专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]预浸料及其制造方法-CN201280007784.X有效
  • 铃木贵也;石渡丰明;铃木庆宜;沼田博 - 东邦泰纳克丝株式会社
  • 2012-03-21 - 2017-04-05 - C08J5/24
  • 根据本发明,提供预浸料,其包含由强化纤维基材、和在该强化纤维基材形成的强化纤维层内浸入的、至少含有环氧树脂及热塑性树脂的环氧树脂组合物构成的一次预浸料;由在该一次预浸料的单面或两面形成的、至少含有环氧树脂及溶解于环氧树脂的环氧树脂可溶性热塑性树脂的环氧树脂组合物构成的表面层;其特征在于,一次预浸料的环氧树脂组合物和表面层的环氧树脂组合物的仅任一方含有环氧树脂的固化剂。
  • 料及制造方法
  • [发明专利]芳香族聚酰亚胺膜及其制造方法-CN200680010270.4无效
  • 石渡丰明;松尾十峰;城户伸明 - 帝人株式会社
  • 2006-03-27 - 2008-03-26 - C08J5/18
  • 本发明的目的在于提供具有特定的弹性模量和热膨胀系数的芳香族聚酰亚胺膜及其制造方法。本发明是芳香族聚酰亚胺膜,包含含有70摩尔%以上式(I)表示的重复单元的芳香族聚酰亚胺,并满足下述式(1)和(2),CTEMD≤-11×MiMD+70(1);CTETD≤-11×MiTD+70(2),其中,CTEMD表示长度方向的平面热膨胀系数(ppm·K-1),CTETD表示宽度方向的平面热膨胀系数(ppm·K-1),MiMD表示长度方向的弹性模量(GPa),MiTD表示宽度方向的弹性模量(GPa)。本发明还提供该芳香族聚酰亚胺的制造方法。
  • 芳香族聚酰亚胺及其制造方法
  • [发明专利]层合件-CN200480038297.5无效
  • 石渡丰明;佐胁透;吉富孝;中村勤 - 帝人株式会社
  • 2004-12-22 - 2007-02-28 - B32B27/34
  • 本发明目的在于提供适合用作电子安装用途中的绝缘层、半导体装置用途中的半导体晶片固定用粘合性膜的层合件,以及使用了该层合件的各种层合件和层合件的制造方法。本发明涉及由基材层(A)和粘合层(B)构成、在A层的单面或两面形成有B层的层合件(I),其中A层是由(A-1)特定的全芳族聚酰亚胺(PIA-1)或(A-2)特定的全芳族聚酰胺(PAA-2)形成的膜,B层由(B-1)特定的全芳族聚酰亚胺(PIB-1)、(B-2)特定的全芳族聚酰胺(PAB-2)或(B-3)含有全芳族聚酰亚胺 (PIB-3)和特定的全芳族聚酰胺(PAB-3)的树脂组合物(RCB-3)形成,还涉及使用了该层合件的层合件以及层合件的制造方法。
  • 层合件
  • [发明专利]粘合片材和层合体-CN200480003237.X无效
  • 吉富孝;小岛一范;中村勤;石渡丰明;佐胁透 - 帝人株式会社
  • 2004-01-28 - 2006-03-08 - C09J7/02
  • 本发明提供粘合片材、含有该粘合片材的层合体以及它们的制造方法,其中所述粘合片材含有基材(A)和热粘合层(C),并具有特定的剥离强度或剪切剥离强度,其中所述基材(A)含有玻璃化转变温度为200℃或以上的全芳族聚酰亚胺薄膜,所述热粘合层(C)含有具有玻璃化转变温度为200℃-500℃特性的全芳族聚酰胺。本发明还提供:通过对含该粘合片材的层合体实施处理后进行剥离,来获得含有目标被处理层的层合体的方法。
  • 粘合合体
  • [发明专利]聚酰亚胺薄膜及其制造方法-CN03825551.0无效
  • 石渡丰明;中村勤;小岛一范;佐胁透 - 帝人株式会社
  • 2003-03-31 - 2005-12-28 - C08J5/18
  • 一种高杨氏模量且耐湿热性良好、低吸湿性的取向聚酰亚胺薄膜及其制造方法。是主要由均苯四酸成分和30%摩尔-99%摩尔的对苯二胺成分与1%摩尔-70%摩尔的下式(II)的构成单元所示二胺成分形成的聚酰亚胺薄膜,其特征在于:面内存在杨氏模量为3GPa以上的垂直的两个方向,在72%RH、25℃的吸湿率为3.3wt%以下。ArIIa和ArIIb各自独立为可含有非反应性取代基的碳原子数6-20的芳基,上述构成单元(II)中的X由至少一种选自-O-、-O-ArIIc-O-、-SO2-、-O-ArIId-O-ArIIe-O的结构构成。
  • 聚酰亚胺薄膜及其制造方法
  • [发明专利]全芳香族聚酯及其制造方法-CN01803889.1无效
  • 三好孝则;樱井博志;石渡丰明;松村俊一 - 帝人株式会社
  • 2001-01-17 - 2003-02-05 - C08G63/82
  • 本发明提供不预先将二羧酯和二元醇酯化,而直接由二羧酸和二元醇通过熔融聚合,在工业上廉价且短时间地制造耐热性、机械特性及色相优异的高聚合度的芳香族聚酯的方法。使例如对苯二甲酸之类的芳香族二羧酸、例如2,2-双(4-羟基苯基)丙烷之类的芳香族二元醇及二芳基碳酸酯进行加热熔融反应来制造全芳香族聚酯时,将特定的吡啶化合物和碱金属碳酸(氢)盐的组合、特定的吡啶化合物和有机锡化合物的组合或特定的有机钛化合物作为催化剂而使之存在。由此,可制得具有前述性能的全芳香族聚酯。
  • 芳香族聚酯及其制造方法

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