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[发明专利]纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法-CN202310555292.4在审
发明人：高国英;孙荣鑫;魏旭东;武英举;王霖;于栋利;徐波;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
纳米碳化硅硬块及其制备方法

[发明专利]多孔热电合金材料及其制备方法-CN202011547273.X有效
发明人：徐波;田永君;赵鹏;于凤荣;胡文涛;赵智胜;于栋利;何巨龙;柳忠元 -专利权人：燕山大学
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔热电合金材料及其制备方法。具体地，本发明公开了一种多孔热电合金材料，其微观组织结构由准等轴晶粒和均匀分布的孔隙构成。本发明还公开了一种所述多孔热电合金材料的制备方法。具有本发明微观结构特征的多孔热电合金材料的机械性能并未因孔隙的存在而明显减弱，且具有优异的热电性能。如对于Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材，其维氏硬度、抗弯强度和抗压强度分别可达0.6GPa、64MPa和130MPa，另外，Bi0.42Sb1.58Te3多孔块材的最大热电优值ZT和平均ZT值分别可达1.27和1.15。该发明在保证材料具有优异热电性能的同时，兼具有良好的机械性能，同时减少了原料消耗，进而降低生产成本，具有良好的产业化前景。
多孔热电合金材料及其制备方法

[发明专利]异质结构金刚石/立方氮化硼复合块材及其制备方法-CN202210581528.7有效
发明人：徐波;李宝忠;赵智胜;应盼;高宇飞;胡文涛;孙磊;刘兵;陈俊云;于栋利;何巨龙;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型异质结构金刚石/立方氮化硼(cBN)复合块材及其制备方法，属于超硬复合材料领域。本发明以洋葱碳纳米颗粒和六方BN微米片为原料，通过静电自组装工艺精心制备了洋葱碳纳米颗粒包裹六方BN微米片的前驱体，然后结合高温高压条件下的结构相变，使洋葱碳纳米颗粒转变成了纳米孪晶金刚石，六方BN微米片转变成了细长片层状cBN，两者构筑成异质结构金刚石/cBN复合块材。合成的异质结构金刚石/cBN复合块材的努氏硬度为50‑180GPa，断裂韧性为15‑25MPa·m1/2。这种金刚石/cBN复合块材在精密机械加工、地质勘探及化石燃料开采等领域具有广阔的应用前景。
结构金刚石立方氮化复合及其制备方法

[发明专利]高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法-CN202210269742.9有效
发明人：赵智胜;欧阳魏;武英举;张祥;梁子太;何巨龙;于栋利;徐波;柳忠元;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： C04B35/528 文献下载
摘要：本申请提供高强致密的类洋葱碳块材及其制备方法。具体地，本申请提供了一种高强致密的类洋葱碳块材，其中所述高强致密的类洋葱碳块材由类洋葱结构基元构成，密度为1.9‑2.3g/cm3。本申请还提供一种制备本申请高强致密的类洋葱碳块材的方法。本申请高强致密的类洋葱碳块材中的类洋葱碳结构基元尺寸小于100nm，烧结致密，因此具有高强度、高密度以及高导电性，可以替代石墨材料进行应用。
高强致密洋葱碳块材及其制备方法

[发明专利]纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法-CN202111574952.0有效
发明人：高国英;孙荣鑫;魏旭东;武英举;王霖;于栋利;徐波;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B35/565 文献下载
摘要：本申请涉及一种纳米晶碳化硅超硬块材及其制备方法。该纳米晶碳化硅超硬块材的平均晶粒尺寸小于100nm，维氏硬度等于或高于40GPa。该制备方法包括以下步骤：A)预处理：称取一定质量的碳化硅纳米粉，酸洗处理，水稀释至接近中性后取出烘干；B)预压成型：将A)预处理后的原料进行预压，得到预压坯体；C)烧结：对步骤B)得到的预压坯体进行高温高压烧结；D)出料：对步骤C)中的高温高压烧结设备进行降温卸压，取出烧结后的碳化硅块体，进行任选的后处理，获得了纳米晶碳化硅超硬块材。
纳米碳化硅硬块及其制备方法

[发明专利]导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法-CN202111397981.4在审
发明人：赵智胜;刘兵;李子鹤;武英举;罗坤;孙磊;李宝忠;何巨龙;于栋利;柳忠元;胡文涛;徐波;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电高强金刚石/非晶碳复合材料及其制备方法。该金刚石/非晶碳复合材料由非晶碳连续相和嵌在非晶碳连续相中的金刚石颗粒组成，其中金刚石颗粒表现出有序的sp3杂化态，非晶碳连续相表现出无序的sp2杂化态。本发明还公开一种制备上述金刚石/非晶碳复合材料的工艺方法。该工艺方法包括以sp3碳粉体或玻璃碳为原料通过烧结获得所述材料。该金刚石/非晶碳复合材料显示出良好的导电特性以及良好的电火花加工能力，化学稳定性好且质地较轻，在航空航天、汽车工业和生物医学设备中有着广阔的应用前景。
导电高强金刚石非晶碳复合材料及其制备方法

[发明专利]一种相比例可控TiAl单晶及其调控方法-CN202310137034.4在审
发明人：李鹏;孔令为;邢智斌;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种相比例可控TiAl单晶及其调控方法，属于金属材料热处理技术领域。本发明在高真空度(10‑4Pa)下，将TiAl单晶依次进行升温、保温和冷却；保温温度为900～1340℃，时间为3～100h。发现通过热处理温度与时间的有效结合，可以将原始样品中占比15％的α2相最多调控至40％，最少调控至5％，并且可以达到往复调控的效果。力学性能也可以进行有效调控，抗拉强度的调控范围为617～1174MPa，伸长率为2.6～15.7％。这是由于在热处理过程中TiAl单晶中的元素扩散以及两相转变导致。
一种相比可控 tial 及其调控方法

[发明专利]键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法-CN202211655012.9在审
发明人：李鹏;邢智斌;孔令为;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态TiAl单晶及其扩散键合工艺方法。对焊缝处进行EBSD等试验表征，结果表明：焊接之前将TiAl单晶待焊面表面粗糙度降低至200nm以下，压力在10～50MPa之间，焊接温度在950～1250℃之间，保温时间为1～10h时TiAl单晶样品焊合率在90％以上，实现了有效扩散键合；在10～30MPa压力下，焊接温度在1050～1150℃之间，保温时间为3～10h时焊缝处无再结晶生成，完全通过原子之间直接键合，进一步优化实现了TiAl单晶的无再结晶原子级扩散键合，焊合率高达95％以上。本发明操作方法简单、节能环保、可批量进行压焊，从而得到大尺寸键合态TiAl单晶。
键合态 tial 及其扩散工艺方法

[发明专利]高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法-CN202111168176.4在审
发明人：赵智胜;武英举;梁子太;张洋;王小雨;诸葛泽文;何巨龙;于栋利;徐波;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/52 文献下载
摘要：本申请提供一种高弹性、高密封性的多孔碳块体材料及其制备方法。具体地，本申请提供了一种多孔碳块体材料，其中，所述多孔碳块体材料的孔径范围为3‑100nm，孔隙率为50‑87％，且所述多孔碳块体材料中的孔为闭孔。本申请还提供一种制备本申请多孔碳块体材料的方法。本申请的多孔碳块体材料的孔径小、孔隙率高且气孔均为闭孔，因而，同时具有高强度和高弹性，且具有高密封性和低密度，可以用作密封材料。
弹性密封性多孔块体材料及其制备方法

[实用新型]一种用于轴承滚子的端面检测装置-CN202222776761.9有效
发明人：丛家治;田永君;李清 -专利权人：瓦房店鼎盛精密轴承制造有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于轴承滚子的端面检测装置，属于轴承滚子生产技术领域，其包括固定座，所述固定座的表面固定连接有两个支撑柱，所述固定座的内壁固定连接有电机，所述电机的正面固定连接有第一转轴，所述第一转轴的一端固定连接有转动杆，所述转动杆的一端通过销轴与滑块的侧面铰接。该用于轴承滚子的端面检测装置，通过设置电机，启动电机，齿环块、连接杆和气动卡爪能够同步运动并将第一滑台上待检测的轴承移动并翻面，使得该装置能够自动化的对待检测的轴承进行运输和翻面检测，避免需要人力对其进行二次复检的情况，保障了该装置整体的加工检测效率的同时，也提高了工作人员的工作效率，进而降低了一定的生产成本。
一种用于轴承滚子端面检测装置

[实用新型]一种轴承滚子弧形面的磨削机构-CN202222851848.8有效
发明人：丛家治;田永君;李清 -专利权人：瓦房店鼎盛精密轴承制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轴承滚子弧形面的磨削机构，属于轴承加工技术领域，其包括底板，所述底板的上表面设置有驱动组件、定位组件和积尘组件。该轴承滚子弧形面的磨削机构，通过设置磨削架、吸尘管、扇叶、积尘壳、导管和连接管，控制电机工作，滚子磨削时产生的粉尘掉落到清理刷的上方，因清理刷与滚子接触，清理刷可将滚子磨削时产生的粉尘刷掉，同时滚子磨削时产生的粉尘和清理刷清理出的粉尘在转动扇叶的吸取下通过两个吸尘管、两个导管、连接管和伸缩管运动到积尘壳内，滚子在磨削完成后不需要在使用工具对其表面的粉尘单独进行清理，操作简单，提高了滚子的生产效率，且滚子磨削时产生的粉尘不易对周围的环境造成污染。
一种轴承滚子弧形磨削机构

[实用新型]一种高精度轴承滚子表面缺陷测量装置-CN202222872240.3有效
发明人：丛家治;田永君;李清 -专利权人：瓦房店鼎盛精密轴承制造有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N19/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高精度轴承滚子表面缺陷测量装置，属于轴承检测技术领域，其包括工作台，所述工作台的上表面与第一安装板的下表面相互搭接，所述工作台的上表面与第二安装板的下表面相互搭接，所述第二安装板的一侧卡接有活动板，所述活动板和第一安装板的内壁均卡接有若干个卡盘，位于正面的若干个卡盘的一端均开设有卡槽，所述卡槽的内壁与卡板的表面相互卡接。该高精度轴承滚子表面缺陷测量装置，通过设置检测块、卡板和第一安装板，方便了通过该测量装置对滚子进行快速检测，同时，可持续对滚子进行上料，使得该测量装置的工作效率大大提高，避免因采用肉眼观察而导致滚子检测的准确性降低，进而保障了滚子的加工精度。
一种高精度轴承滚子表面缺陷测量装置

[实用新型]一种精密轴承滚子磁粉探伤装置-CN202222620363.8有效
发明人：丛家治;田永君;李清 -专利权人：瓦房店鼎盛精密轴承制造有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N27/84 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种精密轴承滚子磁粉探伤装置，属于轴承检测技术领域，其包括探伤检测器，所述探伤检测器的上表面开设有两个卡槽，所述探伤检测器内开设有控制槽，所述控制槽与两个卡槽相连通，两个卡槽内均设置有连接板。该精密轴承滚子磁粉探伤装置，通过设置卡槽，在控制槽内弹簧的弹力作用下配合着固定杆将两个连接板和安装块推动至相互远离，技术人员以连接线为受力点对本装置进行携带，该方式通过安装块对安装槽进行卡接，使得探伤检测器与检测控制仪合体，能够有效的对主要控制的部位进行防护，避免了主要控制部位因外界碰撞导致变形或损坏的情况发生，同时在携带中为技术人员带来便捷的效果。
一种精密轴承滚子探伤装置

[实用新型]一种轴承滚子直径检测机-CN202222106129.3有效
发明人：丛家治;田永君;李清 -专利权人：瓦房店鼎盛精密轴承制造有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01B21/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轴承滚子直径检测机，属于轴承检测技术领域，其包括底座，所述底座的上表面与安装板的下表面固定连接，所述底座内设置有分类板，所述分类板的另一侧与输送板对应的一侧相连通，所述限位板内开设有滑槽，所述滑槽内滑动连接有固定杆，所述固定杆外套设有弹簧。该轴承滚子直径检测机，通过设置支撑板、收集箱、分类板、输送板、斜板、斜块和斜槽，该轴承滚子直径检测机采用分类板和输送板的设计后，将长度不同的轴承滚子检测通过支撑板输送到分类板内，而后分类板能够对长度不同的轴承进行分类输送到输送板内，避免了轴承滚子在统一存放时发生混乱的现象，有效的提高了该轴承滚子直径检测机的工作效率。
一种轴承滚子直径检测

[发明专利]键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法-CN202211654472.X在审
发明人：李鹏;庞磊;徐向前;舒予;田永君 -专利权人：燕山大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了键合态铜单晶及其原子级扩散键合工艺方法。对比了不同压力、升温速率以及保温时间对块体铜单晶之间扩散键合效果的影响。通过对焊缝处进行EBSD表征发现：将待焊面表面粗糙度降低至150nm以下，在小于20MPa的压力下在550～650℃下保温0.5～2h后可实现无再结晶的大块铜单晶样品有效焊合。通过TEM高分辨分析进一步证实了大块铜单晶之间首次实现了原子级的扩散键合。本发明操作方法简单、节能环保、可进行批量压焊处理，从而得到无明显焊缝原子级键合态铜单晶体。
键合态铜单晶及其原子扩散工艺方法

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