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[发明专利]具有提高的抗光致衰退性的硅基太阳能电池-CN201380024285.6无效
发明人：沙维尔·马尔顿;丹尼尔·博雷洛;斯特凡诺·贝纳利;约翰内斯·迈耶;乌尔里希·克罗尔;玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留 -专利权人： TEL太阳能公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明描述了一种具有高的抗光致衰退性的太阳能装置。设置在p掺杂半导体层与本征半导体层之间的宽光学带隙界面层通过含氢等离子体处理而成为抗光致衰退的。在一个实施方案中，p-i-n结构形成为在p/i界面处具有界面层。可选地，在本征层与n掺杂层之间形成有经含氢等离子体处理的另外的界面层。可替代地，在沉积n掺杂半导体层之前使用含氢等离子体处理本征层的上部。界面层还可应用于具有多个p-i-n结构的多结太阳能电池。p掺杂层和n掺杂层可选地可以包括不同组成和不同形态(例如，微晶或非晶)的子层。整体结构既表现出对于光致衰退的增加的稳定性又表现出提高的性能水平。
具有提高抗光致衰退太阳能电池

[发明专利]薄膜太阳能电池中的中间反射结构-CN201280065857.0无效
发明人： 玛丽安娜·费乔鲁-莫拉留 -专利权人： TEL太阳能公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L31/0368 文献下载
摘要：本发明涉及高效率和低生产成本的多结薄膜太阳能电池(70)。多结薄膜太阳能电池的组成电池之一(61)的n层(64，65，66，67)具有沿入射光的预期的方向包括非晶氢化硅n层(64)、第一微晶氢化硅n层(65)、中间反射层(66)和第二微晶氢化硅n层(67)的序列的结构，其中中间反射层为如下中之一：单个微晶的基本为硅氧化物的层；或多个层序列，每个层序列均沿入射光的预期的方向包括微晶的基本为硅氧化物的层和微晶硅n层。本发明还涉及制造以上n层(64，65，66，67)的方法，以及涉及制造上述多结薄膜太阳能电池(70)的方法。
薄膜太阳能电池中的中间反射结构