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[实用新型]一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备-CN202122008473.4有效
发明人：陈建明;胡君梅 -专利权人： 胡君梅
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型属于晶体生长设备领域，本实用新型提供一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备，该生长设备包括在坩埚中间用外隔板围成生长区，并在生长区内部用内隔板分割成若干个生长隔区，在每个生长隔区的底部可选择固定有籽晶，籽晶上方覆盖有多晶硅原料，每个生长隔区为一个独立的晶体生长区间，所有晶体同步生长。该生长设备中的外隔板用来阻挡从坩埚内壁析出的多晶向坩埚中心延伸，内隔板的设置避免了相邻晶体之间因为相互交叉生长而产生的晶界，大幅提高了硅晶体的单晶比例，晶体的生长区和保温层之间设有多个独立功率控制的加热器件，共同调节坩埚周围的温度梯度，控制晶体生长界面和生长速度，确保晶体生长顺利进行。
一种多隔区垂直温度梯度可调铸锭单晶硅生长设备

[发明专利]一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法-CN202110974261.3在审
发明人：陈建明;胡君梅 -专利权人： 胡君梅
申请日： 2021-08-24 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明属于晶体生长设备领域，本发明提供一种多隔区垂直温度梯度可调的铸锭单晶硅生长设备及方法，该生长设备包括在坩埚中间用外隔板围成生长区，并在生长区内部用内隔板分割成若干个生长隔区，在每个生长隔区的底部可选择固定有籽晶，籽晶上方覆盖有多晶硅原料，每个生长隔区为一个独立的晶体生长区间，所有晶体同步生长。该生长设备中的外隔板用来阻挡从坩埚内壁析出的多晶向坩埚中心延伸，内隔板的设置避免了相邻晶体之间因为相互交叉生长而产生的晶界，大幅提高了硅晶体的单晶比例，晶体的生长区和保温层之间设有多个独立功率控制的加热器件，共同调节坩埚周围的温度梯度，控制晶体生长界面和生长速度，确保晶体生长顺利进行。
一种多隔区垂直温度梯度可调铸锭单晶硅生长设备方法

[发明专利]含有人生长激素或人粒细胞巨噬细胞刺激因子的用于治疗损伤和溃疡的外用制剂-CN200510105735.1有效
发明人：金磊;裴瑾;孟钢;胡君梅 -专利权人：长春金赛药业有限责任公司
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： A61K38/27 文献下载
摘要：本发明提供一种外用制剂及其制备方法，所述外用制剂含有重组人生长激素(rhGH)或重组人粒细胞巨噬细胞刺激因子(rhGM－CSF)和外用制剂的辅料。本发明的外用制剂可以是滴眼液、眼用凝胶剂或眼用药膏等。本发明还涉及重组人生长激素(rhGH)或重组人粒细胞巨噬细胞刺激因子(rhGM－CSF)在用于治疗各种损伤和溃疡，特别是角膜损伤及角膜溃疡的药物制备中的用途。
有人生长激素粒细胞巨噬细胞刺激因子用于治疗损伤溃疡外用制剂