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[发明专利]半导体层序列-CN201780042018.X有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体层序列(1)包括n型传导的n型区域(2)和p型传导的p型区域(5)以及位于其之间的有源区(4)。有源区(4)包括至少一个量子阱(41)并且设计用于产生辐射。半导体层序列(1)由材料体系AlInGaN构成并且n型区域(2)包括超晶格(20)。超晶格(20)具有至少重复三次的结构单元(25)。在此，结构单元(25)由至少一个AlGaN层(21)、至少一个GaN层(22，24)和至少一个InGaN层(23)形成。结构单元(25)的厚度在2nm和15nm之间，其中包括边界值。
半导体序列

[发明专利]光电子器件-CN201780054045.9有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种具有有源层的光电子器件(10)，所述有源层具有多重量子阱结构(5)，其中多重量子阱结构(5)包含量子阱层(51)，所述量子阱层具有Alx1Iny1Ga1‑x1‑y1N，其中0≤x1＜0.03，0≤y1≤0.1，并且x1+y1≤1，并且所述多重量子阱结构包含势垒层(52)，所述势垒层具有Alx2Iny2Ga1‑x2‑y2N，其中0≤x2≤1，0≤y2≤0.02，并且x2+y2≤1，其中势垒层(52)具有在空间上变化的铝含量x2，势垒层(52)中的铝含量的最大值为x2,max≥0.05，并且势垒层(52)中的铝含量的最小值为x2,min0.05。
光电子器件

[发明专利]半导体层序列-CN201780053822.8有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-09-04 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：在一个实施方式中，半导体层序列基于AlInGaN并且设置用于光电子半导体芯片并且以所提出的顺序从n型传导的n型侧起观察具有如下层：‑由AlGaN构成的前势垒层，‑由InGaN构成的、具有第一带隙的前量子阱，所述前量子阱不设计用于产生辐射，‑多量子阱结构，所述多量子阱结构具有多个交替的主量子阱和主势垒层，所述主量子阱具有第二带隙，由InGaN构成，所述主势垒层由AlGaN或AlInGaN构成，其中第二带隙大于第一带隙，并且主量子阱设计用于产生如下辐射，所述辐射具有在365nm和490nm之间的最大强度的波长，其中包括边界值，和‑由AlGaN构成的电子阻挡层，其中前势垒层的铝含量和厚度的乘积是主势垒层的铝含量和厚度的乘积的至少1.3倍。
半导体序列

[发明专利]用于制造光电子半导体芯片的方法和光电子半导体芯片-CN201580009138.0有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;托马斯·伦哈特;于尔根·奥弗;约阿希姆·赫特功 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：提出一种用于制造电子半导体芯片(100)的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供具有生长表面(10)的生长衬底(1)，所述生长表面通过具有大量三维成形的表面结构(12)的平的面(11)构成在平的面(11)上形成，‑由含氧的AlN构成的成核层(2)直接大面积地施加在生长表面(10)上，‑在成核层(2)上生长基于氮化物的半导体层序列(3)，其中半导体层序列(3)选择性地从平的面(11)起生长。此外，提出一种电子半导体芯片。
用于制造光电子半导体芯片方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201710350908.9有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]用于制造发射辐射的半导体芯片的方法和发射辐射的半导体芯片-CN201780005734.0在审
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;托马斯·伦哈特;于尔根·奥弗;利斯·拉乌尔卡德;菲利普·德雷克塞尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：‑提供生长衬底(1)，‑将缓冲层(3)外延生长到生长衬底(1)上，其中在缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，‑将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延生长到缓冲层(3)上，其中V形坑(4)的结构延续到有源的半导体层序列(5)中，‑将另一层序列(9)外延地生长到有源的半导体层序列(5)上，其中V形坑(4)的结构延续到该另一层序列(9)中，‑从V形坑(4)的棱面(8)选择性地移除该另一层序列(9)，其中该另一层序列(9)在有源的半导体层序列(5)的主面(12)上保留，和‑外延地生长p型掺杂的半导体层(15)，所述半导体层完全地或部分地填充V形坑(4)。还提出一种半导体芯片，所述半导体芯片能够借助该方法制造。
半导体芯片半导体层序列发射辐射缓冲层生长半导体层外延生长衬底制造棱面移除主面填充辐射保留

[发明专利]用于制造氮化物半导体器件的方法和氮化物半导体器件-CN201680033433.4在审
发明人：托比亚斯·戈特施克;巴斯蒂安·加勒;于尔根·奥弗;维尔纳·贝格鲍尔;托马斯·伦哈特 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提出一种用于制造氮化物半导体器件(100)的方法，所述方法包括如下步骤‑提供具有生长表面(10)的生长衬底(1)，所述生长表面通过平坦面(11)形成，所述平坦面具有在所述平坦面(11)上的多个三维成形的表面结构(12)，‑在生长表面(10)上生长基于氮化物的半导体层序列(30)，其中该生长选择性地在生长衬底的生长面(13)上开始，并且其中生长面(13)小于生长表面(10)的45％。此外，描述一种可借助该方法制造的氮化物半导体器件(100)。
用于制造氮化物半导体器件方法

[发明专利]用于制造氮化物化合物半导体器件的方法-CN201480033604.4有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：提出一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法具有下述步骤提供具有硅表面的生长衬底(1)；将缓冲层(2)生长到硅表面上，所述缓冲层具有AlxInyGa1‑x‑yN，其中0≤x≤1，0≤y≤1并且x+y≤1；将半导体层序列(3)生长到缓冲层(2)上，其中缓冲层(2)具有变化的材料成分，使得缓冲层(2)的横向的晶格常数在第一区域(2a)中逐步地或连续地增大并且在沿生长方向跟随第一区域的第二区域(2b)中逐步地或连续地减小，以及缓冲层(2)在与半导体层序列(3)的边界面上与半导体层序列(3)的邻接于缓冲层(2)的半导体层(4)相比具有更小的横向的晶格常数。
用于制造氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201480006555.5有效
发明人： 维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]光电子器件-CN201280043632.5在审
发明人：西梅昂·卡茨;巴斯蒂安·加勒;马丁·斯特拉斯伯格;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;菲利普·德雷克塞尔;维尔纳·贝格鲍尔;马丁·曼德尔 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：提出一种光电子器件（11），其中有源层（10）具有多个横向彼此间隔开的结构元件（6）。结构元件（6）分别具有量子阱结构（5），所述量子阱结构包括：由In_x1Al_y1Ga_1-x1-y1N构成的至少一个阻挡层，其中0≤x1≤1，0≤y1≤1且x1+y1≤1；和由In_x2Al_y2Ga_1-x2-y2N构成的至少一个量子阱层（1），其中0≤x2≤1，0≤y2≤1且x2+y2≤1。
光电子器件

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