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[发明专利]薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法-CN201580083197.2有效
发明人：松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供通过调整多晶硅的结晶性从而适当地对特性进行了调整的薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法。TFT的沟道层中所含的硅层14包含非晶部141、第1多晶部142和结晶性更低的第2多晶部143。通过经过掩模2将激光照射于硅层14，该掩模2包含将激光(能量束)遮蔽的遮蔽部21、使激光透过的第1透过部22和激光的透过率更低的第2遮蔽部22，从而形成第1多晶部142和第2多晶部143。通过存在第2多晶部143，与多晶的部分的结晶性为一种的TFT相比，更为适当地调整迁移率等TFT的特性。另外，通过调整掩模2的构成，从而能够简便地调整TFT的特性。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管-CN201580083210.4有效
发明人：宇津木觉;石田茂;高仓良平;松岛吉明;野寺伸武;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够使特性的波动减小的薄膜晶体管的制造方法和薄膜晶体管。形成由非晶硅构成的第1硅层14，从成为TFT(薄膜晶体管)的构成物的规定区域内的一部分或全部到规定区域的外部照射能量束，使照射了能量束的部分变化为多晶硅。另外，以使规定区域残留的方式蚀刻第1硅层14，以覆盖蚀刻后的第1硅层14的方式形成由非晶硅构成的第2硅层15。第1硅层14和第2硅层15成为TFT的沟道层。多晶硅的位置不会由于照射位置的波动而波动，减小沟道层内的多晶硅的位置的波动，减小TFT的特性的波动。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]激光退火方法、激光退火装置及有源矩阵基板的制造方法-CN201880094154.8在审
发明人： 石田茂 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2018-06-06 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明实施方式的激光退火方法包括：在载物台(70)上配置表面形成有非晶硅膜的基板(1S)的工序；向非晶硅膜的被选择区域的表面供给‑100℃以下的第一氮气的工序；通过向供给第一氮气的被选择区域发射多个激光束(LB),在非晶硅膜内形成多个结晶硅岛的工序。
激光退火方法装置有源矩阵制造

[发明专利]薄膜晶体管的制造方法和显示面板-CN201580078999.4有效
发明人：野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管和显示面板。在基板的表面形成栅极，在形成了栅极的基板的表面形成绝缘膜。在形成了绝缘膜的基板的表面形成第一非晶硅层。对第一非晶硅层的分隔开的多个所需部位照射能量束，使所述所需部位变化为多晶硅层。所需部位分别位于栅极的上侧，是源极和漏极间的沟道区域。此时，对所述第一非晶硅层的与所述多个所需部位关联的其它部位也照射能量束，使其烧蚀，在该其它部位形成所需形状的除去部。以后，在形成用作源极和漏极的金属层时，在该金属层形成与所述除去部的形状相仿的呈凹部的凹坑。因此，利用该凹坑作为对准标记，在沟道区域的上侧的适当位置形成源极和漏极。
薄膜晶体管制造方法显示面板

[发明专利]薄膜晶体管以及显示面板-CN201580078351.7有效
发明人： 石田茂;野寺伸武;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-03-30 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管包括：栅电极(2)，形成于基板(1)的表面；第一非晶硅层(4)，形成于栅电极(2)的上侧；多个多晶硅层(51、52、53)，被第一非晶硅层(4)分离，并且具有所需的间隔尺寸而形成于栅电极(2)的上侧；第二非晶硅层(6)和n+硅层(7)，形成于多个多晶硅层(51、52、53)和第一非晶硅层(4)的上侧；源电极(8)和漏电极(9)，形成在n+硅层(7)上。
薄膜晶体管以及显示面板

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201780092980.4在审
发明人： 石田茂;井上智博;高仓良平 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含：基板1；栅极电极2，被基板1支撑；半导体层4，在栅极电极上介隔栅极绝缘层3而设置，包含第一区域Rs、第二区域Rd、位于第一区域以及第二区域之间，且，从基板的法线方向观察时与栅极电极重叠的源极漏极间区域SG；与第一区域相接的第一接触层Cs，以及与第二区域相接的第二接触层Cd；源极电极8s，经由第一接触层而与第一区域电连接；漏极电极8d，经由第二接触层而与第二区域电连接；其中半导体层包含结晶质硅区域4c，结晶质硅区域的至少一部分位于源极漏极间区域SG；半导体层位于源极漏极间区域SG，且，包含到达栅极绝缘层的至少一个开口部P。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201780093020.X在审
发明人： 石田茂;井上智博;高仓良平 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，包括薄膜晶体管(101)，所述薄膜晶体管(101)包含：半导体层(4)，于栅极电极(2)上介隔栅极绝缘层(3)而设置，具有第一区域(Rs)、第二区域(Rd)、以及位于第一区域以及第二区域之间，且从基板的法线方向看时与栅极电极重叠的源极漏极间区域(RG)；保护层(5)，配置于所述半导体层(4)上；与第一区域相接的第一接触层(Cs)以及与第二区域相接的第二接触层(Cd)；源极电极(8s)；以及漏极电极(8d)；半导体层(4)包含结晶质硅区域(4p)，结晶质硅区域(4p)的至少一部分位于源极漏极间区域(RG)；至少1个开口部(10)被设置，所述至少1个开口部(10)贯通保护层(5)以及半导体层(4)，且到达栅极绝缘层(3)，当从基板的法线方向看时，至少1个开口部(10)位于源极漏极间区域(RG)内。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及显示面板-CN201580040872.3有效
发明人：野寺伸武;石田茂;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供一种能够降低截止电流的薄膜晶体管以及具有该薄膜晶体管的显示面板。薄膜晶体管，包括：栅极电极(2)，形成于基板(1)的表面；多晶硅层(5)，形成于上述栅极电极的上侧；非晶硅层(4、6)，形成为覆盖上述多晶硅层；n+硅层(7)，形成于上述非晶硅层的上侧；以及源极电极(8)和漏极电极(9)，形成于上述n+硅层上；将上述多晶硅层、源极电极及漏极电极投影在上述基板表面的投影状态下，上述多晶硅层的一部分分别与上述源极电极和漏极电极的一部分重叠，且在上述投影状态下位于上述源极电极和漏极电极之间的上述多晶硅层中，与上述源极电极和漏极电极之间的长度方向正交的宽度方向上的最小尺寸小于上述源极电极和漏极电极的上述宽度方向上的尺寸。
薄膜晶体管显示面板

[发明专利]薄膜晶体管、显示装置和薄膜晶体管制造方法-CN201680087069.X在审
发明人：松岛吉明;石田茂;高仓良平;宇津木觉;野寺伸武;松本隆夫;道中悟志 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供特性差异小的薄膜晶体管、显示装置以及薄膜晶体管制造方法。薄膜晶体管具备栅电极、栅极绝缘膜、半导体层、蚀刻阻挡层以及源电极和漏电极。栅电极形成在基板上。栅极绝缘膜形成为覆盖栅电极。半导体层形成在栅极绝缘膜的上侧，半导体层含有多晶硅层，多晶硅层在俯视图中位于由栅电极界定的区域的内侧。蚀刻阻挡层位于多晶硅层的上侧。源电极和漏电极彼此隔着间隔地设置在半导体层上。多晶硅层具有不被蚀刻阻挡层覆盖的第一区域和第二区域，源电极的一部分存在于第一区域的上方，漏电极的一部分存在于第二区域的上方。
半导体层多晶硅层薄膜晶体管蚀刻阻挡层栅极绝缘膜漏电极源电极栅电极薄膜晶体管制造第二区域第一区域显示装置覆盖栅电极特性差异俯视图基板界定覆盖

[发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN201580083060.7在审
发明人： 石田茂;野寺伸武;高仓良平;松岛吉明;松本隆夫;小林和树;桶谷大亥 -专利权人：堺显示器制品株式会社
申请日： 2015-09-10 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供显示装置和该显示装置的制造方法，该显示装置具有：具有第1薄膜晶体管的像素；具有第2薄膜晶体管、驱动上述像素的驱动电路，通过以上述第1薄膜晶体管涉及的第1沟道区域和上述第2薄膜晶体管涉及的第2沟道区域的电特性(例如电子迁移率)不同的方式构成该显示装置，从而第1薄膜晶体管和第2薄膜晶体管能够适于各自职能地工作。
显示装置制造方法

[发明专利]糊剂涂敷方法及糊剂涂敷装置-CN201210298578.0有效
发明人：三井信治;宫本芳次;山本英明;中村秀男;石田茂 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够吸收由管嘴的移动方向的不同产生的涂敷高度的不同，确保玻璃糊剂的涂敷高度的精度的糊剂涂敷方法及糊剂涂敷装置。本发明的糊剂涂敷方法，为使管嘴（55a）沿蒸镀了有机EL元件的基片（8）的蒸镀部（A1）的周围移动，在基片（8）的蒸镀部（A1）的周围涂敷玻璃糊剂的糊剂涂敷方法；其特征在于：具有准备工序和涂敷工序；在该准备工序中，对管嘴（55a）沿蒸镀部（A1）的周围移动时的各移动方向设定对管嘴（55a）移动时的管嘴高度进行修正的管嘴修正量；在该涂敷工序中，对各移动方向以管嘴修正量修正管嘴高度，使管嘴（55a）沿蒸镀部（A1）的周围移动，涂敷玻璃糊剂。另外，本发明的糊剂涂敷装置，为按该糊剂涂敷方法在基片（8）上涂敷玻璃糊剂的糊剂涂敷装置（100）。
糊剂涂敷方法装置

[发明专利]糊剂涂敷装置以及糊剂涂敷方法-CN201210298580.8有效
发明人：三井信治;宫本芳次;山本英明;中村秀男;石田茂 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本发明以提供一种能够将玻璃糊剂的涂敷高度恰当地维持在规定的误差范围的糊剂涂敷装置以及糊剂涂敷方法为课题。本发明的糊剂涂敷装置以及糊剂涂敷方法的特征在于，在形成从喷嘴（55a）的始点（Ps）开始的始端部（101S）的部分，使喷嘴高度（Nh）比基准涂敷高度（StdH）低，喷嘴（55a）移动，在形成到喷嘴（55a）的终点（Pe）为止的终端部（101E）的部分，使喷嘴高度（Nh）比基准涂敷高度（StdH）高，喷嘴（55a）移动，在形成始端部（101S）的部分以及形成终端部（101E）的部分以外的部分，将喷嘴高度（Nh）作为基准涂敷高度（StdH），喷嘴（55a）移动，再有，在始端部（101S）和终端部（101E）的至少一部分，喷嘴（55a）以玻璃糊剂（Gp）被重叠地涂敷的方式移动。
糊剂涂敷装置以及方法

[发明专利]膏剂涂覆头、膏剂涂覆装置以及膏剂涂覆方法-CN201210070006.7有效
发明人：渡边健;石田茂;圆山勇;张晓东;渡边正贤 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种膏剂涂覆头、膏剂涂覆装置以及膏剂涂覆方法。本发明所要解决的技术问题是，能够以高精细的图案向大型玻璃基板高精度地涂覆密封材。本发明中，在膏剂涂覆头中，设置大容量的母膏剂收纳筒(23)和小容量的子膏剂收纳筒(24)，在该母膏剂收纳筒(23)收纳大量的膏剂。在子膏剂收纳筒(24)中，在向玻璃基板描绘膏剂图案时，将被收纳在这里的膏剂从喷嘴(22)排出。若子膏剂收纳筒(24)内的膏剂的收纳量变少，则将分隔阀(30)开放，使母膏剂收纳筒(23)和子膏剂收纳筒(24)经膏剂充填流路(27)连通，将母膏剂收纳筒(23)内的膏剂向子膏剂收纳筒(24)补充。
膏剂涂覆头装置以及方法

[实用新型]平板制造用浆料涂敷机-CN201020140950.1有效
发明人：川隅幸宏;渡边健;小菅忠男;石田茂 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： B05C5/00 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种平板制造用浆料涂敷机，能够以简单的构成具备多个涂敷头并且实现轻量化，能够在基板上正确地描绘要求形状的浆料图案。浆料涂敷机(100)具备：配置在架台(1)上且放置基板(8)的基板保持盘(6)；利用直线电动机可在X轴方向移动的支架(2A、2B)；配置在支架(2A、2B)上且利用直线电动机可在Y轴方向移动的涂敷头(5A～5D)；以及使支架(2A、2B)及涂敷头(5A～5D)分别移动并向基板(8)连续地喷出浆料而描绘浆料图案的主控制部(9)及副控制部(10)。而且，基板保持盘(6)在平行的多个纵部件上固定与纵部件正交且互相平行的多个横部件而构成为井字形。
平板制造浆料涂敷机

[实用新型]液晶滴落装置-CN201020140962.4有效
发明人：郡司升一;川隅幸宏;小菅忠男;石田茂 -专利权人：株式会社日立工业设备技术
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： G02F1/1341 文献下载
摘要：本实用新型的课题在于提供一种调整等事前准备容易的、能够将适量的液晶剂滴落在玻璃基板上的液晶滴落装置。液晶滴落装置(1)中，使喷嘴(33)位于下方且垂直配置微型注射器(30)，液晶罐(20)经由第二供给管(23)、缓冲罐(21)、第一供给管(22)与配置在前端部(30a)和喷嘴(33)之间的三通阀(34)连接。控制装置(10)切换三通阀(34)以使前端部(30a)和第二供给管(23)连通，使活塞(31)上升而将液晶剂(LC)从液晶罐(20)吸入微型注射器(30)后，切换三通阀(34)以使前端部(30a)和喷嘴(33)连通，使活塞(31)下降而将微型注射器(30)的液晶剂(LC)从喷嘴(33)喷出。而且，控制装置(10)基于活塞(31)下降时的移动量算出液晶剂(LC)的喷出量。
液晶滴落装置

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