入其流量值为1～30ml/min的氮气，并维持温度为700℃～900℃；再分两步同时通入三氯氧磷杂质源气体和氧气，然后关闭三氯氧磷气体和氧气的阀门；通入流量值为1～30ml/min的氮气；然后出舟，出舟时设定步进电机的转速在250～999mm/min。采用本发明双面扩散制备的PN结的晶体硅太阳电池在开路电压Voc、短路电流Isc、电池的短波响应等产品质量方面得到明显提高。
晶体太阳电池 pn 制备方法

[发明专利]柔性非晶硅太阳电池制造工艺-CN200810038522.5无效
发明人： 胡宏勋;郑君 -专利权人： 胡宏勋;郑君
申请日： 2008-06-04 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性非晶硅太阳电池制造工艺，用外购的厚度为0.3mm卷状透明聚酰亚胺膜，按下列工艺步骤镀层：1.将卷有透明聚酰亚胺膜滚筒架在一个轴承架上，通过磁控溅射，生成一层ZnOx导电膜层，其电阻率小于10Ω－cm；2.将镀有ZnOx导电膜层的聚酰亚胺膜滚筒取出，送入另一个单室大型PECVD设备中，内部沉积温度为210℃，采用13.5MZ的射频作电源，用等离子增强法沉积p、i、n型非晶硅薄膜；3.将装有聚酰亚胺薄膜的滚筒，安装入一个专门用来沉积铝层的磁控溅射设备中，采用直流磁控溅射的方法沉积一层铝；n型电极采用铝超声焊接，p型电极采用低温银－铝浆法封装。本发明的优点是，工艺简单，成本低，适宜一可大批量生产。
柔性非晶硅太阳电池制造工艺

[实用新型]两面光照的HIT太阳电池-CN200720067732.8无效
发明人：李华维;胡宏勋 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2007-03-09 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种新型两面光照的HIT太阳电池结构，在N型单晶硅片的两面分别沉积一层本征非晶硅薄膜(i a－Si)，再在正面的本征非晶硅薄膜上沉积P型氢化非晶碳化硅薄膜(p a－SiC:H)，在背面的本征非晶硅薄膜上沉积N型氢化非晶碳化硅薄膜(n a－SiC:H)或者N型微晶硅薄膜(n uc－Si)，然后在两面分别镀上ITO透明导电膜，丝网印刷正面、背面金属电极，烧结金属即电极金属化。优点是有非常高的电池转化效率，电池的稳定性好。
两面光照 hit 太阳电池

[发明专利]一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺-CN200810032535.1无效
发明人： 胡宏勋;陈斌;李华维;黄岳文;徐晓群;孙励斌;唐则祁 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种制备太阳电池背铝硅合金结的工艺，该工艺是：在N型单晶硅片的背面全覆盖丝网印刷铝浆，进行高温一次烧结，形成背铝硅合金结；一次烧结形成的铝硅合金结，是用强酸或王水腐蚀去除铝层后形成的，其合金层具备均匀性。背铝硅合金结的深浅，由硅片厚度、烧结温度和烧结时间决定，当硅片厚度在200～230μm，背面全覆盖印刷铝浆厚度则在20～25μm，烧结温度在700～920℃；当硅片厚度低于200μm时，烧结温度会降低一点，温度控制在700～900℃。本发明的优点是，只须进行一次高温烧结，即可形成背铝硅合金结，合金结的合金层，均匀性好，工艺简单，成本低，适宜于规模化生产。
一种制备太阳电池背铝硅合金工艺

[发明专利]一种新型的单面去扩散层方法-CN200810032536.6无效
发明人： 胡宏勋;徐晓群;孙励斌;李华维;陈斌;黄跃文;唐则祁 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2008-01-10 - 公布日： 2008-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种新型的单面去扩散层方法，该方法是首先在N型单晶硅片基体上，正面磷扩散形成N⁺层，再在其正面沉积氮化硅薄膜保护层，背面用强碱腐蚀去除背面扩散层，能明显提高N型单晶硅太阳电池的转换效率，除低成本，工艺简单，操作方便并适宜于大规模生产，特别是简化了去背N型扩散层工艺，大大提高了生产效率。
一种新型单面扩散方法

[发明专利]一种流化床装置生产高纯度硅的新工艺-CN200710046125.8无效
发明人：何午生;何文;施杏娣;郭行凯;蒋士震;唐则祁;胡宏勋;潘科君;郑君 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司;宁波杉杉创业投资有限公司;上海中仁能源科技有限公司
申请日： 2007-09-19 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C01B33/033 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能耗较低，投资相对较少的可以连续化生产且密闭循环的流化床装置生产高纯度硅的新工艺；采用高纯度四氯化硅与高纯度活泼金属进行还原反应制备高纯度硅材料。活泼金属可采用钠，镁，铝，锌等。本发明的效果是：通过以金属在流化床中还原四氯化硅，得到一种可以连续生产的高纯度硅产品，该产品纯度≥6N，为太阳能级多晶硅。同时该工艺与通常生产多晶硅的西门子法工艺比较，具有投资少，能耗低，成本低，无污染排放等优势。
一种流化床装置生产纯度新工艺

[实用新型]柔性非晶硅薄膜太阳电池-CN200620039938.5无效
发明人： 胡宏勋;郑君 -专利权人： 胡宏勋;郑君
申请日： 2006-03-06 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：本实用新型提供一种柔性非晶硅薄膜太阳电池，太阳电池的结构层依次是，聚酰亚胺薄膜作基体/ITO导电薄膜为正极/P型非晶硅/本征型非晶硅/n型非晶硅/铝膜为负极/光聚树脂。聚酰亚胺薄膜的厚度小于0.1mm，其透光率要达93％。ITO导电薄膜层是用磁控溅射，在聚酰亚胺薄上在真空室中沉积形成厚约0.8μm层。铝膜层是采用磁控溅射制成，其厚度约1μm。光聚树脂是滚涂生长在铝膜表面上。优点是，具有可卷曲的优点，其曲率半径可小于5mm，高效率：其初始效率高于8％(AM1.5，100mW/cm2，25℃)；极高的重量比功率，可达1500W/kg以上。
柔性非晶硅薄膜太阳电池

[发明专利]新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池-CN200710047776.9有效
发明人： 胡宏勋;李华维;徐晓群;孙劢斌;陈斌;黄跃文;唐则祁 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2007-11-02 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供一种新型铝背发射结N型单晶硅太阳电池；本发明的太阳电池结构是，自上层至下层，依次是：(1)Ag银金属栅线正电极；(2)SiN_x减反射层，厚度约为80nm；(3)正面N⁺磷扩散层，厚度为0.3～0.5um；(4)N型单晶硅片，电阻率0.2～15Ω.cm；(5)P⁺Al－Si合金层；(6)背面Al电极；(7)背面银铝主栅线电极。通过两次丝网印刷铝浆，两次烧结，把铝硅合金的烧结与背电极的烧结分开进行，成功解决了背面全覆盖铝，使电极可焊性、牢固度问题无法解决的问题，使铝背发射结N型单晶硅太阳电池规模化生产可以实现。
新型发射单晶硅太阳电池

[实用新型]丝网印刷铝背发射结N型单晶硅太阳电池-CN200620047100.0无效
发明人：唐则祁;胡宏勋;张辉;张立波;夏明海;孙励斌;季凯春;徐晓群;黄岳文;李华维 -专利权人：宁波杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用电阻率0.2－15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造的太阳电池；该电池结构层，自上电极至背电极，依次是上电极(－)、氮化硅减反射膜，厚度约为80nm、N⁺层厚度约为0.3－0.4um、N型集成电路废单晶硅片，电阻率0.2－15Ω·cm、P⁺铝硅合金层，厚度约为5－10u、背电极(+)；在电池背部的P⁺铝硅合金层，和N⁺层硅片，形成P⁺/N发射极。本实用新型的优点是，(1)采用电阻率为0.2－15Ω·cm的IC工业废N型单晶硅片制造太阳电池；(2)采用常规工艺印刷铝浆，烧结形成P⁺/N背发射结；(3)发射结在电池的背面，而不是在电池的正面。是一种再生能源技术的开发。
丝网印刷发射单晶硅太阳电池

[实用新型]N型基体单晶硅太阳电池-CN200520043749.0无效
发明人： 胡宏勋;郑君 -专利权人： 胡宏勋;郑君
申请日： 2005-07-25 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种N型基体单晶硅太阳电池采用N型硅单晶片为基体，制造太阳电池，其生产出的太阳电池效率和应用完全和用P型基体制成的太阳电池一样；本实用新型的太阳电池结构，从上面向下面各层依次是：上电极/氮化硅减反射膜/P⁺扩散层/N型单晶硅片/N⁺/背电极；其中：氮化硅减反射膜厚度约为0.75μm，P⁺扩散层的厚度约为0.2－0.25μm，薄层电阻约20Ω－cm，N⁺层厚度约为5－10μm，N型单晶硅片电阻率＞0.5Ω－cm。
基体单晶硅太阳电池

[实用新型]太阳能交流灯具-CN03231425.6无效
发明人：孙世维;郑君;胡宏勋 -专利权人：孙世维;郑君;胡宏勋
申请日： 2003-05-22 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用高效交流稀土灯具制成的太阳能灯具，包括太阳电池组件、蓄电池、控制逆变器，太阳电池组件的输出电压，一路经二极管与控制逆变器连接，控制回路的过充电、过放电保护，一路与光控电路连接，自动控制交流稀土灯具在白天切断电源，晚间接通电源，本实用新型的优点是，使用太阳能，既节省了能源，又节省了大量输电线，白天和晚间照明灯的开关控制，省去单独设立光传感器元件，使太阳能电池组件既是对蓄电池的充电源，又作为光控传感器，此外，控制逆变器和逆变器为一体。
太阳能交流灯具

[实用新型]双面光照单晶硅太阳电池-CN03231427.2无效
发明人：郑君;王冬松;胡宏勋 -专利权人：郑君;王冬松;胡宏勋
申请日： 2003-05-22 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型是太阳电池的上表面和背表面二个面，都是光照面，在任一个面，在p型硅片上制成n⁺p结，形成负极，并用电极引出，另一个面则制成p⁺p结，形成正极，并用电极引出，两个面的双结串联起来，并在两个面喷涂有氧化硅，构成双面光照单晶硅太阳电池；优点是，可以垂直放置，无须一定要朝南放置，所以可放置于各种场合，例如做成围栏，高速公路的隔音墙，太阳能幕墙等，由于两个面都产生光－电转换，电能通过上表和背表面引出，提高了电池的输出电压和太阳电池的效率。
双面光照单晶硅太阳电池

[实用新型]太阳能直流LED灯具-CN03231423.X无效
发明人：郑君;孙世维;胡宏勋 -专利权人：郑君;孙世维;胡宏勋
申请日： 2003-05-22 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H02J7/35 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能直流LED灯具，包括太阳电池组件、蓄电池、充电控制器以及LED灯具，太阳电池组件的输出电压，一路经二极管与充电控制器连接，对蓄电池充电并控制回路的过充电、过放电保护，一路与光控电路连接，自动控制LED灯具电源白天和晚间照明的自动关、开；本实用新型的优点是，使用太阳能，既节省了能源，又节省了大量输电线，在光控电路上，使太阳能电池组件既是对蓄电池的充电源，又作为光控传感器，省去单独设立光传感器元件。
太阳能直流 led 灯具