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- [发明专利]气体传感器-CN202310255081.9在审
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福中敏昭;古屋贵明
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旭化成微电子株式会社
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2023-03-16
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2023-09-19
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G01N21/3504
- 本发明提供能够抑制半导体基板的变形所引起的特性变动的气体传感器。气体传感器(1)包括：基板(重布线层30)；发光元件(11)，其设于基板的一侧的面即表面(30a)或埋入基板而设置；光接收元件(12)，其设于基板的表面或埋入基板而设置，接收从发光元件射出的光；以及多个外部连接端子(40)，其位于基板的与表面相反的面即背面(30b)，该多个外部连接端子的至少一部分外部连接端子与发光元件及光接收元件电连接，多个外部连接端子配置为，在俯视时连结任意两个外部连接端子的线上不存在发光元件和光接收元件。
- 气体传感器
- [发明专利]气体传感器-CN202111146006.6在审
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福中敏昭;加藤浩之
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旭化成微电子株式会社
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2021-09-28
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2022-04-05
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G01N21/3504
- 本发明提供一种小型且能够进行高精度测量的气体传感器。气体传感器(1)具有光接收元件(10)、发光元件(20)、集成电路(30)、引线框(40)以及将它们封装化的密封构件(80)。引线框(40)具有至少一个芯片焊盘部(41)和多个端子部(42)，芯片焊盘部(41)包括具有第1厚度的第1区域(41(R1))和具有比第1厚度薄的第2厚度的第2区域(41(R2))，集成电路30配置于芯片焊盘部(41)的第2区域(41(R2))上，与多个端子部(42)中的至少一个端子部电连接。
- 气体传感器
- [发明专利]霍尔传感器-CN201710470300.X有效
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福中敏昭;笠松新
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旭化成微电子株式会社
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2015-06-15
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2019-06-25
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H01L43/06
- 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。
- 霍尔传感器
- [其他]霍尔传感器以及镜头模块-CN201590000985.6有效
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福中敏昭
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旭化成微电子株式会社
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2015-09-18
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2018-03-02
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G01R33/07
- 本实用新型涉及一种能够防止泄漏电流产生、薄型且能够准确地检测磁的霍尔传感器以及镜头模块。霍尔元件(10)具有基板(11)、设置在基板(11)上的感磁部(12)、以及与感磁部(12)连接的多个电极部(13a至13d)。多个引线端子(21a至21d)配置于霍尔元件的周围。多个导线(31a至31d)将多个电极部的各电极部与多个引线端子的各引线端子分别电连接。密封构件(50)将霍尔元件、多个引线端子以及多个导线覆盖。构成为从密封构件的底面(E)至电极部与导线的第一接触点(a)的高度(h1)低于从密封构件的底面(E)至引线端子与导线的第二接触点(b)的高度(h2)。
- 霍尔传感器以及镜头模块
- [外观设计]霍尔传感器-CN201730281873.9有效
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福中敏昭
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旭化成微电子株式会社
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2017-06-30
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2017-12-15
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10-05
- 1．本外观设计产品的名称霍尔传感器。2．本外观设计产品的用途本产品为使用霍尔元件检测磁性的传感器。3．本外观设计产品的设计要点在于形状的设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片设计1仰视图。5．省略视图各设计的后视图与主视图对称，左视图和右视图对称。因此，省略设计1后视图、设计1左视图、设计2后视图和设计2左视图。6．指定基本设计设计1。
- 霍尔传感器
- [其他]霍尔传感器以及镜头模块-CN201590001011.X有效
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福中敏昭
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旭化成微电子株式会社
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2015-09-18
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2017-10-13
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H01L43/04
- 本实用新型涉及一种薄型且小型的、磁特性的偏差少的霍尔传感器以及镜头模块。将形成有引线端子(21a至21d)的金属板配置在基材(30)上，将霍尔元件(10)配置在由引线端子包围的区域，利用导线将电极部(13a至13d)与引线端子电连接，利用密封构件将霍尔元件、导线以及引线端子的作为与导线连接的面的第二面(M2)密封，去除基材(30)，使引线端子的与第二面相反的一侧的第一面(M1)从密封构件露出，引线端子在第二面上且以载置霍尔元件的位置为中心的椭圆形或多边形的周缘上具有高度差(D)，在距载置霍尔元件的位置近的一侧具有第一部位(N1)，在距载置霍尔元件的位置远的一侧具有第二部位(N2)，该引线端子形成为到第一部位的第二面的高度低于到第二部位的第二面的高度。
- 霍尔传感器以及镜头模块
- [发明专利]霍尔传感器-CN201510330421.5在审
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福中敏昭;笠松新
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旭化成微电子株式会社
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2015-06-15
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2015-12-23
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H01L43/06
- 本发明提供一种即使在无岛构造的霍尔传感器中使GaAs霍尔元件小型化和薄型化的情况下也能够防止漏电流的增大的霍尔传感器。具备：GaAs霍尔元件(10)，其具备设置在GaAs衬底(11)上的感磁部(12)、电极部(13a～13d)、以及设置在GaAs衬底的与设置有电极的面相反一侧的面侧的保护层(40)；引线端子(22～25)，其配置在GaAs霍尔元件的周围；金属细线(31～34)，其将电极与引线端子分别电连接；以及模制构件(50)，其对上述部件进行模制。保护层和引线端子的第一面(即同与金属细线连接的面相反一侧的面)从模制构件(50)的同一面露出。GaAs衬底的电阻率为5.0×107Ω·cm以上。
- 霍尔传感器
- [实用新型]磁传感器以及磁传感器装置-CN201320665569.0有效
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福中敏昭;长谷川秀则
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旭化成微电子株式会社
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2013-10-25
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2014-04-09
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H01L43/06
- 提供一种磁传感器以及磁传感器装置，在薄型化的小片中电流反向流过的情况下也能够防止漏电流的增大、即使反向安装也能够抑制漏电流的增大。具备：引线框(10)，其具有岛(11)以及配置在该岛(11)的周围的多个引线端子(12～15)；小片(20)，其经由粘接层安装在岛(11)上；以及多个金属细线(41～44)，其将小片(20)所具有的多个电极部(23a～23d)与多个引线端子(12～15)分别电连接。引线端子(12)是与岛(11)电连接的岛端子。另外，粘接层是使岛(11)与小片(20)之间绝缘的绝缘膏(30)、或者模片接触薄膜(150)的粘接层(130)。
- 传感器以及装置
- [实用新型]光电耦合器-CN201220101857.9有效
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福中敏昭;德尾圣一
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旭化成微电子株式会社
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2012-03-16
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2013-02-13
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H01L25/00
- 本实用新型提供光电耦合器。其能够进行低高度化且能够减少零件个数。该光电耦合器包括：布线基板(1)、接合在布线基板的表面(1a)上的I R发光装置(60)、接合在布线基板的表面上的与IR发光装置分开的位置的IR受光装置(50)，在布线基板的表面上，具有IR发光装置的发光部(61)的发光面(61a)与具有IR受光装置的光学滤光器(20)的受光面(20a)相对。IR发光装置与受光装置不是上下方向的位置关系，而是水平方向的位置关系，因此，能够减小光电耦合器的高度。另外，从发光面输出的光不会经由凹状的反射面等，而是直接向受光面入射，因此，不需要凹状的反射面等，能够减少零件个数。
- 光电耦合器
- [发明专利]磁电变换元件及其制造方法-CN03800860.2有效
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福中敏昭;山本淳
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旭化成电子株式会社
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2003-04-18
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2004-11-10
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H01L43/02
- 提供一种磁电变换元件及其制造方法，该磁电变换元件极其薄型而且不破坏元件就能进行安装时的良好与否的判断、还能使安装面积小。基板(3)是非磁性基板，引线(10)形成了第一厚度的背面连接用电极和通过切断出现的第一厚度的侧面电极。另外，在灵敏度更高的霍尔元件的情况下，基板(4)是高磁导率磁性体基板，引线(10)形成了第一厚度的背面连接用电极和通过切断出现的第一厚度的侧面电极。引线(10)的第一厚度的背面连接用电极部横跨与第一厚度相邻的磁电变换元件的内部电极(8)，用相同的第一厚度形成，通过切断其中央，形成第一厚度的侧面电极。
- 磁电变换元件及其制造方法
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