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[发明专利]块状单晶含镓氮化物、其获得方法、其制造的衬底以及在该衬底上制造的器件-CN201010214264.9无效
发明人：罗伯特·托马什·德维林斯基;罗曼·马雷克·多拉津斯基;莱谢克·彼得·西尔兹普托夫斯基;耶日·加尔钦斯基;马里乌什·鲁津斯基 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种获得块状单晶含镓氮化物的方法，其包括单晶含镓氮化物从含有I族金属离子和受主掺杂剂离子的超临界含氨溶液中晶种结晶的步骤，其中在工艺条件下，所述受主掺杂剂离子与超临界含氨溶剂的摩尔比为至少0.0001。根据所述方法，在所述晶种结晶的步骤之后，所述方法还包括使所述氮化物在950℃～1200℃、优选950℃～1150℃的温度下退火的步骤。本发明还涉及一种通过本发明的方法可获得的块状单晶含镓氮化物。本发明还涉及用于外延生长的由单晶含镓氮化物制成的衬底以及在该衬底上制造的器件。
块状单晶含镓氮化物获得方法制造衬底以及器件

[发明专利]块状单晶含镓氮化物及其应用-CN200580018822.1无效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄;罗伯特·库哈尔斯基 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：块状单晶含镓氮化物，其在晶种上沿至少基本垂直于晶种生长方向的方向生长，基本不扩展存在于晶种中的结晶缺陷，其位错密度不超过10⁴/cm²并显著低于晶种的位错密度，和具有大的晶格曲率半径，优选大于15m，更优选大于30m，最优选为约70m，其显著大于晶种的晶格曲率半径。
块状单晶含镓氮化物及其应用

[发明专利]由XⅢ族元素氮化物层制成的高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法-CN200580019026.X无效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基;神原康雄 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2005-06-10 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型高电子迁移率晶体管(HEMT)，基本由XIII族元素氮化物层制成。与当前这种类型的可用晶体管相反，根据本发明的晶体管是在由含镓氮化物制成的同质衬底(11)上生产，不具有成核层并且它的缓冲层(3)明显比在已知HEMT中的薄。优选的是，作为根据本发明的晶体管的一部分，至少缓冲层(3)是通过外延法产生，并且在外延法中所述层的生长方向基本垂直于衬底(11)的生长方向。本发明还涉及制造高电子迁移率晶体管(HEMT)的方法。
元素氮化物制成电子迁移率晶体管 hemt 及其制造方法

[发明专利]模板型衬底及其制造方法-CN200380105624.X有效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 -专利权人：阿莫诺公司;日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-12-11 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：一种用于光电或电气器件的模板型衬底，其包括A)含有至少一种碱金属元素(I族，IUPAC 1989)的块状单晶氮化物层和B)通过气相外延生长来生长的氮化物层，其中层A)与层B)结合在层A)的非N极性面与层B)的N极性面处。因此，所述模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的小于80的良好FWHM值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相外延衬底，如MOCVD、MBE与HVPE，从而可以制作良好的光电器件如激光二极管和大输出的LED以及良好的电气器件如MOSFET。
模板衬底及其制造方法

[发明专利]外延衬底及其制造方法-CN200380105625.4有效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2003-12-11 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光电或电气器件的衬底，其包括利用气相外延生长的氮化物层，其中氮化物衬底的两个主表面基本分别由非N－极面与N－极面组成并且所述衬底的位错密度为5×10⁵/cm²或更低。因此，该模板型衬底具有良好的位错密度和来自(0002)平面的X射线摇摆曲线的FWHM小于80的良好值，从而所得的模板型衬底非常适用于从气相如MOCVD、MBE与HVPE的外延衬底，因而可以制备良好的光电气器件如激光二极管及大输出的LED与良好的电气器件如MOSFET。
外延衬底及其制造方法

[发明专利]块状单晶含镓氮化物制造方法-CN200380105621.6有效
发明人：罗伯特·德维林斯基;罗曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·西尔兹普托夫斯基;神原康雄 -专利权人：阿莫诺公司;日亚化学工业株式会社
申请日： 2003-12-11 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明提出一种用来得到块状单晶含镓氮化物、从所得的结晶去除杂质的方法及制造由块状单晶含镓氮化物构成的衬底的工艺。根据本发明，添加有矿化剂的超临界含氨溶剂中的含镓原料得到单晶含镓氮化物的工艺的特征在于原料为金属镓形式和矿化剂为I族元素和/或其混合物，和/或其化合物，尤其是包含氮和/或氢的化合物的形式，而含氨溶剂是矿化剂与氨的形式，在该工艺的每一步骤中有两个温度区域，将原料放在溶解区域，将至少一个单晶晶种沉积在结晶区域，随后将溶剂转变成超临界状态，该工艺包括将原料从金属形式转变成多晶含镓氮化物的第一步骤，以及通过原料的逐渐溶解和在高于溶解原料的温度下在至少一个晶种上选择性结晶含镓氮化物来结晶含镓氮化物的第二步骤，同时反应系统的所有重要成分(包括原料、晶种与矿化剂)在整个工艺期间在系统内保持不变，从而得到块状单晶含镓氮化物。本发明还涉及所得结晶的后处理(切片、退火和清洗)。
块状单晶含镓氮化物制造方法

[发明专利]氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法-CN03815007.7无效
发明人：罗伯特·德维林斯基;勒曼·多拉津斯基;耶日·加尔钦斯基;莱谢克·P·谢尔斯普托夫斯基;神原康雄 -专利权人：阿莫诺公司
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化物半导体激光装置，其在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间具备包含半导体活性层的共振器光放射端面上的窗口层，电共振器的放射发出端面至少具有比活性层更宽的能隙，为防止损伤电活性层，被在低温下形成的包含通式AI_xGa_1－x－yIn_yN所示单晶氮化物，此时0≤x+y≤1，0≤x≤1且0≤y≤1，特别包含通式AI_xGa_1－xN(0≤x≤1)所示氮化物的电窗口层覆盖。上述窗口层的形成显著提高本发明中氮化物激光装置的功能。
氮化物半导体激光装置以及提高功能方法

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