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[发明专利]树脂构件及使用其的片材、树脂构件的制造方法以及蓄热材料及使用其的热控制片-CN201780061271.X在审
发明人：永井晃;森本刚;稻田祯一 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2017-10-04 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明的一个方式中涉及一种树脂构件，其包含乙烯与碳原子数大于或等于3的烯烃的共聚物、链状饱和烃化合物以及胶凝剂。
树脂构件饱和烃化合物碳原子数蓄热材料共聚物胶凝剂热控制链状片材烯烃乙烯制造

[发明专利]树脂构件及使用了该树脂构件的片材以及蓄热材料及使用了该蓄热材料的热控制片-CN201680089829.0在审
发明人：永井晃;森本刚;稻田祯一 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： C09K5/06 文献下载
摘要：本发明的一个方式提供一种树脂构件，其包含乙烯与碳原子数大于或等于3的烯烃的共聚物以及链状饱和烃化合物。
树脂构件蓄热材料饱和烃化合物碳原子数共聚物热控制链状片材烯烃乙烯

[发明专利]导热片、其制造方法以及使用了导热片的散热装置-CN201110242330.8有效
发明人：吉川彻;矢岛伦明;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： C09K5/14 文献下载
摘要：本发明提供一种导热片，该导热片包含含有石墨粒子(A)和Tg为50℃以下的有机高分子化合物(B)的组合物，其中石墨粒子(A)为鳞片状、椭球状或棒状，其晶体中的6元环面在鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向上取向；所述石墨粒子(A)的鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向在导热片的厚度方向上取向，在导热片的表面露出的石墨粒子(A)的面积为25％～80％，在70℃的阿斯卡C硬度为60以下，由此兼具高导热性和高柔软性。另外，本发明还提供一种在生产率、成本、能量效率方面可以有利且确实地得到导热片的制造方法以及使用导热片的具有高散热能力的散热装置。
导热制造方法以及使用散热装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060453.X有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的粘接片为按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法-CN201110047399.5有效
发明人：长谷部健彦;加藤薰子;山口欣秀;西龟正志;松岛直树;稻田祯一;山本礼;天明浩之;池田宇亨 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-02-24 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G01N25/00 文献下载
摘要：本发明提供评价半导体芯片的技术。具体而言，本发明提供评价用半导体芯片、评价系统及其修复方法。半导体芯片在硅基板的一个面层叠：由多个区域构成的作为电阻测温元件的金属配线膜(101)及由一个或多个区域构成的作为加热器的金属配线膜(102)中的至少一种；以及用于将金属配线膜(101)及金属配线膜(102)与安装基板连接的电极(103)。通过将半导体芯片安装于安装基板，且将金属配线膜(101)与电流表及电压表电连接，将金属配线膜(102)与电源电连接，提供能够评价在半导体芯片的上述各区域中的测温及加热以及其温度曲线的评价系统。
评价半导体芯片系统及其修复方法

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060467.1有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括：贴合步骤，对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片，剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体，隔着粘接层贴于半导体晶片，得到附层叠体半导体晶片；切割步骤，切割附层叠体半导体晶片，得到规定尺寸附层叠体半导体元件；剥离步骤，以高能量射线照射粘着层，使其粘着力降低后，剥离粘着层及基材薄膜，得到附粘接层半导体元件；粘接步骤，将附粘接层半导体元件，隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060460.X无效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的卷是将按照剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜的顺序层叠所构成的粘接片卷绕而成的卷，其特征为，所述粘接层具有规定的第1平面形状，且部分性地形成于所述剥离基材上；所述粘着层层叠为其覆盖所述粘接层，且于所述粘接层的周围与所述剥离基材接触。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201110060486.4有效
发明人：田中麻衣子;宇留野道生;松崎隆行;古谷凉士;增野道夫;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-09-30 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明的附有层叠体的半导体晶片的制造方法包括：从具备剥离基材、基材薄膜和配置于所述剥离基材与所述基材薄膜之间的粘接着层的粘接片上剥离所述剥离基材，得到由所述基材薄膜及所述粘接着层所成的层叠体的剥离步骤；以及，将所述层叠体的所述粘接着层贴合于半导体晶片的贴合步骤；所述剥离基材上，由所述粘接着层侧的面形成有环状的切入部分；所述粘接着层为，按覆盖所述剥离基材的所述切入部分的内侧面整体来层叠；所述切入部分的切入深度为小于所述剥离基材的厚度，且为25μm以下；所述层叠体向所述半导体晶片的贴合以自动化的工序连续进行。
粘接片及其制造方法以及半导体装置

[发明专利]导电性接合材料、采用它的接合方法、以及由其接合的半导体装置-CN201010171726.3无效
发明人：保田雄亮;守田俊章;井出英一;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： B23K35/22 文献下载
摘要：本发明提供导电性接合材料、采用它的接合方法、以及由其接合的半导体装置，与采用平均粒径100nm以下的金属粒子的接合用材料相比，提供在接合界面通过金属结合加以接合，在较低温、不加压下实现接合强度提高的接合用材料、接合方法。以(A)银粒子、(B)氧化银、(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂作为必须成分的全导电性接合材料中，(A)银粉与(B)氧化银粉与(C)包含以碳原子数30以下构成的有机物的分散剂的合计达到99.0～100重量％。即，不含作为粘接剂的树脂。
导电性接合材料采用方法以及半导体装置

[发明专利]粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200910254219.3有效
发明人： 稻田祯一;增野道夫;宇留野道生;岩仓哲郎 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-04-20 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种粘着片，能够填充衬底的配线、或在半导体芯片附设的金属丝形成的凹凸，又在切割时不发生树脂飞边，而且能满足耐热性或耐湿性。本发明的粘着片的特征在于，含有：树脂100重量份，其包含含有交联性官能团的重均分子量为10万以上，且Tg为-50～50℃的高分子量成分15～40重量％、及以环氧树脂为主成分的热固化性成分60～85重量％；及填料40～180重量份，该粘着片的厚度为10～250μm。
粘着半导体装置制造方法

[发明专利]导热片、其制造方法以及使用了导热片的散热装置-CN200780040627.8有效
发明人：吉川彻;矢岛伦明;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种导热片，该导热片包含含有石墨粒子(A)和Tg为50℃以下的有机高分子化合物(B)的组合物，其中石墨粒子(A)为鳞片状、椭球状或棒状，其晶体中的6元环面在鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向上取向；所述石墨粒子(A)的鳞片的面方向、椭球的长轴方向或棒的长轴方向在导热片的厚度方向上取向，在导热片的表面露出的石墨粒子(A)的面积为25％～80％，在70℃的阿斯卡C硬度为60以下，由此兼具高导热性和高柔软性。另外，本发明还提供一种在生产率、成本、能量效率方面可以有利且确实地得到导热片的制造方法以及使用导热片的具有高散热能力的散热装置。
导热制造方法以及使用散热装置

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法-CN200810186926.9有效
发明人： 稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供粘合片的切割方法，该方法是通过扩张进行粘贴在半导体晶片上的粘合片的切割，其特征在于：在室温以下的温度进行所述扩张。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

[发明专利]粘接接合片与使用该粘接接合片的半导体装置以及其制造方法-CN200910001815.0无效
发明人：大久保惠介;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C09J133/04 文献下载
摘要：一种粘接接合片，其是具有光透过性支撑基材与粘接接合层的，用于切割工序及半导体元件粘接工序双方的粘接接合片，所述粘接接合层包括：(A)含有官能团的重均分子量为10万以上的高分子量成分；(B)环氧树脂；(C)酚系环氧树脂固化剂；(D)通过照射紫外线得到的固化物的Tg为250℃以上的光反应性单体；以及(E)通过照射波长200～450nm的紫外线而产生碱及自由基的光引发剂。
接合使用半导体装置及其制造方法

[发明专利]粘接接合片与使用该粘接接合片的半导体装置以及其制造方法-CN200910001816.5无效
发明人：大久保惠介;稻田祯一 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C09J133/04 文献下载
摘要：一种粘接接合片，其是具有光透过性支撑基材与粘接接合层的，用于切割工序及半导体元件粘接工序双方的粘接接合片，所述粘接接合层包括：(A)含有官能团的重均分子量为10万以上的高分子量成分；(B)环氧树脂；(C)酚系环氧树脂固化剂；(D)通过照射紫外线得到的固化物的Tg为250℃以上的光反应性单体；以及(E)通过照射波长200～450nm的紫外线而产生碱及自由基的光引发剂。
接合使用半导体装置及其制造方法

[发明专利]粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法-CN200810186927.3有效
发明人： 稻田祯一;增野道夫;宇留野道生 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2004-06-04 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及粘合片、与切割胶带一体化粘合片以及半导体的制造方法。本发明提供半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：通过在室温以下将半导体晶片、粘合片及切割胶带的层叠物进行扩张，切割半导体晶片及粘合片，形成带有多个单片化了的粘合片的半导体芯片。
粘合切割胶带一体化以及半导体制造方法

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