专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件-CN201310004317.8无效
  • 迈克尔·墨菲;米兰·波普赫里斯蒂奇 - 电力集成公司
  • 2008-03-20 - 2013-05-08 - H01L29/778
  • 提供了一种半导体器件,该半导体器件包括:衬底;设置在所述衬底的上方的第一有源层;设置在所述第一有源层上的第二有源层,所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙以使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层,其中所述第二有源层包括形成在其内的第一凹进部和第二凹进部;分别设置在所述第一凹进部和所述第二凹进部中的源极接触和漏极接触;设置在所述第二有源层的上方的栅电极;以及设置在所述第二有源层的上方的终止层。
  • 半导体器件

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