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[发明专利]低功率写入下的快速光致变色全息存储材料的制备方法-CN202110153779.0在审
发明人：刘益春;张昕彤;王欣浓;付申成 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：低功率写入下的快速光致变色全息存储材料的制备方法，涉及光学信息存储技术领域，解决了现有Ag/TiO2纳米复合薄膜全息存储的响应速度低的问题，制备方法包括避光条件下制备附着有单宁酸的二氧化钛薄膜；避光条件下，浸没在硝酸银溶液中，在30℃的水浴中浸泡得到银/二氧化钛薄膜；再进行可见激光照射并浸渍于硝酸银溶液中，得到激光与单宁酸共同作用的银/二氧化钛薄膜；最后浸没于氯化钾溶液中，得氯化钾修饰的银/二氧化钛薄膜。本发明采用氯化钾进行修饰，创建新的光化学反应环境，进一步调控了光致变色速度，实现了低功率单色光的快速光致变色，获得了响应速度更快的全息存储材料，适用于低功率下蓝光的快速、高效的全息存储。
功率写入快速变色全息存储材料制备方法

[发明专利]窄带吸收银/二氧化钛薄膜全息材料及制备方法和应用-CN201710981715.3有效
发明人：付申成;王欣浓;张昕彤;刘益春 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明窄带吸收银/二氧化钛薄膜全息材料及制备方法和应用，避光条件下，将二氧化钛薄膜浸渍于单宁酸溶液中，得到附着有单宁酸的二氧化钛薄膜；避光条件下，将附着有单宁酸的二氧化钛薄膜浸没在硝酸银溶液中，在30℃的水浴中浸泡10min，得到银/二氧化钛薄膜；可见激光照射下，将处理后的银/二氧化钛薄膜浸渍于硝酸银溶液中，得到激光与单宁酸共同作用的银/二氧化钛薄膜，即为所述银/二氧化钛薄膜全息材料。本发明提供的全息材料为银/二氧化钛薄膜材料，在可见激光和单宁酸的共同作用下可以快速地获得高效的窄带的银纳米粒子等离子体吸收，用来实现短波光的快速、高效的全息光存储。通过偏振通道分割彩色信息，实现彩色全息图像重现。
窄带吸收氧化薄膜全息材料制备方法应用

[发明专利]ZnS:Cu纳米晶晶体结构可控制备方法-CN201510640899.8在审
发明人：楚学影;王欣浓;李金华;方铉;魏志鹏;徐铭泽;金芳军;王晓华 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： C30B7/14 文献下载
摘要：ZnS:Cu纳米晶晶体结构可控制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。现有技术尚未实现溶胶法制备掺杂型纤锌矿ZnS纳米晶材料。本发明其特征在于，首先，配制Zn离子前驱溶液；其次，配制Zn、Cu离子混合溶液，Cu离子的引入量为Zn离子摩尔量的4％～15％；第三，调节所述Zn、Cu离子混合溶液PH值为碱性；第四，在所述Zn、Cu离子混合溶液中引入S，在搅拌及室温条件下反应，当Cu离子的引入量为Zn离子摩尔量的4％时，生成闪锌矿ZnS:Cu纳米晶材料，当Cu离子的引入量为Zn离子摩尔量的15％时，生成纤锌矿ZnS:Cu纳米晶材料，随着Cu离子的引入量从Zn离子摩尔量的4％逐步增加到15％，生成的闪锌矿ZnS:Cu纳米晶材料的量逐步减少，生成的纤锌矿ZnS:Cu纳米晶材料的量逐步增加。
zns cu 纳米晶体结构可控制备方法