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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及半导体结构的制造方法-CN202310562714.0在审
发明人：赵地;杨志;李浩然;符玉绒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法，半导体结构具有阵列区及外围区，且包括基底及基底上的第一介质层，基底和第一介质层横跨阵列区和外围区；电容接触结构，位于阵列区的第一介质层中，且由第一介质层露出；第一导电结构，位于外围区的第一介质层上；介质叠层，包括第二介质层和第二介质层上的第三介质层，第二介质层位于相邻第一导电结构之间以及覆盖第一导电结构表面；其中，第二介质层的材料与第一介质层材料相同，且与第三介质层的材料不同；第二导电结构，包括位于部分第三介质层上的第二部及与第二部相连的第一部，第一部贯穿介质叠层与第一导电结构接触。本公开实施例至少可以简化制造半导体结构的工艺步骤。
半导体结构制造方法

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