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[发明专利]一种焊接残余应力的测试方法-CN201610278059.6在审
发明人： 税正伟;周培山;敖攀;杨昕;梁军刚;谢芋江;肖景安;郭明林;桑东恒 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明创造提出了一种焊接残余应力的测试方法，首先，在与待测材料相同材料的标定试样上间隔的钻出数个测试孔，并且，每两测试孔中心距大于1.5倍测试孔直径；然后，在每个所述离测试孔中心一定距离处粘贴数个应变片，每两个应变片夹角在60°‑120°之间；之后，施加一个已知的单向应力场，使其中一个电阻应变片平行于外力方向；测量钻孔前后的释放应变；最后计算出应变释放系数。所述应变片的各电阻片应保持牢固的粘接，且钻各个所述测试孔时，应在相同温度条件下进行。本焊接残余应力测试方法操作简单，局限性小，易于实现，通过理论计算，能够准确测量出应变释放系数，进而为下一步分析焊接残余应力带来的影响提供可靠的数据支撑。
一种焊接残余应力测试方法

[发明专利]一种制备ZnO纳米针阵列的方法-CN201010169824.3无效
发明人：唐斌;税正伟;张强;谌贵辉;刘忠华 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备ZnO纳米针阵列的方法，包括清洗Si基片表面、置入管式炉，其特征在于：前期热蒸发以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1340-1360℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间25-30分钟；再行后期热蒸发沉积，以升温率20-25℃/min的速度将管式炉中的蒸发区温度上升到1430-1460℃，炉管内保持在200-300Torr的真空度，传输气体为Ar气，流量为35-40sccm，持续时间5-8分钟，完成ZnO纳米针阵列的制备。本发明方法所得到的ZnO纳米针阵列在硅基片上分布均匀致密，直径为100nm左右，长度为3μm左右，形态均匀。本发明制作工艺过程简便，不需任何催化剂。
一种制备 zno 纳米阵列方法