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[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201911047775.3在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层，两自由层之间是由非磁性金属层形成的反铁磁耦合层。本申请通过反铁磁耦合层实现两自由层的反铁磁耦合，有效地增加总磁矩的垂直各向异性，并降低在自旋激化写电流下的翻转过程中出现的退磁场，从而能够在保证热稳定性条件下降低临界电流。非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]一种具双自由层的磁性随机存储器存储单元-CN201911048593.8在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种具双自由层的磁性随机存储器存储单元，存储单元包括依次向上层叠设置的参考层、势垒层、自由层、覆盖层，所述自由层内部，按照第一自由层、杂质吸收层、第二自由层的依次向上叠加设置；其中，所述第一自由层和第二自由层的磁化矢量在透过杂质吸收层的RKKY耦合作用下呈现平行的状态。双自由层的磁性隧道结结构，能够增加自旋转移力矩效率和磁性随机存储器的热稳定性，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学和良率的提升，以及器件的进一步缩微化。
一种自由磁性随机存储器存储单元

[发明专利]具有对称结构的磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201910972493.8在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;麻榆阳;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种具对称结构的磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括自由层的双层设计，结合设置于自由层上下两侧的双势垒层及延伸的对称结构。本申请通过对称结构设计与双自由层设计，有助提升热稳定性，通过双势垒层设计在不增幅总体电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，可以有效的降低临界电流，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与超小型MRAM电路的制作。
具有对称结构磁性隧道随机存储器

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性随机存储器-CN201910972521.6在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;麻榆阳;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括含掺杂导电材料的镁金属氧化物层形成的势垒层。本申请通过势垒层的掺杂或更进一步的复合设计，在不降低其的厚度的条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与制作超小型MRAM电路的制作。
磁性隧道结构及其随机存储器

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201910972769.2在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-14 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括氧化镁中内含亚原子层所形成的势垒层。本申请通过氧化镁中内含亚原子层的设计，在不降低势垒层的厚度的条件下，降低了电阻面积积的同时保持稳定且足够的隧穿磁阻率，非常有利于MRAM电路读/写性能的提升与制作超小型MRAM电路的制作。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]一种制备磁性隧道结的方法-CN201611228193.1有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性隧道结的制造方法,采用了多次氧化与离子束刻蚀的流程，彻底消除了磁性随机存储器记忆层和参考层短路通道的形成，有利于MRAM回路磁性性能、电学性能和产品良率的提升，可用于制造超小型磁性随机存储器的结构单元。
一种制备磁性隧道方法

[发明专利]一种优化磁性隧道结的方法-CN201611229902.8有效
发明人：张云森;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2016-12-27 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种化学辅助离子束刻蚀对刻蚀之后的磁性隧道结进行优化的方法，涉及磁性随机存储器制造技术领域，由于方法中的化学活性气体可以和损伤/沉积层发生反应生成易挥发的金属络合物，同时，小角度的惰性气体离子束辐射能够增强络合反应，从而可有效的去除覆盖在侧壁的损伤/沉积层，非常有利于磁性随机存储器磁学、电学性能的提升和良率的改善。
一种优化磁性隧道方法

[发明专利]磁性隧道结的种子层形成方法-CN201910959679.X在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结的种子层形成方法，所述磁性隧道结结构的种子层通过多次的沉积或表面离子处理而形成，此方式所形成的种子层可引导所述反铁磁层在生成时形成面心立方结构，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
磁性隧道种子形成方法

[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构-CN201910959701.0在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构包括晶格隔断层的晶格转换多层设计，其强化界面各向异性的特性，同时实现具有面心立方晶体结构的反铁磁层到具有体心立方堆积参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合，有利于磁性隧道结单元在磁学，电学和良率的提升以及器件的缩微化。
磁性随机存储器隧道结构

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性存储器-CN201910960361.3在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由含掺杂元素的金属氧化物层形成的垂直各向异性增强层，设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请通过带有垂直各向异性增强双自由层结构，通过对自由层能量壁垒的调控，有利于热稳定性的提升，通过对阻尼系数的调控，有利于写电流的降低。
磁性隧道结构及其存储器

[发明专利]具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元-CN201910960364.7在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元的磁性随机存储单元，透过直接在磁性隧道结的参考层之下方，制备合成反铁磁层。合成反铁磁层为叠加的多层结构，从下至上分别为超薄铁磁超晶格层和反铁磁耦合层的双层结构；其中该反铁磁耦合层下至上分别为RKKY反铁磁耦合层，晶格转换层和硼碳吸收层的依次向上叠加而成。透过一种含有三亚层的反铁磁耦合层的合成反铁磁层的磁性隧道结单元结构，极大的减小了整个合成反铁磁层和参考层的总厚度，且能够承受在400℃条件下的长时间退火，具有更强的漏磁场(HStray)和写电流调控能力，非常有利于磁性随机存储器在磁学、电学和良率方面的提升，以及器件的进一步缩微化。
具有超薄合成反铁磁层磁性隧道单元

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201910950476.4在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由非磁性金属氧化物形成的垂直各向异性增强层，以及设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请通过双自由层结合垂直各向异性增强层的磁性隧道结结构设计，增强了器件的热稳定性，降低了阻尼系数，有利于写电流的降低。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201910950481.5在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括多层结构的自由层，两自由子层之间由含掺杂铁磁材质的非磁性金属层形成的铁磁耦合层。本申请通过铁磁耦合层实现两自由子层的铁磁耦合，并协助提升自由层的热稳定性，非常有利制作超小型的MRAM器件。
磁性隧道结构随机存储器

[发明专利]磁性隧道结结构及其磁性存储单元-CN201910951255.9在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及其磁性存储器，所述磁性隧道结结构包括设置于自由层与覆盖层之间含掺杂铁磁材料的金属氧化物层形成的垂直各向异性增强层。本申请通过垂直各向异性增强层提升磁性存储器单元器件的热稳定性，同时并不影响其结电阻面积积，有助于制作超小型磁性存储器件。
磁性隧道结构及其存储单元

[发明专利]磁性隧道结结构及磁性随机存储器-CN201910951256.3在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性隧道结结构及磁性随机存储器，所述磁性隧道结结构包括双层结构的自由层，两自由层之间由非磁性金属氧化物形成的垂直各向异性增强层，以及设置于自由层上方的磁阻尼阻挡层。本申请的具有双自由层和磁阻尼阻挡层的磁性隧道结结构单元，增强了器件的热稳定性，降低了阻尼系数，有利于写电流的降低。
磁性隧道结构随机存储器