专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氧化硅薄膜制备方法-CN202211339868.5在审
  • 王锦标;杜一帅;田圣居;徐照英;张腾飞;苏永要 - 重庆文理学院
  • 2022-10-27 - 2023-05-12 - C23C14/34
  • 本发明提供一种氧化硅薄膜制备方法,包括如下步骤:对玻璃衬底依次在丙酮和无水乙醇中进行三次、每次5分钟超声波清洗;将氩气通入真空室进行洗气;调节真空室内氩气压强到1.2~3.0Pa,施加脉冲偏压‑800~‑1000V对衬底进行等离子体刻蚀清洗;将溅射电源的电流设为0.1A对硅靶进行溅射;控制真空室压强为0.4~0.6Pa,基体偏压为‑100V,调整中频电流在0.1A~0.27A进行沉积镀膜。通过设置不同的溅射功率,获得不厚度、不同光透性的氧化硅薄膜;薄膜在390~800nm可见光波长范围内光透过率均超过87%,在2800‑3300nm的远红外波长范围内,透过率随溅射电流的增加而降低。
  • 一种氧化薄膜制备方法

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