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[实用新型]一种用于铝型材切断的自动定位装置-CN201520934299.8有效
发明人：金志钢;王东明;张茂华;穆杰;杨松林;周友斌;张顺平;赵阳;何木生 -专利权人：池州市九华明坤铝业有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝型材切断的自动定位装置，包括机架、切割机、刻度尺，其特征在于还包括伺服电机、丝杠、进给螺母、活动板、限位座、夹手气缸、编码器、控制器，该装置结构简单，能大大降低操作人员劳动强度，提高生产效率，且大大减小手动定位误差，从而减小长度误差，提高产品合格率。
一种用于铝型材切断自动定位装置

[实用新型]一种用于铝型材矫直机的切割装置-CN201520939575.X有效
发明人：金志钢;王东明;张茂华;穆杰;杨松林;周友斌;张顺平;赵阳;何木生 -专利权人：池州市九华明坤铝业有限公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-04-13 - 主分类号： B23D23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于铝型材矫直机的切割装置，包括机架、矫直机，还包括底座、立柱、气缸、支架、固定板、伺服电机、丝杠、进给螺母、活动板、控制器，当矫直机将铝型材矫正后，控制箱控制气缸动作，气缸通过立柱带动固定板绕底座中心旋转，控制器控制伺服电机工作，伺服电机通过丝杠带动活动板在固定板上做直线运动，切割机对铝型材进行切割，切割产生的铝屑掉落在收集槽内，有效保护现场操作环境，使得气缸动作后，切割机始终与铝型材垂直，从而使得切割机切割的切口与铝型材垂直。该装置结构简单，使得在矫直机矫直铝型材后，无需增加额外的切割工序，自动对铝型材进行切割，大大降低操作人员劳动强度，提高生产效率。
一种用于铝型材矫直机切割装置

[实用新型]一种手表的分轮飞返指示机构-CN201520247337.2有效
发明人：马静;穆杰 -专利权人：天津海鸥表业集团有限公司
申请日： 2015-04-22 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G04B19/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种手表的分轮飞返指示机构，包括，中心轮、介轮、控制轮部件、飞返分轮部件、偏心钉和回位轮组件；中心轮和介轮啮合；介轮与控制轮部件啮合；控制轮部件与飞返分轮部件啮合或脱啮；偏心钉穿过飞返分轮部件；飞返分轮部件与回位轮组件啮合。有益效果是：由于减少了齿轮的传递级数，避免由于级数过多造成的齿侧间隙累积过大，提高了指示的准确度，该结构不仅可提高飞返指示的准确度，还能有效节省手表内的空间。
一种手表分轮飞返指示机构

[发明专利]一种适用于低精度无方位基准单轴转位设备的惯性测量单元标定方法-CN201410232223.0有效
发明人：刘明;穆杰;杨道安;罗伟;李丽 -专利权人：湖北航天技术研究院总体设计所
申请日： 2014-05-29 - 公布日： 2014-10-29 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于低精度无方位基准单轴转位设备的惯性测量单元标定方法，属于惯性技术领域。该方法使用单轴转位设备，标定旋转编排5个位置，然后以各位置上的速度误差和天向姿态误差拟合出一阶中间参数Δ_g以及二阶中间参数依据中间参数与误差参数以及最近的历史标定参数，由最小二乘法计算出各个器件误差参数，为了有效消除由转台引起的定位误差，将前一次迭代计算得到的误差参数和原有惯性测量单元输出数据代入导航方程，再进行一次观测量、中间参数和误差参数残差的解算，对误差参数进行残差补偿，依此类推，直至某一次迭代计算得到的误差参数残差小于阈值。该方法能降低标定成本及标定对转台精度的依赖，缩短标定时间，工程实用性好。
一种适用于精度方位基准单轴转位设备惯性测量单元标定方法

[发明专利]一种惯性器件轴系误差标定方法-CN201410270654.6有效
发明人：袁慧铮;穆杰;高博;陆俊清;李星善;邵志浩;葛仲浩 -专利权人：湖北航天技术研究院总体设计所
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2014-08-27 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种惯性器件轴系误差的标定方法，包括下述步骤：S1：将待测惯性器件设置在位置台上，并旋转位置台使得位置台的旋转轴与导航系的OZ轴重合；待测惯性器件包括第一惯性器件和第二惯性器件，第二惯性器件为第一惯性器件提供角速率基准；S2：采集待测惯性器件中第一惯性器件输出的第一数字量U_a和第二惯性器件输出的第二数字量U_b；S3：将位置台旋转180°或180°的奇数倍后，采集第一惯性器件输出的第三数字量U′_a和第二惯性器件输出的第四数字量U′_b；S4：根据第一数字量、第二数字量、第三数字量和第四数字量获得待测惯性器件的轴系误差。本发明可以标定出惯性器件的轴系误差，标定精度高。
一种惯性器件误差标定方法

[发明专利]一种适用于低精度无方位基准双轴转位设备的惯性测量单元标定方法-CN201410145103.7有效
发明人：刘明;穆杰;周海;罗伟;李泽洪 -专利权人：湖北航天技术研究院总体设计所
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于低精度无方位基准双轴转位设备的惯性测量单元标定方法，属于惯性技术领域。本标定方法使用低精度无方位基准双轴转位设备，整个标定旋转编排需19个位置，然后以各个位置上的速度误差和天向姿态误差拟合出一阶中间参数Δ_g以及二阶中间参数最后依据中间参数与误差参数的关系，由最小二乘法计算出各个器件误差参数，为消除由转台引起的定位误差，将前一次迭代计算得到的误差参数和原有的惯性测量单元原始输出数据代入导航方程，再进行一次观测量、中间参数和误差参数残差的解算并进行残差补偿，依此类推，直至迭代计算得到的误差参数残差小于阈值。该标定方法可以大幅降低标定对转台精度的依赖性，具有很好的工程实用性。
一种适用于精度方位基准双轴转位设备惯性测量单元标定方法

[发明专利]惯测组合自标定测控装置及测控方法-CN201410105420.6有效
发明人：万志江;王亚军;穆杰;李春权;周海;曾赟 -专利权人：湖北航天技术研究院总体设计所
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01C25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种惯测组合自标定测控装置，包括转位锁紧机构，该转位锁紧机构包括第一转动轴转位控制电机、第二转动轴转位控制电机、锁紧解锁轴控制电机、第一步进电机驱动器、第二步进电机驱动器、设置在第一转动轴上的第一红外传感器、设置在第二转动轴上的第二红外传感器、设置在锁紧解锁轴上的第三红外传感器、设置在锁紧解锁轴上的行程开关、控制器、二次电源、晶振、存储芯片、磁隔离器、电平转换及驱动器、与惯测组合连接的CAN收发器、计算机、第一切换继电器、第二切换继电器和四个DC/DC隔离电源。本发明在相对较低的成本之下能灵活、可靠、准确并快速的实现惯测组合的自标定测试。
组合标定测控装置方法

[实用新型]太阳电池用Si与GaInAs外延片的低温键合结构-CN201220392310.9有效
发明人：高鹏;刘如彬;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳电池用Si与GaInAs外延片的低温键合结构，包括低温键合成一体的圆片状Si衬底和圆片状GaInAs外延片，其特点是：所述Si衬底的键合面上布满形成阵列的竖直微气孔；所述竖直微气孔的孔径t=∮5μm、深度1μm；所述阵列为相邻孔距s=100μm-400μm的若干竖直微气孔形成。本实用新型由于在Si衬底的键合面上制有竖直微气孔阵列作为通道，Si衬底与GaInAs外延片低温键合时，出现的微孔洞、微气泡随着键合时的压力进入作为通道的竖直微气孔中，避免了Si衬底与GaInAs外延片接触面之间存在微孔洞、微气泡，有效提高了太阳电池的性能。
太阳电池 si gainas 外延低温结构

[实用新型]一种四结太阳能电池结构-CN201220513098.7有效
发明人：刘如彬;高鹏;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种四结太阳能电池结构，包括Ge衬底，其特点是：所述Ge衬底上面依次制有第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本实用新型由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。
一种太阳能电池结构

[实用新型]位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池-CN201220513099.1有效
发明人：王帅;高鹏;刘如彬;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种位于GaAs衬底双面的三结太阳能电池，包括GaAs衬底、第一结InxGa1-xAs电池、第二结GaAs电池和第三结GaInP电池，其特点是：第一结InxGa1-xAs电池制于GaAs衬底一面，第二结GaAs电池和第三结GaInP电池制于GaAs衬底另一面；GaAs衬底为厚度大于500微米的n型GaAs片。本实用新型通过将三个单结电池制于厚度大于500微米的GaAs衬底的双面，既实现了隔离晶格失配产生的位错对生长在衬底反面的第二结电池和第三结电池的影响，提高了电池光电转换效率，保证了电池性能的稳定，简化了电池制作工艺、降低了电池制作成本，提高了电池的生产效率，易于实现规模生产。
位于 gaas 衬底双面太阳能电池

[发明专利]双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法-CN201210378162.X有效
发明人：王帅;高鹏;刘如彬;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面外延生长GaAs三结太阳能电池的制备方法，包括在GaAs衬底一面依次外延生长GaAs缓冲层Inx(AlyGa1-y)1-xAs渐变层和第一结InxGa1-xAs电池；在GaAs衬底另一面依次外延生长GaAs缓冲层、第一隧穿结、第二结GaAs电池、第二隧穿结、第三结GaInP电池、GaAs帽层。本发明通过翻转GaAs衬底进行双面外延生长，既实现了隔离晶格失配产生的位错对生长在衬底反面的第二结电池和第三结电池的影响，提高了电池光电转换效率，保证了电池性能的稳定，简化了电池制作工艺、降低了电池制作成本，提高了电池的生产效率，易于实现规模生产。
双面外延生长 gaas 太阳能电池制备方法

[发明专利]砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法-CN201210378163.4有效
发明人：高鹏;王帅;刘如彬;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种砷化镓薄膜多结叠层太阳电池的制备方法，其特点是包括以下制备步骤：1、外延层反向生长制备GaAs三结太阳电池；2、步骤1制备的电池与Si衬底键合；3、剥离Ge衬底；4、粘接廉价衬底；5、剥离Si衬底。本发明采用先外延生长顶电池和中间电池，后生长底电池，保证了最先外延生长的晶格匹配顶电池和中间电池完美外延生长；提高了大面积外延薄膜的掺杂均匀性和薄膜可靠性，进一步提高了光电转换效率；采用比重轻于Ge的廉价支撑衬底，即减轻了电池的重量，提升了太阳电池的功率比，又有效降低了电池的成本，极大地提升了III-V族化合物太阳能电池的应用前景。
砷化镓薄膜多结叠层太阳电池制备方法

[发明专利]GaAs体系四结太阳能电池的制备方法-CN201210378165.3有效
发明人：刘如彬;高鹏;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs体系四结太阳能电池的制备方法，其特点是：采用MOCVD在Ge衬底上面依次生长第一结Ge电池、成核层、缓冲层、第一隧道结、第二结GaInAs电池、第二隧道结、第三结AlxGa1-xAs电池、第三隧道结、第四结GaInP2电池和GaAs帽层。本发明由于采用了与Ge衬底晶格完全匹配的GaInP2/AlxGa1-xAs/GaInAs/Ge各子电池材料及制作过程，有效提高了太阳电池的效率；开路电压提高到4V，实现了高电压低电流特性；电池器件制作工艺能够与GaInP/GaInAs/Ge三结太阳电池完全兼容，简化了制备工艺，降低了制作成本，在可行性方面非常容易实现。
gaas 体系太阳能电池制备方法

[发明专利]GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法-CN201210281529.6无效
发明人：高鹏;王帅;刘如彬;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAs太阳电池用Ge/Si衬底片的制备方法，其特点是：包括以下制备过程：⑴进行材料的p+型掺杂；⑵Ge片上注入H+离子；⑶抛光；⑷等离子活化；⑸低温键合；⑹退火；⑺剥离。本发明通过采用低温键合剥离的技术，在廉价的Si片上形成了Ge薄膜构成了Ge/Si衬底片，大幅减少了Ge用量，降低了电池的成本，减轻了电池的重量；由于将晶格严重失配的材料直接连接起来,晶格失配所产生的大量位错都限制在了键合界面上,不会对其他区域材料的性能造成影响，因此不会影响太阳电池的性能，并且Ge/Si衬底片连接部位的机械强度非常高；实现了低成本高效太阳电池，适用于大规模推广使用。
gaas 太阳电池 ge si 衬底制备方法

[发明专利]基于竖直微气孔的Si与GaInAs低温键合方法-CN201210280493.X有效
发明人：高鹏;刘如彬;王帅;张启明;康培;孙强;穆杰 -专利权人：天津蓝天太阳科技有限公司;中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2012-08-08 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于竖直微气孔的Si与GaInAs低温键合方法，包括将Si衬底和GaInAs外延片经抛光、在400℃以下键合成一体的制备过程，其特点是：所述Si衬底键合的面上制备出竖直微气孔阵列。本发明由于在Si衬底的键合面上制备了竖直微气孔阵列作为通道，Si衬底与GaInAs外延片低温键合时，出现的微孔洞、微气泡随着键合时的压力进入作为通道的竖直微气孔中，避免了Si衬底与GaInAs外延片低温键合时接触面之间出现的微孔洞、微气泡，有效提高了太阳电池的性能。
基于竖直气孔 si gainas 低温方法