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[发明专利]气相成膜装置-CN201811231000.7有效
发明人：须田昇;大石隆宏;米野纯次;陈哲霖;刘奕宏 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明将提供一种气相成膜装置，其以大型化的生产装置，以均一性及可重复性佳的特性，将对向面温度控制到适合过程的温度。气相成膜装置，主要是以横向或自转式气相成膜装置。在具有过程气体(Process gas)导入部及排气部且被水冷的腔室内，适当配置有：基板220、保持有基板的承载座222、加热基板220及承载座222的装置、及与基板220及承载座222对向且形成有成膜空间(流体通道)的对向面构件20的构造。过程气体，原则上，是与基板220平行地流动。在对向面构件20的反面(腔室壁202侧)，形成凹凸形状22，且设置成让该凸部24与腔室壁220接触。且，让由2种不同被流量控制的导热性的气体所组成的混合气体(对向面温度控制气体)可于凹部26来流通。
相成装置

[发明专利]成膜装置-CN201910092188.X在审
发明人：须田昇;大石隆宏;米野纯次;陈哲霖;刘奕宏 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明提供一种可使原料气体的流动为等向性，且可缩小腔室尺寸的成膜装置，当基板保持具乃收纳有基板的晶座下降时，会与离合机构结合。当驱动驱动用马达时，自转用轴便会旋转，其会通过离合机构而传达至中心齿轮，来使中心齿轮旋转。于是，周面乃齿合于中心齿轮的基板保持具便会旋转，而让基板自转。当驱动驱动用马达时，公转用轴便会旋转，其会通过公转用离合器而传达至晶座，来让晶座旋转且使基板公转。在进行基板的自转及公转的状态下，由导入口导入制程气体，而于基板表面形成期望的薄。
中心齿轮自转基板晶座驱动基板保持具成膜装置离合机构马达离合器收纳基板表面基板公转原料气体导入口等向性齿合腔室制程周面期望流动

[发明专利]气相成膜装置-CN201410512506.0有效
发明人：须田昇;大石隆宏;米野纯次;卢柏菁;薛士雍;钟步青 -专利权人：汉民科技股份有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可以较少气体消耗量同时实现高挥发成分元素分压、较快流速以及和缓的成膜速度曲线的三要素的成膜装置。反应器构造是由圆板状晶座、基板自转公转的部件、对向于该圆板状晶座的对向面形成构件、喷射部、材料气体的导入部以及气体排气部来加以构成。基板藉由基板保持构件(Wafer Holder)加以保持，基板保持构件被保持于圆板状晶座的承受部。圆板状晶座相对其中心轴旋转，同时基板会自转。对向面形成构件由于放射状地交互形成有扇形的凹部及凸部的构造，故流道高度会在周围方向改变。因此，可以较少载体气体流量实现与以往装置的最佳条件相同的成膜质量，可让挥发成分元素的材料气体分压较以往要大幅提高。
相成装置