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[发明专利]MEMS传感器-CN201780071931.2有效
发明人：托马斯·弗勒利希;马克·尼德伯格;科林·斯蒂尔;雷内·朔伊纳;托马斯·克里斯坦;卢卡斯·佩尔克托尔德;范维东 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2017-10-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种MEMS传感器(1)，包括耦合到MEMS接口电路(20)的MEMS换能器(10)。MEMS接口电路(20)包括偏压产生器(100)、差分放大器(200)、电容器(300)和反馈控制电路(400)。偏压产生器(100)产生用于操作MEMS换能器的偏压(Vbias)。可变电容器(300)连接到差分放大器(200)的输入节点之一(I200a)。差分放大器的输出节点(A200a、A200b)中的至少一个耦合到偏压产生器(100)的输出滤波器(110)的基端(T110)。来自偏压产生器(100)的任何干扰信号是在差分放大器(200)的输入节点(I200a、I200b)上相等地划分的共模信号，并因此被拒绝。
mems 传感器

[发明专利]用于检测动态压力变化的集成光学传感器及其制造方法-CN201980060239.9有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;艾瑞克·扬·劳斯;安德森·辛格拉尼 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：一种用于检测动态压力变化的集成光学传感器(2)包括微机电系统MEMS管芯(10)，其具有MEMS膜片(12)，该MEMS膜片具有第一侧(13)和第二侧(14)，其中第一侧暴露于动态压力变化。传感器(2)还包括专用集成电路ASIC管芯(11)，其具有评估电路，该评估电路被配置为检测MEMS膜片(12)的偏转，尤其是MEMS膜片(12)的第二侧(14)的偏转。相对于ASIC管芯(11)来布置MEMS管芯(10)，使得在膜片(12)的第二侧(14)与ASIC管芯(11)的第一表面(19)之间形成具有间隙高度的间隙，并且MEMS膜片(12)、ASIC管芯(11)和MEMS管芯(10)的悬置结构(15)描述了集成光学传感器(2)的后部体积(4)。
用于检测动态压力变化集成光学传感器及其制造方法

[发明专利]用于检测动态压力变化的集成光学传感器和方法-CN201980059409.1有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;延斯·霍弗里希特;卡塔林·拉扎尔;约亨·克拉夫特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种用于检测动态压力变化的集成光学传感器(1)包括：微机电系统MEMS管芯(10)，其具有MEMS膜片(11)，该MEMS膜片具有第二侧(13)以及暴露于动态压力变化的第一侧(12)；以及专用集成电路ASIC管芯(20)，其具有光学干涉仪组件。干涉仪组件包括光束分离元件(21)、光束合并元件(22)以及检测器(24)，该光束分离元件用于接收来自光源(23)的源光束(30)并用于将源光束(30)分离成在第一光束路径中的探测光束(31)和在第二光束路径中的参考光束(32)，该光束合并元件用于将探测光束(31)与参考光束(32)合并成叠加光束(33)，并且该检测器配置为根据叠加光束(33)来生成电子干涉信号。相对于ASIC管芯(20)将MEMS管芯(10)布置为使得在膜片的第二侧(12)与ASIC管芯(20)之间形成间隙，其中该间隙限定腔体(14)并具有间隙高度。探测光束(31)的第一光束路径包括：耦合到腔体(14)中、从膜片(11)的偏转点或偏转表面(16)反射出来以及耦合出腔体(14)。
用于检测动态压力变化集成光学传感器方法

[发明专利]MEMS麦克风组件和制造MEMS麦克风组件的方法-CN201980061623.0有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;西蒙·穆勒;托马斯·弗勒利希;艾瑞克·扬·劳斯;安德森·辛格拉尼 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：一种微机电系统MEMS麦克风组件，包括限定第一腔(11)的壳体(10)和布置在第一腔(11)内的MEMS麦克风(20)。麦克风(20)包括具有接合结构(23)和MEMS膜片(24)的第一晶片(21)，以及具有专用集成电路ASIC的第二晶片(22)。第二晶片(22)被接合至接合结构(23)，使得在膜片(24)的第一侧(25)与第二膜片(22)之间形成间隙(28)，该间隙(28)限定第二腔(31)。膜片(24)的第一侧(25)与第二腔(31)相接，并且膜片(24)的第二侧(26)经由壳体(10)的声学进入端口(12)与环境(2)相接。接合结构(23)被布置成使得形成连接第一腔(11)和第二腔(31)的压力通风开口(30)。
mems 麦克风组件制造方法

[发明专利]光学器件、光子检测器、以及制造光学器件的方法-CN202080068098.8在审
发明人：卡塔林·拉扎尔;戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02B6/293 文献下载
摘要：一种用于光学传感器的光学器件，包括：半导体激光器(1)的增益元件(11)、波长选择反馈元件(2)、以及传感元件(3)。波长选择反馈元件(2)的至少一部分和传感元件(3)被设置在公共传感器封装件(4)中。增益元件(11)被设置成产生和放大光学信号。增益元件(11)和波长选择反馈元件(2)形成半导体激光器(1)的外腔(15)的至少一部分，从而提供反馈机制以根据光学信号维持激光振荡。波长选择反馈元件(2)被设置成耦合输出光学信号的一部分，并将光学信号的所述部分朝向传感元件(3)引导，以探测传感元件(3)的物理特性。
光学器件光子检测器以及制造方法

[发明专利]键合结构及用于制造键合结构的方法-CN202080061637.5在审
发明人：约亨·克拉夫特;伯恩哈德·斯特林;科林·斯蒂尔;珍·弗朗索瓦·瑟兰 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：键合结构(1)包括具有布置在衬底组件(20)的表面(22)上或内的多个第一焊盘(21)的衬底组件(20)，以及具有布置在集成电路组件(10)的表面(12)上或内的多个第二焊盘(11)的集成电路组件(10)。键合结构(1)还包括将第一焊盘(21)物理连接到第二焊盘(11)的多个连接元件(31)。集成电路组件(10)的表面(12)以倾斜角度(α)相对于衬底组件(22)的表面(22)倾斜，该倾斜角度由第一焊盘和第二焊盘(21、11)的表面尺寸的标称变化引起。
结构用于制造方法

[发明专利]VCSEL调谐装置和用于调谐VCSEL的方法-CN202080046620.2在审
发明人： 科林·斯蒂尔;卡塔林·拉扎尔;戈兰·斯托扬诺维奇 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：一种用于垂直腔面发射激光器VCSEL(20)的调谐装置，其包括：deltasigma调制器(10)，其配置为生成包括比特信号的比特流(BS)；以及电流源(11)，其配置为根据控制信号(CS)以可切换的方式向VCSEL(20)提供电流。比特流(BS)基于目标状态信号(TS)生成，并且控制信号(CS)对应于比特流(BS)的比特信号或从比特流(BS)的比特信号导出。
vcsel 调谐装置用于方法

[发明专利]用于测量位移的光学换能器及方法-CN202080037400.3在审
发明人：罗纳德·德克;雷内·海德曼;阿恩·莱因森;卡塔林·拉扎尔;劳伦·内武;科林·斯蒂尔;安德森·皮雷·桑格拉尼;戈兰·斯托扬诺维奇;西蒙·穆勒 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H04R23/00 文献下载
摘要：一种用于测量膜片(10)的位移的集成式光学换能器(1)，包括膜片(10)、透镜元件(23)和衬底主体(20)，该衬底主体具有波导结构(21)和耦合元件(22)。膜片(10)远离衬底主体(20)并且基本平行于衬底主体(20)的主延伸平面设置。波导结构(21)配置成将光从光源(30)引导到耦合元件(22)，并且从耦合元件(22)引导到光电检测器(31)。耦合元件(22)被配置成将波导结构(21)中的光的至少一部分耦合到在耦合元件(22)与膜片(10)之间的光路上，并且将膜片(10)的表面反射的光从光路耦合到波导结构(21)中。透镜元件(23)设置在光路上，使得光路上的光穿过透镜元件(23)。
用于测量位移光学换能器方法

[发明专利]用于校准电容传感器接口的装置和方法-CN201880019593.2有效
发明人： 科林·斯蒂尔;雷内·朔伊纳;托马斯·克里斯坦;马克·尼德伯格 -专利权人：美商楼氏电子有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01D5/24 文献下载
摘要：用于校准电容传感器接口的装置和方法。用于校准电容传感器接口(1)的装置(2)包括具有电容(cmem、cmemsp、cmemsm)的电容传感器(10)和具有可变电容(cdum、cdump、cdumm)的电荷储存电路(20)。测试电路(30)将测试信号(vtst)施加到电容传感器(10)和电荷储存电路(20)。放大器电路(40)具有耦合到电容传感器(10)的第一输入连接端(E40a)和耦合到电荷储存电路(20)的第二输入连接端(E40b)。放大器电路(40)根据施加到第一输入连接端(E40a)的第一输入信号(ΔVerr1)和施加到第二输入连接端(E40b)的第二输入信号(ΔVerr2)提供输出信号(Vout)。控制电路(60)被配置为调整电荷储存电路(20)的电容(cdum、cdump、cdumm)，使得输出信号(Vout)的电平趋于零电平。
用于校准电容传感器接口装置方法

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