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[实用新型]电流源电路-CN200620149959.2无效
发明人：钱翼飞;管慧 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2006-11-29 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种电流源电路，包括：由4个MOS管构成的电流源主体电路，以及由2个MOS管构成的启动电路，还包括电压系数控制装置，连接于电流源主体电路，降低电流源电路的电压系数，保持电流源电路静态工作电流的稳定。采用本实用新型的技术方案，能明显的抑制工作电流I_ref随Vdd的变化，从而使这种电流源电路在低功耗应用中有较低的电源电压系数，使电路能有稳定的静态工作电流。
电流电路

[实用新型]金属氧化物半导体电压基准电路-CN200620002937.3无效
发明人：方邵华;管慧 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：一种金属氧化物半导体电压基准电路，包括：输入电源、两个耗尽型NMOS管，该输入电源和两个耗尽型NMOS管组成电流镜像电路；增强型NMOS管，电流镜像电路的第一支路与该增强型NMOS管的漏极相连，该增强型NMOS管的源极接地，栅极与第二支路中耗尽型NMOS管的源极相连；两个电阻，电流镜像电路的第二支路经该两个电阻串联接地，在该两个电阻之间引出输出端。本实用新型能够在使用较少的元器件同时，满足基准电压源的性能的要求，大大简化了电路的设计。
金属氧化物半导体电压基准电路

[实用新型]提高低频电源抑制比的辅助电路、电压调节器和电路装置-CN200420116651.9无效
发明人：丁齐兵;管慧;施浩 -专利权人： BCD半导体制造有限公司
申请日： 2004-12-20 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种提高具有多个放大器级的电路装置中低频电源抑制比的辅助电路，其多个放大器级中第一级是双端输入放大器，每一级的输出连接下一级的输入，最后一级的输出作为第一级的反馈输入，辅助电路包括：第一PMOS管，源极连接于电源，栅极连接于偏置电压；第一NMOS管，源极接地，栅极和漏极连接于第一PMOS管的漏极；第二NMOS管，源极接地，栅极连接于第一PMOS管的漏极，漏极连接于除最后一级以外的任一放大器级的输出，其中，第二NMOS管的漏极所连接的放大器级输出的电压极性与最后一级输出的电压极性相同。本实用新型的辅助电路，在基本上不增加芯片面积和增大电源电流的条件下，有效得提高PSRR。本实用新型还揭示了具有该辅助电路的电压调节器和电路装置。
提高低频电源抑制辅助电路电压调节器装置