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- [发明专利]一种半导体处理装置-CN201811040534.1有效
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2018-09-07
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2023-10-17
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H01L21/67
- 本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室。在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第一腔室部的半导体晶圆的第一侧表面的外缘部分，第二腔室部的内壁表面至少抵靠在靠近第二腔室部的半导体晶圆的第二侧表面的外缘部分，第一腔室部的内壁表面和第二腔室部的内壁表面之间形成有位于半导体晶圆外侧的外端面微处理空间。借助外端面微处理空间，本发明能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。
- 一种半导体处理装置
- [发明专利]一种半导体处理装置-CN201811040519.7有效
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2018-09-07
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2023-10-13
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H01L21/67
- 本发明提供了一种半导体处理装置，其包括：第一腔室部；可相对于第一腔室部在打开位置和关闭位置之间移动的第二腔室部，其中在第二腔室部相对于第一腔室部位于所述关闭位置时，第一腔室部和第二腔室部之间形成有微腔室。第一腔室部具有在该第一腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第一槽道，第二腔室部具有在该第二腔室部面向所述微腔室的内壁表面形成的第二槽道，在第二腔室部相对于第一腔室部位于关闭位置且微腔室内容纳有半导体晶圆时，第一槽道和第二槽道连通并共同形成边缘微处理空间，容纳于微腔室内的半导体晶圆的外缘伸入边缘微处理空间。借助边缘微处理空间，本发明能够实现对半导体晶圆的外缘的处理。
- 一种半导体处理装置
- [发明专利]显示装置-CN202211226571.8在审
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王致凯
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友达光电股份有限公司
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2022-10-09
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2022-12-06
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H01L25/075
- 一种显示装置，包括载板及多个像素单元。各个像素单元具有第一发光元件。这些像素单元设有多个第二发光元件和多个第三发光元件，且包括沿着第一方向依序排列的第一像素单元、第二像素单元、第三像素单元及第四像素单元。相邻的第一像素单元和第二像素单元共用一第二发光元件和一第三发光元件。相邻的第三像素单元和第四像素单元共用另一第二发光元件和另一第三发光元件。相邻的第二像素单元和第三像素单元的两个第一发光元件之间未设有这些第二发光元件和这些第三发光元件。
- 显示装置
- [发明专利]晶圆表面局部处理方法-CN202210544585.8在审
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2022-05-19
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2022-08-16
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H01L21/306
- 本发明公开了一种晶圆表面局部处理方法，其涉及半导体技术领域，第一腔室部的表面凹陷形成有凹槽道，第一腔室部具有与凹槽道的第一位置连通的第一通孔和与凹槽道的第二位置连通的第二通孔；晶圆表面局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；依次将第一反应液、隔离流体、第二反应液自第一通孔通入凹槽道中；向第一通孔中通入动力流体以使动力流体推动第一反应液、隔离流体和第二反应液在凹槽道中流动。本发明能够对晶圆表面局部给定深度范围内的硅进行腐蚀以对硅材料中该深度范围内的污染杂质进行提取与检测。
- 表面局部处理方法
- [实用新型]超高真空设备晶圆载盘-CN202122088580.2有效
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陈意桥;王致凯;张国祯
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苏州焜原光电有限公司
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2021-09-01
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2022-01-04
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H01L21/67
- 本实用新型是针对采用现技术载盘结构支撑超高真空设备晶圆，易使晶圆受热不均匀、造成热和材料泄漏，工艺条件观察不力、使得晶圆的有效使用面积减少的技术问题，提供一种超高真空设备晶圆载盘，它包括载盘本体，在载盘本体内表面设置有环状固定沿和直边固定沿，二者的上表面处于同一平面并相交，在载盘的直边固定沿上方的内圆周表面上设置有向圆周内表面外凸起的直边凸沿，直边凸沿直边固定沿相对，采用本实用新型结构的超高真空设备晶圆载盘，不仅能将晶圆支撑固定在载盘上，对晶圆的整个外表面进行限位，防止晶圆与载盘间发生相对位移，且可以防止晶圆角部与载盘直边固定沿与载盘内圆周表面形成的边角发生碰撞，使晶圆受热更均匀。
- 超高真空设备晶圆载盘
- [发明专利]晶圆局部处理方法-CN201710078488.3有效
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2017-02-14
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2021-01-01
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G01N33/00
- 本发明公开了一种晶圆局部处理方法，其涉及半导体技术领域，该方法包括：将待处理的晶圆的一个表面与形成有凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；将用于对晶圆表面进行腐蚀和/或提取的预设量的腐蚀液自第一通孔通入凹槽道中；向第一通孔中通入动力流体以使动力流体推动腐蚀液在凹槽道中流动；通过动力流体将凹槽道中的腐蚀液推动至第二通孔以排出凹槽道；将自第二通孔排出的腐蚀液自第二通孔通入凹槽道中；向第二通孔中通入动力流体以使动力流体推动腐蚀液在凹槽道中流动，直至动力流体将凹槽道中的腐蚀液推动至第一通孔排出凹槽道。本发明中的方法能够有效控制腐蚀液与晶圆给定的深度范围内的硅进行腐蚀以对硅材料中该深度范围内的污染杂质进行提取与检测。
- 局部处理方法
- [发明专利]晶圆局部处理方法-CN201710078489.8有效
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温子瑛;王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2017-02-14
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2020-10-30
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G01N1/32
- 本发明公开了一种晶圆局部处理方法，其涉及半导体技术领域，所述晶圆局部处理方法包括以下步骤：将待处理的晶圆的一个表面与形成有所述凹槽道的第一腔室部的表面相贴合；将用于对晶圆表面进行处理的预设量的腐蚀液自所述第一通孔通入所述凹槽道中；向所述第一通孔中通入动力流体以使所述动力流体推动所述腐蚀液在所述凹槽道中流动，同时控制所述凹槽道中的所述腐蚀液以预设速度流动；通过所述动力流体将所述凹槽道中的所述腐蚀液推动至所述第二通孔以排出所述凹槽道。本发明中的晶圆局部处理方法能够有效控制腐蚀液的运动，进而控制晶圆表面局部的腐蚀深度，进而能够对晶圆材料内部给定的深度范围内的污染杂质进行提取与检测。
- 局部处理方法
- [发明专利]堵塞件及模块化半导体处理设备-CN201610838957.2有效
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王致凯
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无锡华瑛微电子技术有限公司
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2016-09-21
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2020-10-27
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H01L21/67
- 本发明公开了一种堵塞件及模块化半导体处理设备，所述堵塞件包括：固定件，其包括头部、自所述头部的一端延伸而成的杆部，所述杆部具有自远离所述头部的一端向内延伸而成的收容孔；堵芯，其包括堵芯杆和自所述堵芯杆的一端延伸而成的堵芯头，其中，所述堵芯杆可拆卸的收容于所述收容孔内，所述堵芯头的尺寸大于所述收容孔的尺寸。本发明中的半导体处理设备由几个模块组成，具有结构简单，组装方便灵活，易于更换、便于维修等优点。另外，本发明中的堵塞件由两组不同材质的材料形成，其不仅可以保持对连通端口的固持力，又能起到密封堵塞的作用，还可以避免对连通端口的破坏，同时组装方便，成本低。
- 堵塞模块化半导体处理设备
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