专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种防伤手安瓿开瓶器-CN202223542302.0有效
  • 白晓娜 - 白晓娜
  • 2022-12-29 - 2023-05-09 - B67B7/54
  • 本实用新型涉及安瓿技术领域,且公开了一种防伤手安瓿开瓶器,包括把手,所述把手的一端固定连接有第一固定块,所述第一固定块正面与背面的一端均固定连接有第一连接杆,所述第一连接杆的表面固定连接有第二连接杆,所述第二连接杆的一端内壁固定连接有第一支撑杆,所述第一支撑杆的两端均固定连接有支撑板,所述支撑板正面的两侧均固定连接有滑槽板。该防伤手安瓿开瓶器,通过可调节切割装置、滑槽板等结构的设置,将安瓿瓶放置在两个支撑板之间,并推动主体连接杆使可调节切割装置在滑槽板上滑动,从而使切割刀片抵住安瓿瓶的易碎处,进而将安瓿瓶切开提取药液,避免因安瓿瓶的口径不同,而妨碍到接下来的切割处理。
  • 一种防伤手安瓿开瓶器
  • [发明专利]一种半导体制造方法-CN201410014281.6有效
  • 张艳旺;王根毅;白晓娜 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2014-01-13 - 2018-02-27 - H01L21/336
  • 本发明提供一种半导体制造方法,包括A、提供衬底,在所述衬底正面的终端区形成场限环;B、在所述衬底正面进行有源区光刻刻蚀,形成截止环的刻蚀区域;其特征在于,还包括C、向所述截止环的刻蚀区域进行N+表面注入,形成截止环;D、在所述衬底正面有源区形成沟槽,淀积多晶硅之后,进行P型体区注入;E、进行N+阱光刻,注入,退火,形成N+发射极;F、进行正面金属化及背面金属化处理。采用本发明所述技术方案,在不增加版图的基础上,形成真正意义的截止环,能够有效限制最外侧场限环的展宽,截止环真正起到作用。
  • 一种半导体制造方法
  • [发明专利]重掺杂P型衬底背封工艺方法-CN201310382900.2有效
  • 白晓娜;王根毅 - 无锡华润上华科技有限公司
  • 2013-08-28 - 2017-10-27 - H01L21/331
  • 一种重掺杂P型衬底背封工艺方法,包括以下步骤提供重掺杂P型衬底,重掺杂P型衬底包括层叠的重掺杂P型基片和N型外延层;在重掺杂P型衬底的外面形成氧化层,氧化层包覆重掺杂P型衬底;在氧化层的外面形成多晶硅层,多晶硅层包覆氧化层;去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的多晶硅;去除N型外延层远离重掺杂P型基片的一侧的氧化物。上述重掺杂P型衬底背封工艺方法,重掺杂P型基片远离N型外延层的一侧的表面、重掺杂P型基片的侧面以及N型外延层的侧面都被层叠的氧化物和多晶硅覆盖。层叠的氧化物和多晶硅作为保护层,能够有效防止重掺杂P型基片中的P型杂质扩散到N型外延层。
  • 掺杂衬底工艺方法
  • [实用新型]一种外墙预制板复合后浇带结构-CN201621451018.4有效
  • 关伟;岳齐贤;程由奎;白晓娜 - 宁波二十冶建设有限公司;上海二十冶建设有限公司
  • 2016-12-27 - 2017-10-20 - E04B1/682
  • 本实用新型提供了一种外墙预制板复合后浇带结构,属于房屋建筑施工技术领域;它解决了现有施工结构施工不方便、施工效率低的技术问题;本实用新型的技术方案为一种外墙预制板复合后浇带结构,包括墙体,其具有内墙面与外墙面;施工缝,其预留于墙体上;预制板,其位于施工缝处且预制板的两侧分别与外墙面相对;防水层,其分别与预制板和外墙面贴紧;锚固钢筋,其与预制板固连并伸入施工缝中;现浇钢筋混凝土层,其待预制板贴于外墙面后现浇于施工缝中;本实用新型的有益效果为其结构简单,施工方便,对于整个墙体而言,其防水效果较好,整个施工过程时间较短、施工效率较高,节省了时间与施工成本。
  • 一种外墙预制板复合后浇带结构
  • [发明专利]栅氧生长方法-CN201310450743.4在审
  • 白晓娜;王根毅 - 无锡华润上华半导体有限公司
  • 2013-09-27 - 2015-04-15 - H01L21/285
  • 本发明公开了一种栅氧生长方法,包括如下步骤:将需要进行栅氧生长的圆片放入反应室内,通入氧气使得所述圆片置于氧气氛围下,接着对所述圆片进行升温直至温度升高至工艺温度;保持温度为工艺温度并维持氧气的通入,开始通入DCE使得所述圆片置于氧气和DCE的混合氛围下;保持温度为工艺温度并维持氧气和DCE的通入,开始通入氢气直至栅氧生长完成;关闭DCE、氢气和氧气的通入,开始通入氮气直至圆片降温至非工艺温度。这种栅氧生长方法通过添加含有Cl的气体DCE,在栅氧生长的步骤中,DCE由于热氧化而生成的Cl起了O与Si反应的催化剂的作用,从而大大提高了氧化速率。这种栅氧生长方法,相对于传统的干法氧化法,生产效率较高。
  • 生长方法

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