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[实用新型]采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路-CN201420201414.6有效
发明人：黄果池;李景虎;张远燚 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本实用新型目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本实用新型采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源I_n1、NMOS晶体管N_n1、NMOS晶体管N_n2、负载电阻R_n1、负载电阻R_n2、电容C_n1和电容C_n2；所述源极跟随器包括可控电流源I_n2、可控电流源I_n3、NMOS晶体管N_n3和NMOS晶体管N_n4。
采用电容中和技术高速激光二极管驱动器集成电路

[实用新型]基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源-CN201420205282.4有效
发明人：李景虎;黄果池;张远燚 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源，属于电源领域，本实用新型为解决传统带隙基准源的电源抑制问题比较严重；无法有效降低的问题。本实用新型包括误差放大器A、native NMOS晶体管M_NA1、NMOS晶体管MN1、MN2、MN3、PMOS晶体管MP1、MP2、PNP型三极管Q1、Q2、R1、R2和R3；MP1源极、MN3漏极和M_NA1漏极连接VDD；MP1、MP2、MN1和MN2依次串联后接地；MN3栅极连接公共节点VG；M_NA1栅极连接R2、R3和基准源输出端VREF；M_NA1栅极连接A输出端；A同相输入端连R2和Q1，A反相输入端连R1、R3和Q2。
基于 native 晶体管电源抑制基准

[发明专利]采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路-CN201410166171.1有效
发明人：黄果池;李景虎;张远燚 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，属于集成电路领域，本发明目的是在不增加驱动器功耗的同时增大驱动器的电压增益-3dB带宽，增强高频调制电流输出能力，改善输出高频电流信号的眼图特性。本发明采用负电容中和技术的高速激光二极管驱动器集成电路，它由m级放大器级联构成，m为大于或等于1的自然数；m级放大器中的第n级放大器为采用负电容中和技术的可控增益放大器，n≤m，第n级放大器包括差分放大器和源极跟随器；所述差分放大器包括可控电流源I_n1、NMOS晶体管N_n1、NMOS晶体管N_n2、负载电阻R_n1、负载电阻R_n2、电容C_n1和电容C_n2；所述源极跟随器包括可控电流源I_n2、可控电流源I_n3、NMOS晶体管N_n3和NMOS晶体管N_n4。
采用电容中和技术高速激光二极管驱动器集成电路

[发明专利]基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源-CN201410169393.9无效
发明人：李景虎;黄果池;张远燚 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：基于native晶体管的高电源抑制带隙基准源，属于电源领域，本发明为解决传统带隙基准源的电源抑制问题比较严重；最低工作电压比较高，无法有效降低的问题。本发明包括误差放大器A、native NMOS晶体管M_NA1、PNP型三极管Q1、PNP型三极管Q2、电阻R1、电阻R2和电阻R3；M_NA1漏极连接电源VDD，M_NA1栅极连接A输出端；M_NA1源极同时连接电阻R2一端、电阻R3一端和带隙基准源的输出端VREF；电阻R2另一端同时连接A同相输入端和Q1发射极，Q1基极和集电极同时连接GND；电阻R3另一端同时连接A反相输入端和电阻R1一端，电阻R1另一端连接Q2发射极；Q2基极和集电极连接GND。
基于 native 晶体管电源抑制基准

[实用新型]一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器-CN201320562128.8有效
发明人：李景虎;张远燚;刘德佳 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器，属于集成电路领域，本实用新型为解决传统LDO稳压器是通过牺牲降落电压和效率来换取高频电源抑制改善的问题。本实用新型包括第一误差放大器A1、第二误差放大器A2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、滤波电阻RF、第一滤波电容CF、第二滤波电容CP、第一native NMOS晶体管MNA1、第二native NMOS晶体管MNA2和PMOS晶体管MP；第一误差放大器A1同相输入端连接参考电压VREF的输出端，第二native NMOS晶体管MNA2源极为LDO稳压器第一输出节点VOUT；第二误差放大器A2同相输入端连接第二输出节点VOUT_P。
一种基于 native nmos 晶体管电源抑制 ldo 稳压器

[发明专利]一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器-CN201310414627.7无效
发明人：李景虎;张远燚;刘德佳 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2013-09-12 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种基于native NMOS晶体管的高电源抑制LDO稳压器，属于集成电路领域，本发明为解决LDO稳压器降落电压和效率与高频电源抑制之间的矛盾。本发明包括误差放大器A1、电阻R1、电阻R2、滤波电阻RF、滤波电容CF、第一native NMOS晶体管MNA1和第二native NMOS晶体管MNA2；A1的同相输入端连接参考电压的输出端，A1的反相输入端连接反馈节点，电阻R1和电阻R2的公共节点作为反馈节点VF1；误差放大器的输出端连接MNA1的栅极；MNA1的漏极连接电源VDD，MNA1的源极连接电阻R1的一端；电阻R1的另一端连接电阻R2的一端；MNA2的源极为LDO稳压器输出端VOUT。
一种基于 native nmos 晶体管电源抑制 ldo 稳压器

[实用新型]用于混合信号集成电路的可测性电路-CN201220604757.8有效
发明人：李景虎;张远燚;王建 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G01R31/3167 文献下载
摘要：用于混合信号集成电路的可测性电路，属于电路测试领域，本实用新型为解决现有混合信号集成电路的测试电路所需外部引脚多，导致测试成本高的问题。本实用新型所述用于混合信号集成电路的可测性电路包括测试使能模块、测试电源和偏置电流产生模块和测试模块，外部输入信号VT_IN同时给测试使能模块和测试模块提供输入信号，测试使能模块为测试电源和偏置电流产生模块提供测试使能信号EN_N，测试电源和偏置电流产生模块为测试模块提供测试电源VS_EN和偏置电流IS_EN，测试模块输出测试结果，测试使能模块接收VREF1、VREF2、VREF3、VREF4、IB1、IB2、VB_N和VB_P，测试电源和偏置电流产生模块接收VREF5和IB3。
用于混合信号集成电路可测性电路

[发明专利]用于混合信号集成电路的可测性电路-CN201210460916.6有效
发明人：李景虎;张远燚;王建 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： G01R31/3167 文献下载
摘要：用于混合信号集成电路的可测性电路，属于电路测试领域，本发明为解决现有混合信号集成电路的测试电路所需外部引脚数量多，导致测试成本高昂的问题。本发明所述用于混合信号集成电路的可测性电路，它包括测试使能模块、测试电源和偏置电流产生模块和测试模块，外部输入信号VT_IN同时给测试使能模块和测试模块，测试使能模块为测试电源和偏置电流产生模块提供测试使能信号EN_N，测试电源和偏置电流产生模块为测试模块提供测试电源VS_EN和偏置电流IS_EN，测试模块输出测试结果，测试使能模块接收VREF1、VREF2、VREF3、IB1、IB2、VB_N和VB_P，测试电源和偏置电流产生模块接收VREF4和IB3。
用于混合信号集成电路可测性电路

[实用新型]具有频带扩展功能的高速相位分裂电路-CN201220304452.5有效
发明人：李景虎;张远燚;李博阳 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：具有频带扩展功能的高速相位分裂电路，属于通信电路领域，本实用新型为解决解决现有相位分裂电路中的跨阻放大器带宽对前置放大器工作频率的限制。本实用新型所述具有频带扩展功能的高速相位分裂电路，它包括第一PMOS晶体管M1、电阻R1、电阻R2、相位分裂放大器和积分器，相位分裂放大器由第一放大器A1和第二放大器A2级联组成，积分器由第三放大器A3、电阻R3、电阻R4和电容C1组成，第一PMOS晶体管M1的源极通过电阻R1连接电源，其漏极通过电阻R2接地，其源极还连接A1的正相输入端；A2的两个输出端分别连接积分器的两个输入端，积分器的输出端连接A1的反相输入端。
具有频带扩展功能高速相位分裂电路

[发明专利]具有频带扩展功能的高速相位分裂电路-CN201210213505.7无效
发明人：李景虎;张远燚;李博阳 -专利权人： 福建一丁芯光通信科技有限公司
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2012-10-10 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：具有频带扩展功能的高速相位分裂电路，属于通信电路领域，本发明为解决解决现有相位分裂电路中的跨阻放大器带宽对前置放大器工作频率的限制。本发明所述具有频带扩展功能的高速相位分裂电路，它包括第一PMOS晶体管M1、电阻R1、电阻R2、相位分裂放大器和积分器，相位分裂放大器由第一放大器A1和第二放大器A2级联组成，积分器由第三放大器A3、电阻R3、电阻R4和电容C1组成，第一PMOS晶体管M1的源极通过电阻R1连接电源，其漏极通过电阻R2接地，其源极还连接A1的正相输入端；A2的两个输出端分别连接积分器的两个输入端，积分器的输出端连接A1的反相输入端。
具有频带扩展功能高速相位分裂电路

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